• Food Science and Biotechnology
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• 제17권4호
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• pp.713-717
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• 2008

In the present study, chronic effects of the hot water extracts of walnut seed (Juglans regia L.) (WSE) and Nelumbo nucifera seed (NSE) were investigated in mice exposed to 2 hr of restraint stress each day for 4 weeks. Corticosterone levels in serum were significantly increased in the vehicle-treated stressed group ($25\;{\mu}g/dL$) compared to that in the control group ($13\;{\mu}g/dL$). This stress induced gastric redness and lesions. However, treatment with WSE and/or NSE significantly protected the stomach from this lesion by 50-60% compared to that in the vehicletreated group. In the amygdala, the administration of WSE and/or NSE also reduced the immediate early gene (c-fos) expression by 70-90% vs. the vehicle-treated group. These suggest that WSE and/or NSE may reduce the appearance of symptoms induced by stress and these materials are useful as anti-stress foods, as natural products tend to be relatively safe compared to chemical products.

• Journal of Animal Science and Technology
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• 제50권3호
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• pp.417-428
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• 2008

본 시험은 elk의 수용성 부위별 녹용의 추출물이 랫드의 지방대사에 미치는 영향을 조사하고 혈액의 변화유무를 조사하고자 실시하였다. Elk 녹용을 분골, 상대, 중대 및 하대별로 35g당 60ml 되게 녹용추출액을 제조한 다음 10ml/kg 체중의 용량으로 4주령의 Sprague-Dawley 웅성 랫드 80수에 1회/1일 경구투여 하였다. 녹용투여 3주 후에 혈청의 AST는 대조군에서 보다 녹용 처리군에서 유의하게 낮았으며(P< 0.0027), 4주 후에는 대조군에서보다 하대 처리군에서 유의하게 낮았다(P<0.0136). 녹용투여 4주 후에는 복강지방(P<0.0035)과 간 조직(P< 0.0003)의 total-cholesterol은 전체 처리군에서 대조군보다 유의하게 낮았다. 랫드 복강지방의 지방산은 4주 후에는 C14:0(P<0.0037), C16:1(P< 0.0061), C18:1(P<0.0066), C18:2(P<0.0069)과 C18:3(P<0.0035) 함량이 대조군 보다 높았다. 본 시험은 elk의 수용성 부위별 녹용의 추출물이 랫드의 지방대사에 미치는 영향을 조사하고 혈액의 변화유무를 조사하고자 실시하였다. Elk 녹용을 분골, 상대, 중대 및 하대별로 35g당 60ml 되게 녹용추출액을 제조한 다음 10ml/kg 체중의 용량으로 4주령의 Sprague-Dawley 웅성 랫드 80수에 1회/1일 경구투여 하였다. 녹용투여 3주 후에 혈청의 AST는 대조군에서 보다 녹용 처리군에서 유의하게 낮았으며(P< 0.0027), 4주 후에는 대조군에서보다 하대 처리군에서 유의하게 낮았다(P<0.0136). 녹용투여 4주 후에는 복강지방(P<0.0035)과 간 조직(P< 0.0003)의 total-cholesterol은 전체 처리군에서 대조군보다 유의하게 낮았다. 랫드 복강지방의 지방산은 4주 후에는 C14:0(P<0.0037), C16:1(P< 0.0061), C18:1(P<0.0066), C18:2(P<0.0069)과 C18:3(P<0.0035) 함량이 대조군 보다 높았다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.202.2-202.2
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• 2015

현재 반도체 산업 전반에 걸쳐 사용되고 있는 실리콘등의 3차원 반도체 물질은 반도체 공정 기술의 발전에 따른 물질적인 한계에 부딪히고 있다. 이러한 물질적인 한계를 극복하기 위하여 Graphene과 같은 2차원 물질 중 전이금속 칼코게나이드 화합물(TMD)의 반도체 특성이 뛰어나 실리콘 등을 대체할 차세대 나노 반도체 물질로 활발한 연구가 이루어지고 있다. 특히 기존 반도체를 도핑시키기 위하여 사용되었던 이온 주입 공정은 TMD의 결정구조에 심각한 손상을 가하여 이를 대체할 새로운 도핑 방법에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 우리는 이번 연구에서 기존에 유기반도체 물질로 연구되었던 pentacene을 도핑층으로 활용하고 Raman 분광법 및 전기 측정 등을 통하여 TMD물질이 금속화 되지 않는 정도의 매우 낮은 p형 도핑 현상을 확인하였다. 또한 시간에 따른 측정을 통하여 pentacene의 p형 도핑현상이 필름 증착 직후에는 미약하지만 시간이 지나면서 점점 강해지는 것을 발견하였다.. 이는 도핑현상이 pentacene의 구조에 의해 주로 일어나는 것으로 시간이 지남에 따라 대기중의 수분에 의해 생성된 pentacene 산화물들이 도핑 현상을 증가 시키는 원인으로 보인다.

• 전기화학회지
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• 제23권2호
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• pp.25-38
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• 2020

태양광 흡수 물분해는 화석연료 대체 에너지원으로 떠오르는 수소에너지를 생산할 수 있는 가장 유망한 방법이다. 현재 전이 금속 디칼코제나이드 (transition dichalcogenide, TMD)는 물분해 촉매 특성이 뛰어난 물질로 많은 관심을 끌고 있다. 본 연구에서는 실리콘 (Si) 나노선 어레이 전극 표면에 대표적 TMD 물질인 4-6족의 이황화 몰리브덴 (MoS₂), 이셀렌화 몰리브덴(MoSe₂), 이황화 텅스텐 (WS₂), 이셀렌화 텅스텐 (WSe₂) 나노시트 합성할 수 있는 방법을 개발하였다. Si나노선 전극을 금속 이온 용액으로 코팅하고, 황 또는 셀레늄의 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition)을 이용하는 것이다. 이 방법으로 TMD 나노시트를 약 20 nm 두께로 균일하게 합성하였다. p형 Si-TMD 나노선 광전극으로 구성된 광화학전지는 태양광 AM1.5G, 0.5 M H₂SO₄ 전해질에서 개시 전위 0.2 V를 가지며 0 V (vs. RHE)에서 20 mA cm^-2 이상의 전류를 낼 수 있다. 수소 발생 양자효율은 90% 정도로 우수한 물분해 촉매 특성을 확인하였다. MoS₂ 및 MoSe₂는 3시간 동안 90% 이상의 우수한 광전류 안전성을 보여주었으나, WS₂ 및 WSe₂는 상대적으로 적은 80%였다. MoS₂, MoSe₂는 Si 나노선 표면에 균일한 시트 형태로 씌워졌지만, WS₂, WSe₂는 조각 형태로 붙었다. 따라서 Si 표면을 잘 보호하지 못하기 때문에 Si나노선이 더 잘 산화되어 안정성이 낮아지는 것으로 해석하였다. 본 연구결과는 TMD의 수소 발생 촉매 특성을 이해하는 데 크게 기여할 것으로 예상한다.

• 한국식품영양과학회지
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• 제39권12호
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• pp.1893-1897
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• 2010

큰수리취와 국화수리취 등 국내 자생하는 수리취 2종의 폴리페놀 및 항산화 활성을 분석한 결과, 추출수율은 두 종간 차이가 없었으며, 총 폴리페놀 함량은 큰수리취와 국화수리취 에탄올 추출물이 195.7 및 216.2 mg/g으로 두 종 모두 물 추출물에 비해 더 높은 것으로 분석되었다. 또한, 총 플라보노이드 함량도 에탄올 추출물이 큰수리취와 국화수리취 모두 물 추출물보다 더 높았으며, 총 폴리페놀은 국화수리취 에탄올 추출물에 가장 많이 함유되어 있는 반면 총 플라보노이드 함량은 큰수리취 에탄올 추출물에서 가장 높았다. 수리취의 항산화 활성 실험 결과, DPPH radical 소거활성은 1mg/mL의 농도에서 큰수리취 및 국화수리취 에탄올 추출물이 각각 73.1% 및 73.4%로 대조물질로 사용한 BHT(81.2%)와 유의적인 차이를 보이지 않을 정도로 우수하였으나, ABTS radical 소거활성은 용매별, 종별 추출물 간에 차이가 없었고 SOD 유사활성은 거의 나타나지 않아 실험방법에 따라 항산화 활성의 차이가 크게 나타났다. 식물 추출물의 정확한 항산화 활성 측정을 위해서는 추출물에 따라 측정방법의 선택에 대한 고려가 필요하며 수리취 역시 추출물에 함유되어 있는 페놀성 물질의 특성 및 항산화 기전에 대한 추가적인 연구가 필요할 것으로 판단된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.292-292
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• 2016

Transition metal dichalcogenides (TMDs) with a two-dimensional layered structure have been considered highly promising materials for next-generation flexible, wearable, stretchable and transparent devices due to their unique physical, electrical and optical properties. Recent studies on TMD devices have focused on developing a suitable doping technique because precise control of the threshold voltage ($V_{TH}$) and the number of tightly-bound trions are required to achieve high performance electronic and optoelectronic devices, respectively. In particular, it is critical to develop an ultra-low level doping technique for the proper design and optimization of TMD-based devices because high level doping (about $10^{12}cm^{-2}$) causes TMD to act as a near-metallic layer. However, it is difficult to apply an ion implantation technique to TMD materials due to crystal damage that occurs during the implantation process. Although safe doping techniques have recently been developed, most of the previous TMD doping techniques presented very high doping levels of ${\sim}10^{12}cm^{-2}$. Recently, low-level n- and p-doping of TMD materials was achieved using cesium carbonate ($Cs_2CO_3$), octadecyltrichlorosilane (OTS), and M-DNA, but further studies are needed to reduce the doping level down to an intrinsic level. Here, we propose a novel DNA-based doping method on $MoS_2$ and $WSe_2$ films, which enables ultra-low n- and p-doping control and allows for proper adjustments in device performance. This is achieved by selecting and/or combining different types of divalent metal and trivalent lanthanide (Ln) ions on DNA nanostructures. The available n-doping range (${\Delta}n$) on the $MoS_2$ by Ln-DNA (DNA functionalized by trivalent Ln ions) is between $6{\times}10^9cm^{-2}$ and $2.6{\times}10^{10}cm^{-2}$, which is even lower than that provided by pristine DNA (${\sim}6.4{\times}10^{10}cm^{-2}$). The p-doping change (${\Delta}p$) on $WSe_2$ by Ln-DNA is adjusted between $-1.0{\times}10^{10}cm^{-2}$ and $-2.4{\times}10^{10}cm^{-2}$. In the case of Co-DNA (DNA functionalized by both divalent metal and trivalent Ln ions) doping where $Eu^{3+}$ or $Gd^{3+}$ ions were incorporated, a light p-doping phenomenon is observed on $MoS_2$ and $WSe_2$ (respectively, negative ${\Delta}n$ below $-9{\times}10^9cm^{-2}$ and positive ${\Delta}p$ above $1.4{\times}10^{10}cm^{-2}$) because the added $Cu^{2+}$ ions probably reduce the strength of negative charges in Ln-DNA. However, a light n-doping phenomenon (positive ${\Delta}n$ above $10^{10}cm^{-2}$ and negative ${\Delta}p$ below $-1.1{\times}10^{10}cm^{-2}$) occurs in the TMD devices doped by Co-DNA with $Tb^{3+}$ or $Er^{3+}$ ions. A significant (factor of ~5) increase in field-effect mobility is also observed on the $MoS_2$ and $WSe_2$ devices, which are, respectively, doped by $Tb^{3+}$-based Co-DNA (n-doping) and $Gd^{3+}$-based Co-DNA (p-doping), due to the reduction of effective electron and hole barrier heights after the doping. In terms of optoelectronic device performance (photoresponsivity and detectivity), the $Tb^{3+}$ or $Er^{3+}$-Co-DNA (n-doping) and the $Eu^{3+}$ or $Gd^{3+}$-Co-DNA (p-doping) improve the $MoS_2$ and $WSe_2$ photodetectors, respectively.

• Electronic Materials Letters
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• 제14권6호
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• pp.766-773
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• 2018

In this paper, temperature dependence of the excitonic bands in a mechanically exfoliated tungsten diselenide ($WSe_2$) monolayer is studied using photoluminescence and circular dichroic photoluminescence (PL) in the temperature range between 8 and 300 K. The peak energies associated with the neutral exciton (A), charged exciton (trion) and localized excitons are extracted from the PL spectra revealing a trion binding energy of around 30 meV. The circular dichroic PL measured at 8 K shows about 45% valley polarisation that sharply reduces with increasing temperature to 5% at 300 K with photoexcitation energy of 1.96 eV. A detailed analysis of the emission line-width suggests that the rapid decrease of valley polarisation with the increase of temperature is caused by the strong exciton-phonon interactions which efficiently scatter the excitons into different excitonic states that are easily accessible due to the supply of excess photoexcitation energy. The emission line-width broadening with the increase of temperature indicate residual exciton dephasing lifetime < 100 fs, that correlates with the observed rapid valley depolarisation.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.361.2-361.2
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• 2014

Transition metal dichalcogenides (MoS2, WS2, WSe2, MoSe2, NbS2, NbSe2, etc.) are layered materials that can exhibit semiconducting, metallic and even superconducting behavior. In the bulk form, the semiconducting phases (MoS2, WS2, WSe2, MoSe2) have an indirect band gap. Recently, these layered systems have attracted a great deal of attention mainly due to their complementary electronic properties when compared to other two-dimensional materials, such as graphene (a semimetal) and boron nitride (an insulator). However, these bulk properties could be significantly modified when the system becomes mono-layered; the indirect band gap becomes direct. Such changes in the band structure when reducing the thickness of a WS2 film have important implications for the development of novel applications, such as valleytronics. In this work, we report for the controlled synthesis of large-area (~cm2) single-, bi-, and few-layer WS2 using a two-step process. WOx thin films were deposited onto a Si/SiO2 substrate, and these films were then sulfurized under vacuum in a second step occurring at high temperatures ($750^{\circ}C$). Furthermore, we have developed an efficient route to transfer these WS2 films onto different substrates, using concentrated HF. WS2 films of different thicknesses have been analyzed by optical microscopy, Raman spectroscopy, and high-resolution transmission electron microscopy.

• Applied Microscopy
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• 제45권3호
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• pp.131-134
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• 2015

Here we show how by processing energy dispersive X-ray spectrometry (EDS) data obtained using highly sensitive, new generation EDS detectors in the AZtec LayerProbe software we can obtain data of sufficiently high quality to non-destructively measure the number of layers in two-dimensional (2D) $MoS_2$ and $MoS_2/WSe_2$ and thereby enable the characterization of working devices based on 2D materials. We compare the thickness measurements with EDS to results from atomic force microscopy measurements. We also show how we can use electron backscatter diffraction (EBSD) to address fabrication challenges of 2D materials. Results from EBSD analysis of individual flakes of exfoliated $MoS_2$ obtained using the Nordlys Nano detector are shown to aid a better understanding of the exfoliation process which is still widely used to produce 2D materials for research purposes.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제31권11호
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• pp.3225-3227
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• 2010

The thermal conductivity of layered metal chalcogenides such as $MT_2$ (M = Mo, W; T = S, Se) shows a marked decrease after exfoliation and subsequent restacking process. Random stacking of two-dimensional crystalline sheets circumvents thermal conduction pathways along a longitudinal direction, which results in a reduction in thermal conductivity. $WS_2$ and $WSe_2$ compounds retain p-type conducting behavior after exfoliation and restacking with decreased electrical conductivity due to the change in carrier concentration. $MoSe_2$ compound exhibits metallic behavior < $130^{\circ}C$ with a small Seebeck coefficient, which results from metastable 1T-$MoSe_2$ structure of the restacked phase.