• 자원리싸이클링
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• 제10권6호
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• pp.15-21
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• 2001

구리를 포함하는 산성 염화동 폐액으로부터 입자형상이 제어된 고순도의 산화동을 중화법을 사용하여 제조하였다 PCB(Printed Circuit Board)제조 산업은 구리 소재를 이용한 전자 부품 가공 산업으로서 제조 공정인 부식 과정에서 다량의 구리가 함유된 에칭 폐액이 발생한다. 환경과 경제적인 측면에서 폐액으로부터 구리성분을 재회수하는 기술의 개발은 매우 중요하다. 본 연구에서는 폐액으로부터 산화동을 회수하는 공정 중 반응 온도를 조절하여 생성물의 입자 크기와 형상을 제어하였다. $40 ^{\circ}C$미만에서 회수한산화동은 입자모양이 침상이었으며 $40^{\circ}C$이상에서 회수한 산화동은 판상을 보여 주었다. 생성물의 물리적 특성을 SEM, XRD, TGA그리고 원자 흡수 분광기를 사용하여 분석하였다.

• 자원리싸이클링
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• 제12권2호
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• pp.3-10
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• 2003

PCB (Printed Circuit Board) 산업에서 배출되는 산성 염화동 폐액으로부터 농약원제로 사용이 가능한 고순도의 copper oxycloride를 제조하였다. PCB제조 산업은 구리 소재를 이용한 전자 부품 가공 산업으로서 제조 공정인 부식 과정에서 다량의 구리가 함유된 에칭 폐액이 발생한다. 환경과 경제적인 측면에서 폐액으로부터 구리성분을 재회수하는 기술의 개발은 매우 중요하다. 본 연구에서는 가성소다로 폐액을 중화하여 copper oxychloride를 회수하는 공정의 반응 조건을 확립하였다. 반응 온도 2$0^{\circ}C$-4$0^{\circ}C$, pH 5-7 사이에서 순수한 copper oxychloride제조가 가능하였고 이때 수득율은 95% 이상이었다. 생성물의 물리적 특성을 SEM, XRD, TGA, ICP 그리고 원자 흡수 분광기를 사용하여 분석하였다.

• 공업화학
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• 제24권1호
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• pp.67-71
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• 2013

철, 구리, 알루미늄 등과 같은 금속의 에칭액으로 사용되는 $FeCl_3$ 용액의 에칭능력은 에칭 과정에서 $Fe^{3+}$이 $Fe^{2+}$로 환원되면서 감소하게 된다. 에칭능력의 감소는 에칭 속도에 영향을 주기 때문에 시간당 제거되는 금속의 양이 감소하여 에칭 효율이 저하되며, 폐 $FeCl_3$ 용액은 환경에 유해하며, 처리시 경제적인 문제점을 지니고 있다. 본 연구에서는 폐 $FeCl_3$ 에칭액에 HCl 첨가 후 $O_2$, $H_2O_2$ 등과 같은 강한 산화제를 이용한 에칭액 재생 방법과 재생된 에칭액을 이용한 금속 에칭시 산화-환원 전위(ORP) 및 에칭능력과의 관계를 조사하였다. 연구 결과 폐 $FeCl_3$ 에칭액 대비 2 vol%의 HCl과 미량의 $H_2O_2$를 이용하여 재생된 $FeCl_3$의 에칭 능력이 향상되었으며, 재생액을 이용한 에칭시 에칭액내의 $Fe^{2+}$, $Fe^{3+}$의 농도변화로 인하여 ORP를 기준으로 하는 방법보다 에칭시간을 일정하게 하는 것이 보다 효율적인 방법으로 제시되었다.

• 청정기술
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• 제15권3호
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• pp.165-171
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• 2009

본 연구에서는 전자산업에서 주로 사용되는 invar 강판재료를 식각한 후 생성되는 $FeCl_2$을 $FeCl_3$로 환원하여 회수한 후 재사용하기 위한 식각액 재생공정에서 $FeCl_3$의 회수 농도와 재생공정의 단수와의 관계를 규명하고 원하는 $FeCl_3$ 회수 농도를 얻기 위한 공정의 최적단수를 얻어낼 수 있는 simulation program을 개발하였다. 이 프로그램을 위한 여러 가지 parameter는 pilot 실험을 통해 얻었다. 개발된 프로그램에 의한 공정 모사는 폐액의 발생량 및 처리비용을 극소화할 수 있다. 또한 개발된 프로그램은 원하는 $FeCl_3$의 농도를 얻기 위한 식각액 재생시스템의 최적단수와 공정시간을 계산할 수 있다. 개발된 프로그램은 실제 전자산업에서 식각액 재생 장치의 최적 용량 산정과 식각액 회수 시스템 최적단수 계산에 활용되었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제27권6호
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• pp.303-308
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• 2017

여러 가지 금속을 에칭하기 위하여 사용된 $FeCl_3$ 폐용액은 유가금속인 니켈을 함유하고 있다. 본 연구에서는 염화철을 재생하고 남은 니켈 함유 에칭폐액으로부터 니켈을 고순도의 탄산니켈 결정분말로 회수하고자 하였다. 5 % NaOH 수용액을 이용하여 pH 4의 조건에서 1차적으로 철 성분의 불순물을 약 97 % 제거하고 추가적으로 남은 불순물을 제거하기 위하여 용매추출제 D2EHPA(Di-(2-ethylhexyl) phosphoric acid)를 사용하여 불순물로서 존재하는 금속이온들을 약 99% 제거하였다. 그 후 불순물이 제거된 염화니켈 용액에 탄산나트륨과의 반응을 통하여 99.9 % 이상의 순도를 가진 탄산니켈분말을 얻을 수 있었다.

• 청정기술
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• 제18권2호
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• pp.183-190
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• 2012

PCB에칭에 의해 발생한 염화철 폐식각액 중 염화철을 산화시키고 구리를 석출시키는 전기화학적 재생공정은 환경오염을 줄이면서도 부산물을 얻어내어 경제성이 크다. 그러나, 염화철 폐식각액은 철과 구리, 두 가지 금속이 함께 함유되어 있기 때문에 전해조에서 일어나는 반응이 복잡하다. 본 연구에서는 회분식 공정을 통하여 전기화학적인 염화철 산화 및 구리 석출반응의 특성을 조사하고 관련된 공정변수들의 최적 조건을 도출해내었다. 염화철의 산화는 항상 원하는 수준으로 되었으며, 탄소 음전극을 사용한 반응에서 $350mA/cm^2$의 전류밀도와 12 g/L의 구리 농도 조건에서, $Fe^{2+}$이온의 비율이 높을수록 구리 석출 효율이 높았다. 또한, 도출해낸 최적 조건을 바탕으로 Bench 장치 연속운전을 통해서 scale-up 가능성을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제21권5호
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• pp.397-401
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• 2008

Most of the topic in PCB industry was about increasing the volume of product for the development of electronics in numerous industrial application area. However, it has been emerged that yield improvement quality manufacturing via detecting any suspicious process in order to minimize the scrapped product and material waste. In addition, recently, restriction of hazardous substances (RoHS) claims that electronic manufacturing environment should reduce the harmful chemicals usage, thus the importance of monitoring copper etchant and detecting any mis-processing is crucial for electronics manufacturing. In this paper, we have developed real-time chemical monitoring system using RGB sensor, which is simpler but more accurate method than commercially utilized oxidation reduction potential (ORP) technique. The developed Cu etchant monitoring system can further be utilized for copper interconnect process in future nano-semiconductor process.

• 한국방사성폐기물학회:학술대회논문집
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• 한국방사성폐기물학회 2005년도 Proceedings of The 6th korea-china joint workshop on nuclear waste management
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• pp.300-315
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• 2005

Recently plasma surface-cleaning or surface-etching techniques have been focused in the respect of decontamination of spent or used nuclear parts and equipment. In this study decontamination rate of metallic cobalt surface was experimentally investigated via its surface etching rate with a $CF_4-O_2$ mixed gas plasma and metallic surface wastes of cobalt oxides were simulated and decontaminated with $NF_3$ - Ar mixed gas plasma. Experimental results revealed that a mixed etchant gas with about $80{\%}\;CF_4-20{\%}\;O_2$ gives the highest reaction rate of cobalt disk and the rate reaches with a negative 300 DC bias voltage up to $0.43\;{\mu}m$/min at $380^{\circ}C$ and $20{\%}\;NF_3-80\%$ Ar mixed gas gives $0.2\;{\mu}m$/min of reaction rate of cobalt oxide film.

• 자원리싸이클링
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• 제19권5호
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• pp.44-49
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• 2010

태양전지산업으로부터 배출되는 Si waste로부터 탄소환원법을 사용하여 SiC 분말을 제조하였다. 태양광 산업의 실리콘 웨이퍼 가공 공정에서 다량의 실리콘 및 오일 포함된 폐액이 발생한다. 환경과 경제적인 측면에서 폐액으로부터 실리콘 성분을 재회수하는 기술의 개발은 매우 중요하다. 본 연구에서는 폐 실리콘를 milling하여 나노화한 후 카본 블랙과 혼합하고 진공분위기에서 $1,350^{\circ}C$로 열처리하여 100 nm크기의 균일한 입도를 갖는 SiC 분말을 제조하였다. 폐실리콘과 생성물의 물리적 특성을 SEM, XRD, 입도분석 그리고 원자 흡수 분광기를 사용하여 분석하였다.

• 한국방사성폐기물학회:학술대회논문집
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• 한국방사성폐기물학회 2004년도 학술논문집
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• pp.32-42
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• 2004

Recently, plasma surface-cleaning or surface-etching techniques have been focused in respect of the decontamination of spent or used nuclear parts and equipment. In this study the removal rate of metallic cobalt surface is experimentally investigated via its surface etching rate with a $CF_4-o_2$mixed gas plasma. Experimental results reveal that a mixed etchant gas with about 80% $CF_4$-20% $O_2$ (molar) gives the highest reaction rate and the rate reaches 0.06 ${\mu}m$/min at $380^{\circ}C$ and ion-assisted etching dramatically enhances the surface reaction rate. With a negative 300 V DC bias voltage applied to the substrate, the surface reaction initiation temperature lowers and the rate increases about 20 times at $350^{\circ}C$ and up to 0.43 ${\mu}m$/min at $380^{\circ}C$, respectively. Surface morphology analysis confirms the etching rate measurements. Auger spectrum analysis clearly shows the adsorption of fluorine atoms on the reacted surface. From the current experimental findings and the results discussed in previous studies, mechanistic understanding of the surface reaction, fluorination and/or fluoro-carbonylation reaction, is provided.