• 한국언론정보학보
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• 제34권
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• pp.34-62
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• 2006

21세기 정보사회의 지구적 거버넌스를 구축하고자 했던 '정보사회 세계정상회의(WSIS)'가 2003년 제노바에서, 2005년 튀니스에서 개최됐다. WSIS는 세계 각 나라의 정부를 비롯해, 민간영역, 시민사회, 국제기구들이 한 자리에 모여 '지구적 정보사회(global information society)'를 위한 국제질서를 수립하고자 하는 시도였다는 점에서 의미를 갖는다. 이에 본 연구는 WSIS가 제시하는 정보사회와 정보질서의 패러다임을 살펴보고 있다. 이를 위해, WSIS의 역사적, 국제질서적 맥락을 살펴보고 있으며, 나아가 WSIS가 제시한 의제들을 검토하고 있다. 그 결과, WSIS가 새로운 지구적 거버넌스 구축을 국제사회의 모든 이해당사자들의 조율 속에서 진행했다는 점, 그리고 이러한 과정에서 개발도상국들의 이해를 점진적으로 반영했다는 점에서 긍정적으로 평가된다. 또한, 정보질서를 위한 국제사회의 중재자로 국제전기통신연맹(ITU)의 역할이 부각되었다는 점 역시 주목할 부분이다. 하지만, 정보통신기술(ICT)을 주요 수단으로 삼아 인간중심의 포괄적인 정보사회의 비전을 제시하고자 했던 WSIS의 논의는 자칫 장미빛 미래와 과도한 기술결정론에 치우칠 우려를 보여준다. 나아가, 본 논문은 WSIS 논의가 신자유주의적 질서에 입각해 있는 현재의 정치경제학적 맥락의 결여로 인해 논의의 결과인 핵심원칙들과 행동계획을 흐리게 할 수 있음을 지적한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.134-134
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• 2011

High-k dielectric materials such as $HfO_2$, $ZrO_2$ and $Al_2O_3$ increase gate capacitance and reduce gate leakage current in MOSFET structures. This behavior suggests that high-k materials will be promise candidates to substitute as a tunnel barrier. Furthermore, stack structure of low-k and high-k tunnel barrier named variable oxide thickness (VARIOT) is more efficient.[1] In this study, we fabricated the $WSi_2$ nanocrystals nonvolatile memory device with $SiO_2/HfO_2/Al_2O_3$ tunnel layer. The $WSi_2$ nano-floating gate capacitors were fabricated on p-type Si (100) wafers. After wafer cleaning, the phosphorus in-situ doped poly-Si layer with a thickness of 100 nm was deposited on isolated active region to confine source and drain. Then, on the gate region defined by using reactive ion etching, the barrier engineered multi-stack tunnel layers of $SiO_2/HfO_2/Al_2O_3$ (2 nm/1 nm/3 nm) were deposited the gate region on Si substrate by using atomic layer deposition. To fabricate $WSi_2$ nanocrystals, the ultrathin $WSi_2$ film with a thickness of 3-4 nm was deposited on the multi-stack tunnel layer by using direct current magnetron sputtering system [2]. Subsequently, the first post annealing process was carried out at $900^{\circ}C$ for 1 min by using rapid thermal annealing system in nitrogen gas ambient. The 15-nm-thick $SiO_2$ control layer was deposited by using ultra-high vacuum magnetron sputtering. For $SiO_2$ layer density, the second post annealing process was carried out at $900^{\circ}C$ for 30 seconds by using rapid thermal annealing system in nitrogen gas ambient. The aluminum gate electrodes of 200-nm thickness were formed by thermal evaporation. The electrical properties of devices were measured by using a HP 4156A precision semiconductor parameter analyzer with HP 41501A pulse generator, an Agillent 81104A 80MHz pulse/pattern generator and an Agillent E5250A low leakage switch mainframe. We will discuss the electrical properties for application next generation non-volatile memory device.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2006년도 추계학술대회 논문집
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• pp.5-6
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• 2006

• 제어로봇시스템학회논문지
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• 제17권3호
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• pp.248-253
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• 2011

This paper proposes the robust matching algorithm for optical images obtained by WSI(White-light Scanning Interferometer) machine. The matching algorithms are divided by two part according to the matching points: algorithm whether the matching points between two images exist or not. Also, after matching the images, we propose the algorithm to smooth the matched image. Finally, we show the effectiveness and feasibility of the proposed method through some experiments.

• Journal of Biosystems Engineering
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• 제30권1호
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• pp.8-16
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• 2005

The extrusion-cooking condition on Cordyceps pruinosa was designed using twin-screw extruder. Response surface methodology (RSM) was used to investigate extrusion-cooking using a central composition design with varying die temperature $(114-146^{\circ}C)$, feed moisture $(22-38\%)$, feed rate (4-14 ka/h) and screw speed (120-280 rpm). System parameters (die pressure and specific mechanical energy (SME)) and extrudate parameters (density and water solubility index (WSI)) were statically analyzed using RSH. Die pressure was significantly affected by temperature, moisture contents and feed rate. SM was affected by screw speed and feed rate. When die temperature is $130^{\circ}C$ and moisture content $25\%$, the optimum pressure is shown. SME is about 20 Wh/kg, when feed rate is $10\~12kg/min$ and screw speed $200\~250rpm$. WSI was affected by temperature and moisture contents. Density was not affected by any factor. WSI increases by $7\%$ from about $23\%$ to about $30\%$, as temperature is raised from $120^{\circ}C\;to\;140^{\circ}C$. The WSI of Cordyceps pruinosa pulverized after extruding (PE) is about $26.97\%$ higher than that of raw material and $10\%$ higher than that of pulverized after drying (PD). The content of unsaturated fatty acid were not significantly different in PD and PE. Anti-oxidative activity of PE was 1.67-2.2 times higher than that of PD in Cordyceps pruinosa using 1- dipheny1-2-picrylhydrazyl method (DPPH).

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.193-193
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• 2010

서로 다른 유전 물질을 이용하여 다층구조의 터널장벽을 이용하여 비휘발성 메모리 소자의 동작 특성 및 전하보존 특성을 향상시킬 수 있음이 보고되었다.[1-3] 본 연구에서는 $SiO_2/Si_3N_4/SiO_2$구조의 다층 구조의 터널 장벽을 이용하여 $WSi_2$ 나노 입자 비휘발성 메모리 소자를 제작하였다. P-형 Si 기판에 100 nm 두께의 Poly-Si 박막을 증착시켜 소스, 드레인 및 게이트 영역을 포토 리소그래피를 이용하여 형성하였다. $SiO_2/Si_3N_4/SiO_2$(ONO) 터널장벽은 CVD (chemical vapor deposition) 장치로 각각 2 nm, 2 nm 와 3 nm 두께로 형성하였으며, 그 위에 $WSi_2$ 박막을 3~4 nm 마그내트론 스퍼터링 방법으로 증착하였다. ONO 터널 장벽구조 위에 $WSi_2$나노입자를 형성시키기 위해, $N_2$분위기에서 급속열처리 방법을 이용하여 $900^{\circ}C$에서 1분간 열처리를 하였다. 마지막으로 20 nm 두께의 컨트롤 절연막을 초고진공 스퍼터를 이용하여 증착하고, Al 박막을 200 nm 두께로 증착하였다. 여기서. 제작된 메모리 소자의 게이트 길이와 선폭은 모두 $10\;{\mu}m$ 이다. 비휘발성 메모리 소자의 전기적 특성은 HP 4156A 반도체 파라미터 장비, Agilent 81104 A 80MHz 펄스/패턴 발생기를 이용하였다. 또한 전하 저장 터널링 메커니즘과, 전하누설의 원인을 분석하고 소자의 열적 안정성을 확인하기 위하여 $25^{\circ}C$ 에서 $125^{\circ}C$ 로 온도를 변화시켜 외부로 방출되는 전하의 활성화 에너지를 확인하여 누설근원을 확인하였다.

• 대한화학회지
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• 제38권7호
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• pp.473-479
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• 1994

저압 화학 기상 증착법을 사용하여 $WF_6$의 환원반응으로 텅스텐 박막을 p형 실리콘 (100)표면위에 증착하였다. Cold-wall조건에서는 실리콘 기판과 $SiH_4$를 각각 이용하여 $WF_6$를 환원시켜 텅스텐 박막을 증착하였으며 hot-wall 조건에서는 $WF_6$를 $SiH_4$로 환원시켜 증착하였다. 박막의 결정구조는 어느 조건에서나 체심입방구조를 이루었으며, 증착조건에 따른 박막의 물리적 및 전기적 특성을 조사하였다. 증착된 박막을 온도 $800^{\circ}C$에서 열처리한 결과 hot-wall 조건의 박막이 $WSi_2$로 변화하였다. Hot-wall과 cold-wall조건에서의 박막을 분석한 결과 박막의 특성은 cold-wall조건이 우수하나 hot-wall조건에서는 열처리 방법에 의하여 실리콘 기판과 적합성이 우수한 것으로 알려진 $WSi_2$ 박막의 제조가 가능함을 알 수 있었다.

• Applied Microscopy
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• 제51권
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• pp.4.1-4.12
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• 2021

Fluorescence in situ hybridization (FISH) is a technique to visualize specific DNA/RNA sequences within the cell nuclei and provide the presence, location and structural integrity of genes on chromosomes. A confocal Whole Slide Imaging (WSI) scanner technology has superior depth resolution compared to wide-field fluorescence imaging. Confocal WSI has the ability to perform serial optical sections with specimen imaging, which is critical for 3D tissue reconstruction for volumetric spatial analysis. The standard clinical manual scoring for FISH is labor-intensive, time-consuming and subjective. Application of multi-gene FISH analysis alongside 3D imaging, significantly increase the level of complexity required for an accurate 3D analysis. Therefore, the purpose of this study is to establish automated 3D FISH scoring for z-stack images from confocal WSI scanner. The algorithm and the application we developed, SHIMARIS PAFQ, successfully employs 3D calculations for clear individual cell nuclei segmentation, gene signals detection and distribution of break-apart probes signal patterns, including standard break-apart, and variant patterns due to truncation, and deletion, etc. The analysis was accurate and precise when compared with ground truth clinical manual counting and scoring reported in ten lymphoma and solid tumors cases. The algorithm and the application we developed, SHIMARIS PAFQ, is objective and more efficient than the conventional procedure. It enables the automated counting of more nuclei, precisely detecting additional abnormal signal variations in nuclei patterns and analyzes gigabyte multi-layer stacking imaging data of tissue samples from patients. Currently, we are developing a deep learning algorithm for automated tumor area detection to be integrated with SHIMARIS PAFQ.

• 한국식품과학회지
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• 제31권2호
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• pp.564-567
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• 1999

유색미의 호화특성을 구명하고자 유색미를 품종별로 수집하여 아밀로오스 함량, 아밀로그래프 특성, gel consistency 등을 조사하였다. 아밀로오스 함량은 유색미가 일반현미에 비하여 낮은 값을 나타내었고 그 중에서도 상해향혈나는 5.5%로 매우 낮은 값을 나타내었다. Gel consistency는 적미, 일반현미에 비하여 흑미에서 현저하게 높았고 특히 상해향혈아가 가장 높았다. WAI는 각 시료간의 차이가 거의 없었으며 WSI는 적미<일반현미<흑미의 순으로 높은 경향을 나타내었다. 아밀로그래프 특성을 조사한 결과 최고 점도는 적미가 가장 높았고 다음은 일반현미였으며 흑미가 가장 낮은 값을 나타내었고 그 중에서도 상해향혈나가 가장 낮았다.

• 한국결정성장학회지
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• 제30권5호
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• pp.200-207
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• 2020

SHS 법으로 MoSi₂ 분말, (Mo_1/2W_1/2)Si₂ 분말 및 WSi₂ 분말을 합성하고 이 분말들을 500℃, 1,000℃, 1,200℃, 1,300℃, 1,400℃, 1,500℃ 및 1,600℃에서 열처리한 다음, 결정구조 및 열중량 변화 등을 관찰하였다. Mo-W-Si계의 silicide 분말은 500℃의 저온에서도 산화 반응이 일어나며, 저온 산화 및 분해로 생성되는 결정상은 MoO₃이었다. 1,200℃ 이상에서 열처리를 한 경우에 분해반응으로 생성된 SiO₂의 결정상은 상온에서 흔히 관찰되는 α-quartz가 아닌 α-cristobalite 상으로 생성되었다. W이 포함되면 저온과 고온에서 분해 반응이 더 많이 일어나는 것으로 나타났으며, 분말을 성형하여 소결한 시편의 경우에 MoSi₂와 (Mo_1/2W_1/2)Si₂는 저온이나 고온에서 1시간 열처리를 하더라도 저온산화에 의한 분해와 그에 따른 질량 변화 반응을 관찰하기 어려웠지만 WSi₂는 저온 산화에 의하여 소결 자체가 어려웠다.