• 한국식품영양과학회지
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• 제32권8호
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• pp.1270-1277
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• 2003

두유박과 옥분 혼합물의 압출성형물을 제조하기 위한 공정 조건의 위하여 스크류 속도 150∼250 rpm, 혼합물의 수분함량 20∼30%, 온도 100∼15$0^{\circ}C$의 조건에서 압출 성형하고, 반응표면분석법 (RSM)을 이용하여 최적 조건을 분석하였다. 공정 조건에 따른 팽화율에서는 스크류 속도가 높고 수분함량이 낮을수록 팽화가 크게 일어났고, 수분함량이 많을수록 용적 밀도를 높이는 것으로 나타났다. 절단강도의 경우 수분 함량에 따라 감소하다 증가하는 추세를 보여주었고, WSI는 스크류 속도와 수분함량에 WAI는 수분함량과 온도에 많은 영향을 받았다. 색도에서는 b＊ 값을 제외하고는 유의적인 차이를 보이지 않았다. 각 조건별 실험결과를 반응표면분석을 한 결과 팽화율과 용적 밀도, WSI, b＊ 값은 linear모델로 결정되었고, 절단강도와 WAI는 quadratic 모델이 유의성을 나타내었다. 압출 성형 공정의 최적화는 결정된 반응식과 반응표면 그래프를 이용한 결과 수치 최적화에서는 스크류 속도 250 rpm, 수분함량 22.43%, 온도 128.16$^{\circ}C$이었고, 모형적 최적화에서는 desirability가 0.727인 스크류 속도 250 rpm, 수분함량 22.43%, 온도 128.02$^{\circ}C$로 결정되었다.

• 한국분말야금학회:학술대회논문집
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• 한국분말야금학회 2004년도 춘계학술강연 및 발표대회 강연 및 발표논문 초록집
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• pp.34-35
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• 2004

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1998년도 IUMRS-ICEM ABSTRACT BOOK
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• pp.94.3-94
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• 1998

• 한국식품과학회지
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• 제45권4호
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• pp.473-477
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• 2013

혼합디자인에 의해 설정된 조건하에서 압출성형한 율무와 밀가루의 압출성형물은 율무 첨가에 대해 여러 반응 요인들이 압출성형물의 특성에 영향을 끼치는 것으로 나타났다. 실험조건은 율무 함량 5-75%, 밀가루 25-95%로 결정하였으며, 수분함량은 20.55%로 고정하여 modified distance based mixture design으로 실험설계 및 분석하였다. Bending 파손강도, WAI, a값 등은 유의성이 없는 것으로 나타났으나, 팽화물의 직경, WSI, L값, b값은 율무와 밀가루의 혼합에 의해 유의성이 존재하는 것으로 나타났다. 팽화물의 직경, L값, b값은 선형 모델로 분석할 수 있었으나 WSI는 quadratic 모델로만 설정이 가능한 것으로 나타났다. 율무의 함량이 많아질수록 외관적으로 팽창되어지는 정도가 적어졌으며, 색상도 어두워지는 것으로 나타났다. 율무의 함량이 증가할수록 L값은 77.84에서 72.73, a값은 1.37에서 1.77로, b값은 19.42에서 17.64로 이동되었다. WSI는 율무와 밀가루가 40%:60%로 혼합되어 압출성형되었을 때 가장 낮게 나타났으며, WAI는 율무와 밀가루 혼합 비율에 대해서는 유의성이 없는 것으로 나타났다. 혼합디자인 계획법은 시리얼류 제품 생산에 적합한 조직 형성과 반응량에 유의한 영향을 미치는 요인 등에 대해 적절한 혼합 비율과 가공 조건 등을 제시할 수 있음을 알 수 있었다. Modified distance based mixture design에 의해, 일반 시중 제품과 유사한 조직감을 나타낼 수 있는 율무와 밀가루, 물의 적정 배합 비율은 60.12:19.42:20.46으로 나타났다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제52권4호
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• pp.173-178
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• 2003

In this paper, we studied the physical and electrical characteristics of $\textrm{WSi}_{x}$ thin film with respect to the adoption of the DCS (dichlorosiliane) post flow and the variation of deposition temperature. XRD measurements show that as deposited thin film has a hexagonal structure regardless of deposition Process. However, we find that the phase of thin film has changed to a tetragonal structure after the heat treatment at $680^{\circ}C$. Adoption of DCS post flow and increment of deposition temperature result in the increments of Si/W composition ratio. These conditions also result in the increment of sheet resistance by the amount 3.0~4.2$\Omega$/$\square$, but give the tendency in the decrement of stress by 0.27~0.3 E10dyne/$\textrm{cm}^2$. We also find that the contact resistance of word line and bit line interconnection was decreased by the amount 5.33~16.43$\mu$$\Omega$-$\textrm{cm}^2$, when applying DCS post flow and increasing deposition temperature.

• Mass Spectrometry Letters
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• 제3권1호
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• pp.18-20
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• 2012

We report observation of laser desorption/ionization (LDI) of peptides from flat surfaces of tungsten silicide ($WSi_2$). In contrast to MALDI (matrix-assisted laser desorption/ionization) and SALDI (surface-assisted laser desorption/ionization) mass spectrometry, this study did not utilize any matrices and surface nanostructures. In this work, LDI on $WSi_2$ surfaces is demonstrated to cover a mass range up to 1,600 Da (somatostatin; monoisotopic mass = 1637.9 Da). In addition, it exhibited a high sensitivity, which could detect peptides, which could detect peptides of low femtomole levels (20 fmol for angiotensin II). The observed LDI process was discussed to be largely thermal, more specifically, due to laser-induced surface heating that is most likely promoted by the low thermal diffusivity (${\kappa}$) of $WSi_2$ substrate.

• 한국정밀공학회지
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• 제30권7호
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• pp.702-708
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• 2013

The white-light scanning interferometer (WSI) is an effective optical measurement system for high-precision industries (e.g., flat-panel display and electronics packaging manufacturers) and semiconductor manufacturing industries. Its major disadvantages include a slow image-capturing speed for interferogram acquisition and a high computational cost for peak-detection on the acquired interferogram. Here, a WSI system is proposed for the semiconductor inspection process. The new imaging acquisition technique uses an 'on-the-fly' imaging system. During the vertical scanning motion of the WSI, interference fringe images are sequentially acquired at a series of pre-defined lens positions, without conventional stepwise motions. To reduce the calculation time, a parallel computing method is used to link multiple personal computers (PCs). Experiments were performed to evaluate the proposed high-speed WSI system.

• 한국표면공학회지
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• 제29권1호
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• pp.3-14
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• 1996

High temperature anneal of W-rich silicides, inferior to adherence compared with Si-rich silicides, resulted in the film peeling off from the Si-substrate when WSix thickness reached more than critical thickness. Investigation of the W-rich silicide films peeling off from the substrate revealed that the voids underneath the $WSi_2$ produced through silicide reaction were responsible for the poor adherence of W-rich silicide. In addition, internal stress in the film increased as the silicide thickness increased. In order to promote the adhesion of WSix to Si-substrate, thin Ti-layer was formed between WSi and Si-substrate(WSix/Ti/Si). No voids were observed in $WSi_2$/Ti/Si $N_2$-annealed at $1000^{\circ}C$, thereby leading to an increase of the critical thickness from ～1700$\AA$ to more than 2500$\AA$. However, higher resisiti-vity was obtained in WSix/Ti/Si than in WSix/Si. Finally, different silicide reaction mechanism for the structures(WSix/Si, WSix/Ti/Si) was proposed to explain the formation of voids as well as the role of thin Ti-layer.

• 한국식품저장유통학회:학술대회논문집
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• 한국식품저장유통학회 2003년도 제23차 추계총회 및 국제학술심포지움
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• pp.221.1-221
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• 2003

습식쌀가루는 침지 후 롤밀(Roll mill)로 분쇄 후 건조하여 휘츠밀(Fitz Mill)로 분쇄하여 제조하였으며 건식쌀가루는 Roll mill, Fitz Mill, 볼밀(Ball mill)의 입자 크기별로 만들어 쌀가루의 특성을 검토하였다. 건식쌀가루의 경우 제분공정의 횟수가 증가할수록 자기가 증가됨을 나타내었고 a값과 b값의 감소를 나타내었다. 습식은 건식에 비해 유의적으로 높은 자기를 나타내었고 건식과 마찬가지로 제분공정이 길어질수록 같은 색도 양상을 나타내었다. 각 입자크기에 따른 색도는 습식이 더높은 밝기 값을 나타내었다. 제조공정별 단계에 따른 수분흡수지수(WAI) 및 수분용해지수(WSI)의 값은 건식, 습식 모두 roll mill < Fitz mill < Ball mill 순으로 높은 값을 나타냈고, 물에 침지되어 침출액이 제거된 습식쌀가루의 WAI, WSI는 건식쌀가루보다 낮은 값을 나타내었다. 입자크기에 따른 건식쌀가루의 WAI, WSI의값은 입자가 작을수록 높은 값을 나타낸 반면 습식쌀가루의 WAS의 값은 80-100Mesh의 입자에서 가장 높은 값을 나타냈었고, 100-140Mesh이후로는 WAS의 값이 감소 한 반면 WSI의 값은 입자가 작을수록 높은 값을 나타내었다. 호화양상은 습식쌀가루가 호화엔탈피 (ΔH)의 값이 높게 나타났으며 제분방법의 횟수가 증가할수록 전분손상도가 증가됨을 나타내었다.

• 전자공학회논문지D
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• 제34D권6호
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• pp.43-49
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• 1997

Tungsten poycide has studied gate oxide reliability and dielectric strength charactristics as the composition of gate electrode which applied submicron on CMOS and MOS device for optimizing gate electrode resistivity. The gate oxide reliability has been tested using the TDDB(time dependent dielectric breakdwon) and SCTDDB (stepped current TDDB) and corelation between polysilicon and WSi$_{2}$ layer. iN the case of high intrinsic reliability and good breakdown chracteristics on polysilicon, confirmed that tungsten polycide layer is a better reliabilify properities than polysilicon layer. Also, hole trap is detected on the polysilicon structure meanwhile electron trap is detected on polycide structure. In the case of electron trap, the WSi$_{2}$ layer is larger interface trap genration than polysilicon on large POCL$_{3}$ doping time and high POCL$_{3}$ doping temperature condition. WSi$_{2}$ layer's leakage current is less than 1 order and dielectric strength is a larger than 2MV/cm.