ETRI Journal
- Volume 13 Issue 4
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- Pages.35-41
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- 1991
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- 1225-6463(pISSN)
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- 2233-7326(eISSN)
고집적 GaAs 디지틀 집접회로 제작을 위한 Self-aligned MESFET 공정
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Yang, Jeon-Uk
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Shim, Kyu-Hwan
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- Choi, Young-Kyu ;
- Cho, Lack-Hie ;
- Park, Chul-Soon ;
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Lee, Keong-Ho
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- Lee, Jin-Hee ;
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Cho, Kyoung-Ik
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Kang, Jin-Yeong
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- Lee, Yong-Tak
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양전욱
(화합물 재료기술 연구실)
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심규환
(화합물 재료기술 연구실)
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- 최영규 (화합물 재료기술 연구실) ;
- 조낙희 (화합물 재료기술 연구실) ;
- 박철순 (화합물 재료기술 연구실) ;
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이경호
(화합물 재료기술 연구실)
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- 이진희 (화합물소자 연구실) ;
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조경익
(화합물 재료기술 연구실)
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강진영
(화합물소자 연구실)
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- 이용탁 (화합물반도체 연구부)
- Published : 1991.12.31
Abstract
저전력 고집적 GaAs 디지틀 IC에 적합한 기본 논리회로인 DCFL (Direct Coupled FET Logic) 을 구현하기 위한 소자로 WSi게이트 MESFET 공정을 연구하였으며, 이와 함께 TiPtAu 게이트 소자를 제작하였다. MESFET 의 제작은 내열성게이트를 이용한 자기정렬 이온주입 공정을 사용하였으며 주입된 Si 이온은 급속열처리 방법으로 활성화하였다. 또한 제작공정중 저항성 접촉의 형성은 절연막을 이용한 리프트 - 오프 공정을 이용하였다. 제작된 WSi게이트 MESFET은
Keywords