• 한국안광학회지
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• 제5권2호
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• pp.187-192
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• 2000

본 연구에서는 물 유리의 경제성을 바탕으로 광학적 및 기계적인 특성을 조사하여 투명하고 높은 경도를 가진 표면 보호막의 기능을 검토하기 위하여 $SiO_2-Na_2O-R_mO_n$계 박막을 제조하였다. 물 유리에 CaO와 $Al_2O_3$를 소량의 1 N HCl 1N $NH_4OH$와 함께 각각 첨가하여 코팅용 졸을 준비하였다. Stainless steel. Si wafer. soda-lime-silica glass등 다양한 기판 위에 spin-coating 한 후 질소 분위기 하에서 500, 750 및 $900^{\circ}C$로 최종 열처리를 행했다. 제조된 막은 Knoop 경도계로 micro-hardness를 측정하였다. 막의 표면 질소 함유량을 알아보기 위하여 EDX 분석을 행하였다. 그리고 Field Emission Scanning Electron Microscope(FE-SEM)을 이용하여 막의 표면구조를 관찰하였으며, UV-VIS 스펙트라 측정을 통하여 막의 두께와 반사 특성을 조사하였다.

• 한국재료학회지
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• 제4권5호
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• pp.510-515
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• 1994

플라즈마 화학 증착법으로 (100)p-type Si wafer위에 $Y_2O_3$-Stabilzed $ZrO_2$박막을 증착하였다. 반응 기체로는 zirconium triflouracethylacetonate[Zr(tfacac) $[Zr(tfacac)_4]$, tri(2.2.6.6 tetramethy1-3, 5-heptanate) yttrium $[Y(DPM)_3]$과 oxygen gas를 사용하였다. X-ray diffraction(XRD)과 fourier Particle induced x-ray emission(PIXE)을 통하여 $Y(DPM)_3$ bubbling temperature가 $160^{\circ}C, 165^{\circ}C, 170^{\circ}C$일때 $Y_2O_3$함량이 12.1mo1%, 20.4mol%, 31.6mol%임을 알 수 있었다. C-V측정에서 $Y(DPM)_3$ bubbling temperature가 증가함에 따라 flat band voltage가 더욱더 음의 방향으로 이동하였다.

• 새물리
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• 제68권11호
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• pp.1203-1207
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• 2018

본 연구에서는 산소 함유량이 다른 산화 실리콘 막을 사용하여 실리카 나노 와이어를 형성하고, 실리카 나노 와이어의 미세구조 및 물리적 특성을 Si 웨이퍼를 사용하여 형성된 실리카 나노 와이어와 비교 분석하였다. 산화 실리콘 막은 플라즈마 화학 기상 증착 방법을 사용하여 제조하였으며, 실리카 나노 와이어는 산화 실리콘 막 표면에 촉매 물질로 니켈 막을 진공 증착한 후 열처리를 통해 형성하였다. 산소 함유량이 약 50 at.% 이하의 산화 실리콘 막의 경우 나노 와이어 형성 메커니즘, 미세구조 및 물리적 특성 등에서 실리콘 웨이퍼의 경우와 거의 차이점이 없었으며, 특히 나노 와이어의 굵기의 균일성은 산화 실리콘 막에서 더 우수한 거동을 나타내었다. 이러한 결과는 저가로 양질의 실리카 나노 와이어를 제조하는 대체재로서 산화 실리콘 막의 유용성을 제시한다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1991년도 하계학술대회 논문집
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• pp.162-165
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• 1991

Oxygen behaviors in CZ-silicon wafer, grown by the Lucky Advanced Materials Inc. that is a pioneer of silicon material industries in Korea, were investigated to simulate effects on the device performance of oxygen, neglecting the effect of other impurity content, defects and thermal history. Silicon wafers were annealed through simulated 16K SRAM thermal cycle. As initial oxygen concentration increased up to 16.7ppma the amount of oxygen precipitation increased up to 10.6ppma and the bulk microdefect density increased up to $10.3{\times}10^3/mm^2$, but the depth of the denuded zone decreased to $5.0{\mu}m$

• 열처리공학회지
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• 제3권1호
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• pp.1-7
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• 1990

To investigate the influence of r.f. power and electrode distance on the TiN deposition, TiN films were deposited onto STC3, STD11 steel and Si-wafer from gas mixtures of $TiC_4/N_2/H_2$ using the radio frequency plasma assisted chemical vapor deposition. The crystallinity of TiN film could be improved by the increase of r.f. power and the decrease of electrode distance. The TiN coated layer contains chlorine, its content were decreased with increasing r.f. power as well as decreasing electrode distance. And the thickness of deposited TiN was largely affected by r.f. power and electrode distance. The hardness of deposited TiN reached a maximum value of about Hv 2,000.

• 한국재료학회지
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• 제27권5호
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• pp.242-247
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• 2017

ZnO film was prepared on a p-type Si wafer and then annealed at various temperatures in air and vacuum conditions to research the electrical properties and bonding structures during the annealing processes. ZnO film annealed in atmosphere formed a crystal structure owing to the suppression of oxygen vacancies: however, ZnO annealed in vacuum had an amorphous structure after annealing because of the increment of the content of oxygen vacancies. Schottky contact was observed for the ZnO annealed in an air. O 1s spectra with amorphous structure was found to have a value of 529 eV; that with a crystal structure was found to have a value of 531.5 eV. However, it was observed in these results that the correlation between the electronic characteristics and the bonding structures was weak.

• 한국세라믹학회지
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• 제26권4호
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• pp.550-558
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• 1989

Polycrystalline diamond films have been deposited on Si wafer Ly hot W filament CVD method using CH4H2 mixtures. The effects of surface pretreatment, W filament temperature, CH4 volume fraction, and addition of water vapor on the growth rate and morphology of the films were investigated. Surface pretretment was essential for depositing a continuous diamond film. Raising the filament temperature resulted in an increased growth rate and a better crystal quality of the film. As the methane content is varied from 0.5% to 5%, well-faceted crystals gradually transformed into spherical particles of non-diamond phase with a simultaneous increase in the growth rate. Addition of water vapor markedly improved the crystallinity to produce crystalline particles even with 5% methane mixture.

• 센서학회지
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• 제6권3호
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• pp.200-206
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• 1997

열산화시킨 실리콘 웨이퍼 위에 저압화학기상성장법으로 $SiCl_{2}H_{2}$, $NH_{3}$ 및 $N_{2}O$ 기체를 사용하여 실리콘 옥시나이트라이드($Si_{x}O_{y}N_{z}$) 층을 제작하였다. 세 가지의 다른 조성이 기체 유속비($NH_{3}/N_{2}O$)를 각기 0.2, 0.5 및 2로 변화시키고 $SiCl_{2}H_{2}$의 기체 유속은 고정시킴으로써 얻어졌다. 엘립소메트리와 HFCV(High Frequency Capacitance-Voltage) 측정법을 채택하여 굴절율, 유전율 및 조성의 차이를 각각 조사했다. 실리콘 옥시나이트라이드는 내부에 포함된 실리콘 나이트라이드 성분량에 관계없이 용액 중에서 순수한 실리콘 나이트라이드와 유사한 안정성을 보유했다. 실리콘 옥시나이트라이드 층 알칼리이온 감지성의 크기 순서는 실리콘 나이트라이드 성분량에 영향을 받았다. 보다 나은 알칼리이온 감지성이 실리콘 옥시나이트라이드의 벌크 내에 있는 실리콘 디옥시드의 성분량을 증가시킴으로써 얻어졌다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제40권6호
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• pp.681-686
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• 2002

산업 현장에서 이론적인 건조방법이 실제와는 차이가 많고 또한 배기가스의 재순환이 폐열을 이용하는 목적으로 열원의 절감에는 경제적이지만 이들 파라미터에 따른 요소수지 성형화에 미치는 영향을 연구한바가 없다. 따라서 요소 수지 성형재료의 경화 특성을 건조와 성형 공정 중의 건조온도와 시간, 배기가스 재 순환률 및 성형온도에 따라 실험하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 성형재료의 수분함량은 건조 시간과 건조 온도가 증가함에 감소하고, 건조속도는 배기가스 재 순환률이 증가하면 감소한다. 특히 경화유동도는 배기가스의 재 순환량, 건조온도 및 성형온도가 증가하면 감소한다. 또한 건조온도, 건조시간, 배기가스의 재 순환량 및 성형온도에 따라 수분함량과 경화유동도에 대한 상관식을 구하여 재현성있는 최적의 조건을 구명하였다.

• 한국안광학회지
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• 제3권1호
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• pp.217-222
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• 1998

$SiO_2-TiO_2-AgO$ 코팅박막을 졸-겔법으로 현미경용 슬라이드 유리판과 씰리콘 기판에 제조하였다. 이 박막의 열처리온도는 $500^{\circ}C$가 적절하였으며 5회 반복코팅한 박막의 두께는 310nm였다. AgO가 10mol% 첨가된 박막의 표면은 균일한 구조를 보였으나 첨가량이 많아질수록 박막의 표면에 pin hole과 AgO의 석출에 기인한 cluster를 보였다. 열처리온도의 증가에 따라 IR흡수의 정도가 점차 감소하였고, AgO 첨가량의 증가에 따라 반사율은 점차 감소하였으며 색상은 light yellow에서 무채색 쪽으로 점차 전이하였다.