본 논문은 X-대역에서 바랙터 다이오드가 없는 전압 제어 발진기 구조를 제안하고, 마이크로웨이브 레이더 신호 감지용 수신기에 적용 가능성을 확인하였다. 부성 저항을 발생하는 능동 소자의 콜렉터-베이스 PN-접합으로 바랙터 다이오드를 대체하여, 단일 RF BJT 소자로 전압 제어 발진기를 구현하여 수신기에서 요구하는 튜닝 전압 1.0~7.0 V에서 11.20~11.75 GHz 주파수 가변 특성, 9.0~12.0 dBm 출력 전력 및 선형적인 주파수 튜닝 특성을 만족하였다.
본 논문에서는 이동차량에서 위성과의 송, 수신 양방향 서비스와 위성 방송 수신을 목적으로 하는 능동 위상 배열 마이크로스트립 안테나를 위한 8$\times$2부 배열을 설계, 제작, 측정하였다. 수신 11.7-12.75 GHz, 송신 14-14.5 GHz 대역에 대하여 단일 소자로 송, 수신을 위하여 $\pm$45$^{\circ}$ 직교화 된 두 개의 선형 편파를 사용한다. 수신 대역의 광대역 특성을 위하여 두 패치 사이의 이중 공진을 이용하였고, 공기층의 두께를 조절하여 20 dH 이상의 격리도 특성을 보였다. 앙각 방향에 대하여 전기적으로 30$^{\circ}$ 빔 틸트 하였으며 낮은 부엽 수준을 위하여 테이퍼형 전력분배와 좁은 소자간 간격을 사용하였다.
본 논문에서는 X-band에서 사용할 수 있는 손실이 작은 n-방향 전력분배기의 설계방법을 제안하였다. 손실을 적게 하기 위하여 전송선로와 정합을 위한 아이솔레이션 저항을 단지 2단만 사용하여 설계하였다. 3-방향과 4-방향 전력분배기를 측정한 결과 전력분배는 3-방향에서 5.54~6.17dB, 4-방향에서 6.76-7.37dB이며, 반사손 실은 3-방향에서 17dB 이상, 4-방향에서 1갱B 이상이고, 아이솔레이션은 3 방향에서 l&iB 이상, 4 방향에서 10dB 이상으로 측정되었다. 이 값은 이론적인 분석과 거의 일치하였다.
Znic sulfide (ZnS) thin films were deposited on glass substrates by radio frequency magnetron sputtering. The substrate temperature varied from room temperature (RT) to $500^{\circ}C$. The structural and optical properties of ZnS films were studied by X-ray diffraction (XRD), field emission scanning electron microscopy (FESEM), energy dispersive analysis of X-ray (EDAX) and UV-visible transmission spectra. The XRD analyses reveal that ZnS films have cubic structures with (111) preferential orientation, whereas the diffraction patterns sharpen with the increase in substrate temperatures. The FESEM images indicate that ZnS films deposited at $400^{\circ}C$ have nano-sized grains with a grain size of ~ 67 nm. Then films exhibit relatively high transmittance of 80% in the visible region, with an energy band gap of 3.71 eV. One obvious result is that the energy band gap of the film increases with increasing the substrate temperatures.
An X-band highly frequency-stabilized MIC Gunn oscillator using a dielectric resonator is fabricated. Resonant frequency is obrained by a variational method and it is studied how the oscillating characteristics can be affected by several fators. By the optimizing these factors, we can realize the stabilited oscillator output of 250 mW with 5-7 percet efficiency at 10 GHz. It has the favorable characteristics with frequency variation of 70 KHz/$^[\circ}C$ and the ouput variation within 3 dB over the temperature range from 0 to 70$^[\circ}C$.
In this paper, transparent circuit analog radar absorbing structure with angular stability for stealth aircraft canopy was proposed and designed. To obtain wideband electromagnetic absorption, optical transparency and smaller thickness, we proposed the novel FSS(Frequency Selective Surface) for X-band and implemented the resistive FSS and PEC(Perfect Electric Conductor) plane using ITO(Indium Thin Oxide) coating with optical transmissivity of 90 %. Reflection loss characteristics for different incident angles of both TE(Transverse Electric) and TM(Transverse Magnetic) polarizations are presented through simulations. We then fabricated the proposed structure to verify the simulation results. The comparisons between the simulation and measured results show good agreements. The results also show that the proposed radar absorbing structure can provide better frequency stability for different incidence angles and polarizations as well as optical transparency. We can apply this proposed structure to the canopy of stealth aircraft and other stealth applications for visible transparency.
본 논문에서는 위상 고정 루프 PLL(Phase Locked Loop)의 궤환 성질을 이용한 Ku-band(10.95-11.70GHz)용 위상고정 유전체 공진 발진기를 설계 및 제작하였다. 직렬 궤환형의 유전체 공진 발진기를 제작한 후, 발진기의 주파수를 전압 제어하기 위해 전압 가변 캐패시터로 작용하는 바랙터 다이오드를 사용하여 전압제어 유전체 공진 발진기를 구현하였다. 이와 같이 제작된 전압제어 유전체 공진 발진기에 샘플링 위상비교기를이용하여 위상고정 유전체 공진 발진기를 제작하였다. 위상고정 유전체 공진 발진기는 X-band 주파수 대역의 전압제어 유전체 공진 발진기 신호를 샘플링 위상 비교기를 이용하여 VHF 대역의 기준 신호에 위상고정시켜 높은 주파수 안정도를 얻는 것으로 유럽형 FSS(Fixed Satellite Service)를 위한 10.00 GHz를 구현하였다. 측정 결과 본 논문의 위상고정 유전체 공진 발진기는 전압제어 유전체 공진 발진기보다 높은 주파수 안정도를 보였으며, 10.00 GHz에서 출력전력 10 dBm 이상이었고 carrier로 부터 10 KHz 벗어난 점에서 -80dBc/Hz의 위상 잡음을 얻었다.
A new type low-pass filter design method based on a coupled line and transmission line theory is proposed to suppress harmonics by attenuation poles in the stop band The design formula are derived using the equivalent circuit of a coupled transmission line. The new low-pass filter structure is shown to have attractive properties such as compact size, wide stop band range and low insertion loss. The seventh-order low-pass filter designed by present method Ins a cutoff frequency of 0.9 GHz with a 0.01 dB ripple level. The coupled line type low-pass filter with stripline configuration was fabricated by using a high-temperature superconducting (HTS ; $YBa_2Cu_3O_{7-x}$) thin film on MgO(100) substrate. Since the HTS coupled line type low-pass filter was proposed with five attenuation poles in stop band such as 1.8, 2.5, 4, 5.5, 62 GHz. The fabricated low-pass filter has improved the attenuation characteristics up to seven times of the cutoff frequency Bemuse of good rejection of the spurious signals and harmonics, our low-pass filter is applicable to mobile base station systems such as cellular, personal communication systems and international mobile telecommunication(IMT)-2000 systems.
본 논문은 동일 대역 전이중 무선 통신 시스템의 구현에 관한 연구이다. 아날로그 RF 영역의 신호는 분리된 안테나를 이용하여 자기간섭 신호 크기를 줄이고, 디지털 영역은 SDR(Software Defined Radio)을 통해 자기간섭 신호를 제거하여 동일 대역 전이중 무선 통신 방식을 구현하였다. USRP X310 장치에 송신단의 안테나와 수신단의 안테나를 각각 사용하였으며, SDR 장치의 송수신단의 이득을 조절하여 수신단의 안테나로 들어오는 자기간섭 신호의 크기와 외부에서 수신하고자 하는 신호의 크기를 -64 dB으로 동일하게 설정하였다. 전이중 무선 통신 성능을 검증하기 위하여 소스데이터는 이미지를 사용하였으며 변조 방식은 OFDM 방식을 사용하였다. 반송파 주파수는 2.67 GHz, 대역폭은 20 MHz인 WiFi 표준 프레임을 사용하였다. 수신 신호에서 자기간섭 신호는 디지털 신호처리로 상쇄하였으며, 최대 34 dB까지 자기간섭 신호를 제거하였다. 자기간섭 신호를 제거하지 않았을 때는 OFDM 복조가 불가능하였다. 하지만 자기간섭 신호 제거량의 크기를 변화시켜가면서 BER을 측정한 결과, 자기간섭 신호를 34 dB 제거한 경우 BER이 $2.63{\times}10^{-5}$로 줄어들었고, 비터비 복호기(Viterbi decoder)를 통과한 결과, 100 Mbit data 송출량 동안 에러가 검출되지 않았다.
We report the results of the characterization of Cu oxide thin films deposited by radio frequency (r.f.) magnetron sputtering at different annealing temperatures. The deposited Cu oxide thin films were investigated by scanning electron microscopy, spectroscopic ellipsometry, X-ray diffraction, atomic force microscopy, Xray photoelectron spectroscopy, and contact angle measurements. The thickness of the films was about 180 nm and the monoclinic CuO phase was detected. The $CuO_2$ and $Cu(OH)_2$ phases were grown as amorphous phase and the ratio of the three phases were independent on the annealing temperature. The surface of Cu oxide films changed from hydrophilic to hydrophobic as the annealing temperature increased. This phenomenon is due to the increase of the surface roughness. The direct optical band gap was also obtained and laid in the range between 2.36 and 3.06 eV.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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