• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2000년도 춘계총회,특별강연,심포지움,연구발표회
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• pp.97.2-97.2
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• 2000

• 한국세라믹학회지
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• 제35권3호
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• pp.259-263
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• 1998

WSi2/CVD-Si/SiO2/Si-substrate의 폴리사이드 구조에서 실리콘 증착 POCl3 확산 그리고 WSi2 증착 유무에 따른 Thin oxide 특성을 연구했다 WSi2 막을 증착하지 않은 CVD-Si/SiO2/Si-substrate 구조에서 CVD-Si을 po-lycrystalline-Si으로 증착한 시편이 amorphous-Si을 증착한 시편보다 산화막 불량이 적다 WSi2 를 증착시킨 WSi2/CVD-Si/SiO2./Si-substrate의 구조에서 CVD-Si의 polycrystalline-Si 혹든 amorphous-Si 의 막 증착에 따른 thin oxide의 불량율 차이는 미미하다 산화막 불량은 CVD-Si에 확산시킨 인(P) 증가 즉 면저항(sheet resistance) 감소로 증가한다. Thin oxide의 절연특성은 WSi2 증착으로 저하된다 WSi2 증착으로 산화막 두께는 증가하나 막 특성은 열등해져 산화막 절연성이 떨어진다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제3권4호
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• pp.263-270
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• 1990

WSi$_{x}$박막을 Polycide구조로 저압화학증착법에 의해 제작한 후, 열처리를 N$_{2}$분위기에서 30분간 여러온도로 수행하였다. WSi$_{x}$박막의 전기비저항은 열처리온도의 증가에 따라 감소하였으며 1000.deg.C이상으로 열처리한 시편의 경우, 하부 다결정실리콘층의 도우핑여부에 관계없이 35.mu.m.OMEGA.-cm 정도를 나타내었다. 560.deg.C의 열처리에서 WSi$_{x}$박막은 정방정의 WSi$_{2}$ 결정질로 결정화가 되기 시작하였고 열처리온도의 증가에 따라 WSi$_{2}$결정립의 성장도 관찰되었다. 열처리온도에 따른 전기저항의 변화는 WSi$_{x}$박막의 결정립크기와 밀접한 관계가 있었다. 증착된 WSi$_{x}$박막내의 광잉실리콘원자들이 열처리중에 하부의 다결정실리콘층으로 재분배됨을 AES분석에 의해 확인하였다. Hall 측정결과 900.deg.C이상으로 열처리된 시편은 Hole도전체의 거동을 나타내었고 800.deg.C이하로 열처리된 시편은 electron도전체의 거동을 나타내었다.

• 한국진공학회지
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• 제5권4호
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• pp.327-332
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• 1996

Tungsten(W) polycide gate 구조에서 $WSi_x$의 두께가 증가하면 열처리 공정 후 Gate oxide의 두께가 증가하며, 전기적 신뢰도가 열화 되는 현상이 발생한다. 이러한 특성 열화를 일으키는 지배적인 요인은 $WSi_x$ 증착 공정 중 유입되어 후속 열 공정에 의하여 gate oxide로 환산되는 fluorine인 것으로 밝혀졌다. 이러한 현상을 규명하기 위하여 fluorine ion implantation된 poly Si과의 특성을 비교하였으며, SIMS 및 단면 TEM을 이용한 미세 구조 연구를 실시하였다. 그러나 $WSi_x$의 두께가 600$\AA$ 이상부터는이러한 특성 열화가 포화되는 현상이 관찰되었다. 600$\AA$ 이상의 $WSi_x$ 두께에서는 미세 구조가 표면이 거칠고, porous한 phase로 구성된 상부 구조와 비교적 dense하고, 매끈한 계면 상태를 갖는 하부 구조로 이루어졌으며, porous한 표면 부위는 후속 열공정 중 oxygen-rich한 phase로 변하여 fluorine을 포획하여 oxide로의 확산을 억제하여 특성 열화가 포화되는 것으로 해석되었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제30권1호
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• pp.55-61
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• 1993

In the WSi2/CVD-Si/SiO2 polycide structure, electrode resistance and its property were studied as a function of deposition temperature and thickness of CVD-Si, diffusion condition of POCl3, and WSi2 being deposited or not. Resistivity of poly-Si is decreased with increment of thickness in the case of POCl3 diffusion of low sheet resistance, but it is increased in the case of high sheet resistance. The resistivity of amorphous-Si is generally lower than that of poly-Si. Initial sheet resistance of poly-Si/WSi2 gate electrode is affected by the thickness and resistance of poly-Si layer, but final resistance after anneal, 900$^{\circ}C$/30min/N2, is only determined by WSi2 layer. Flourine diffuses into SiO2, but tungsten does not. In spite of out-diffusion of phosphorus into WSi2 layer, the sheet resistance is not changed.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2002년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.195-198
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• 2002

Demand for high precision measurement of large area is increasing in many industrial fields. White-light Scanning Interferometer(WSI) is a well-known method for 3D profile measurement. However WSI has some limitations in a measurement range because of the sensing mechanism. Therefore, in this paper we use a heterodyne laser interferometer to get over the limitations of a short measurement range in WSI, We suggest a new WSI system combined with heterodyne laser interferometer. This system is aimed at eliminating Abbe error with measuring the focus point directly. With the use of triggering functionality of WSI, we can use this system as a probe of a precision stage such as a probe of CMM. The suggested system gives a repeatability of 87 nm in the absolute distance measurement test under the laboratory environment.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1990년도 추계학술대회 논문집
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• pp.81-85
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• 1990

$WSi_{x}$ film deposited on p+ polysilicon by low pressure chemical vapor deposition method were annealed by rapid thermal process, their properties have been investigated by measurements of electrical resistivity and Hall voltage and by analyses of phases and microstructure using X-ray diffraction and SEM technique. The electrical resistivity of the polycides consisting of the tungsten silicide and the p+ polysilicon decreases with the increase in annealing temperature due probably to the increase in grain size. unlike the polycides consisting of the $WSi_{x}$ and n+ polysilicon, however, the Hall voltage of the polycides consisting of $WSi_{x}$ and p+ polysilicon were positive for all specimens annealed as well as the as-deposited one, indicating the majority carrier in $WSi_{x}$. is hole and is independent of the annealing.

• 한국재료학회지
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• 제14권6호
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• pp.402-406
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• 2004

$WSi_2$, $TiSi_2$, $CoSi_2$, and $TaSi_2$ are general silicides used today in semiconductor devices. $WSi_2$ thin films have been proposed, studied and used recently in CMOS technology extensively to reduce sheet resistance of polysilicon and $n^{+}$ region. However, there are several serious problems encountered because $WSi_2$ is oxidized and forms a native oxide layer at the interface between $WSi_2$ and $Si_3$$N_4$. In this study, we have introduced 20 $slm-N_2$ gas from top to bottom of the furnace in order to control native oxide films between $WSi_2$ and $Si_3$$N_4$ film. In resulting SEM photographs, we have observed that the native oxide films at the surface of $WSi_2$ film are removed using the long injector system.

• 한국관개배수논문집
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• 제4권2호
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• pp.48-61
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• 1997

Drought index calculation method using principal hydrological factors, such as precipitation amount and reservoir storage ratio, can estimate the duration and the intensity of drought. It is not easy to establish an universal criteria of drought, since th

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.64-67
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• 2000

Tungsten silicide(WSi$_2$) is proposed for the alternate gate electrode of ULSI MOS devices. Good structural property and low resistivity of WSi$_2$ deposited by a low pressure chemical vapor deposition(LPCVD) method directly on SiO$_2$ is obtained after annealing. Especially, WSi$_2$-SiO2 interface remains flat after annealing tungsten silicide at high temperature. Electrical characteristics of annealed WSi$_2$-SiO$_2$-Si(MOS) capacitors were improved in view of charge trapping.