• 한국식품영양과학회지
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• 제34권2호
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• pp.306-310
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• 2005

압출성형공정을 적용하여 건조수삼내부 유효성분의 침출속도를 향상시키기 위하여 수분함량(20, 25, 30%)과 스크루 회전속도(200, 300 rpm)를 달리하여 제조한 인삼유효 성분의 침출속도, 침출액의 조사포닌, 수용성지수, 갈색도와 적색도를 비교하였다. 인삼과 홍삼의 중요한 유효성분인 사포닌과 진세노사이드(ginsenoside) 함량의 지표가 되는 압출성형 수삼과 백삼 침출액의 갈색도와 적색도는 수분함량의 감소와 스크루 회전속도의 증가에 따라 유의적으로 증가하였다. 또한 수용성지수 및 조사포닌 함량은 수분함량이 감소 및 스크루 회전속도의 증가에 따라 증가하였다. 건조수삼과 압출성형수삼의 입자크기가 감소할수록 침출된 인삼유효성분의 지표가 되는 흡광도는 증가하는 경향을 보였다. 건조수삼 압출성형물의 침출액과 실험한 입자크기에서 수분함량이 28%에서 20%로 감소할수록 260∼520 nm 파장에서 흡광도는 증가하는 경향을 보였다, 수용성지수도 흡광도와 마찬가지로 입지크기가 갑소할수록 증가하는 경향을 보였다. 압출성형 수삼의 경우 팽화에 의한 기공의 형성과 전단력에 의한 세포벽의 파괴와 함께 압출성형물 내부의 유효성분의 침출율의 향상에 기여한 것으로 판단되었으며 결론적으로 다른 열처리 방법과 비교하여 압출성형공정을 인삼 침출차 제조에 적용할 수 있는 효율적인 공정으로 판단되었다.

• 한국작물학회지
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• 제42권2호
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• pp.166-172
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• 1997

본 시험은 관개방법에 따른 벼의 생육조절 효과를 구명코자 직파재배답에 관행관개, 심수관개 및 절수관개 등의 3가지 처리로 검토하였던 바 몇가지 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 관개방법간 $m^2$당 최고분벽수는 관행관개 551개, 절수관개 466개, 심수관개 455개로 심수관개에서 가장 적었으나 유효경 비율이 88%로 매우 높게 나타나 최고분얼기때 무효분벽이 상당히 억제되었다. 2. 출수기는 심수관개가 절수관개보다 약 4일 정도 지연되었고, 출수후 함량은 심수관개에서 높게 유지되어 출수지연과 더불어 생육지속효과가 현저하였다. 3. 관계방법에 따른 벼의 형태적 특성 변화를 보면 지엽, 제 2, 3 엽장 및 엽폭 등은 심수 관개에 의하여 증대되는 경향이었고, 심수관개처리에서 간장이 약간 길어지는 경향이었다. 4. 심수관개는 특히 잎집이 발달하여 잎집을 포함한 줄기의 단직경 및 장직경이 커져 경이 굵었으며, 간기중이 무거워 상대적으로 도복에 대한 저항성이 증대되었다. 5. $m^2$당 수수, 등숙비율, 천입동등이 심수관개에서 증가하여 수량은 관행관개보다 약 11% 증수되었다.

• 한국식품과학회지
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• 제28권1호
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• pp.169-178
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• 1996

밀기울의 압출가공시 스크류의 조합과 공정변수 조절에 따른 압출물의 특성을 나타내는 target parameters(수분용해지수, 압출물의 고유점도, 보수력과 보유력, 식이섬유, 압출물의 미세구조)의 변화를 연구하였다. 수분용해지수(WSI)는 원료의 수분함량에 가장 큰 영향을 받았고, 역방향 스크류(RSE)를 5개 사용한 경우 밀기울이 13.7%인 것에 비하여 압출물은 $16.3{\sim}23.2%$의 범위로 높은 WSI를 보였다. 밀기울 압출물의 고유점도는 RSE가 $3{\sim}5$개로 증가할수록 높아져 원료 밀기울이 10.6 ml/g인 것에 비하여 $37.86{\sim}45.44\;ml/g$의 수준으로 증가하였으며, 원료의 수분함량과 압출압력에도 큰 영향을 받았다. 고유점도(IV) X 수용성 고형분(SS)의 무차원 변수와 기계적 에너지 소모율(SME)과의 관계는 높은 상관관계$(R^2=0.85)$를 보여 밀기울 세포벽 수용화 반응에 SS와 분자량 크기의 상관관계가 SME에 의하여 지배받는 인자임이 확인되었다. 압출물의 보수력은 원료의 공급량과 수분함량이 높을수록 원료 밀기울보다 높은 값을 보였고, 보유력은 원료 밀기울에 비하여 낮았다. 압출물의 수용성 식이섬유는 원료의 수분함량이 적은 조건에서 $4.32{\sim}6.48%$의 분포를 보여 원료 밀기울 2.68%보다 크게 증가하였다. 이는 압출공정이 밀기울 세포벽의 수용화에 효과적으로 작용하였음을 의미한다. 압출물의 미세구조는 원료의 수분함량에 따라서 붕괴와 용융정도의 차이를 보여 주었다.

• 정보와 통신
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• 제23권1호
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• pp.65-76
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• 2006

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1995년도 제8회 학술발표회 논문개요집
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• pp.055-56
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• 1995

• 한국표면공학회지
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• 제27권2호
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• pp.83-90
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• 1994

We have investigated the mechanism for the abnormal oxide growth occuring during oxidation of the crystalline tungsten silicide. TEM and XPS analysis reveal the abnormaly grown oxide layer consisting of crystalline $Wo_3$ and amorphous $SiO_2$. The presence of crystalline $Wo_3$ provides a rapid diffusion of oxygen through the oxide layer. The abnormal oxide growth is mainly due to the poor quality of initial oxide layer growth on tungsten silicide. Two species such as tungsten and silicon from decomposition fo tungsten silicide as well as silicon supplied from the underlying polysilicon are the main contributors sto abnormal oxide forma-tion. Consequently, the abnormal oxidation results in the disintegration of tungsten silicide and thinning of polysilicon as well.

• 한국진공학회지
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• 제1권1호
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• pp.183-189
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• 1992

텅스텐 실리사이드를 축적전극으로 하는 얇은 N/O(SiO2/Si3N4) 구조막의 특성을 다 결성 실리콘의 경우와 비교 평가하였다. 누설전류 및 항복전압이 향상되었고 축적용량은 감 소하였다. 용량 감소의 원인중의 하나는 텅스텐 실리사이드 상의 산화막 성장률이 다결성 실리콘 위에서 보다 빠른 것이고 둘째는 열처리에 따라 다결정 실리콘 내 도판트 불순물이 텅스텐 실리사이드를 통하여 외향확산하여 다결정 실리콘 내에 공핍층을 형성하게 되고 공 핍층 용량으로 인하여 축적용량이 감소하게 된다.

• 한국분말야금학회:학술대회논문집
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• 한국분말야금학회 2006년도 Extended Abstracts of 2006 POWDER METALLURGY World Congress Part2
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• pp.1325-1326
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• 2006

Tungsten-molydiside $W_xMo_{1-x}Si_2$ was synthesized by self-propagating high temperature synthesis (SHS). The SHS product with the initial composition of (0.5Mo+0.5W+2Si) contains 23.9% $MoSi_2$, 40.89% $WSi_2$ with remaining 9.11% Mo, 9.16% Si and 16.94%W. Lattice parameters of the $MoSi_2$ and $WSi_2$ determined by Rietvelt analysis were a=0.3206 nm, c=0.7841 nm and a=0.3212 nm, c=0.7822 nm, respectively.

• ETRI Journal
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• 제13권4호
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• pp.35-41
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• 1991

저전력 고집적 GaAs 디지틀 IC에 적합한 기본 논리회로인 DCFL (Direct Coupled FET Logic) 을 구현하기 위한 소자로 WSi게이트 MESFET 공정을 연구하였으며, 이와 함께 TiPtAu 게이트 소자를 제작하였다. MESFET 의 제작은 내열성게이트를 이용한 자기정렬 이온주입 공정을 사용하였으며 주입된 Si 이온은 급속열처리 방법으로 활성화하였다. 또한 제작공정중 저항성 접촉의 형성은 절연막을 이용한 리프트 - 오프 공정을 이용하였다. 제작된 WSi게이트 MESFET은 $1\mum$ 게이트인 경우 222mS/mm의 트랜스컨덕턴스를 나타내어 우수한 동작특성과 집적회로 공정의 적합성을 보였으며 이와 동등한 공정조건으로 제작된 TiPtAu 게이트 MESFET 은 2" 기판 내에서 84mV의 임계전압 변화를 나타내었다.

• 한국통신학회논문지
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• 제18권10호
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• pp.1553-1571
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• 1993

전형적인 컬퓨터보다 훨씬 강력한 계산 능력을 얻기 위해 병렬 컴퓨터 구조에 대한 많은 연가 진행되어 왔다. 이러한 컴퓨터들은 통상 상호 연결 네트워크(Interconnection Network)로 연결된 많은 수의 처리기들로 구성된다. 그중 중요한 한 부류가 초대규모 집적(Very Large Scale Integration) 또는 웨이퍼규모 집적(Wafer Scale Integration)을 이용한 셀룰러 병렬 처리기로 하나의 칩이나 웨이퍼에 단지 이웃으로만 연결된 많은 수의 단순 조를 가지는 처리기로 구성된다. 이런 셀룰러 병렬 처리기틀에 반드시 수반되는 문제가 재구현(Reconfiguration)으로 세가지 유형을 정의할 수 있는데 본 논문에서는 이 세가지 재구현 문제, 즉 결함 허용 재구현(Fault-Tolerant Reconfiguration), 기능적 재구현(Functional Reconfiguration), 그리고 통합 재구현(Integrated Reconfiguration)에 대하여 논하였다. 본 논문은 결함 진단 및 검출(Fault Detection and Fault Location) 제어 방법, 구성(Configuration) 제어방법, 재구현의 수행 단계 등 결함 허용 재구현과 기능적 재구현시 필요한 여러 고려 사항을 분석 정리하고, 최근 제기된 결함 허용 재구현과 기능적 재구현의 일체화 문제 즉 통합 재구현 문제의 이해에 핵심적인 결할 허용 재구현과 기능적 재구현 사이의 관계를 밝혔으며, 통합 재 구현에 적합한 결할 진단 및 검출 제어 방법과 구성제어 방법에 대하여 논하였다.