• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 춘계학술대회 논문집 반도체 재료 센서 박막재료 전자세라믹스
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• pp.89-92
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• 2004

Chemical mechanical polishing (CMP) process has been widely used to planarize dielectric layers, which can be applied to the integrated circuits for sub-micron technology. Despite the increased use of CMP process, it is difficult to accomplish the global planarization of in the defect-free inter-level dielectrics (ILD). we investigated the performance of $WO_3$ CMP used silica slurry, ceria slurry, tungsten slurry. In this paper, the effects of addition oxidizer on the $WO_3$ CMP characteristics were investigated to obtain the higher removal rate and lower non-uniformity.

• 한국결정학회지
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• 제10권2호
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• pp.110-113
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• 1999

x의 범위가 0.5

• 한국진공학회지
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• 제5권4호
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• pp.365-370
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• 1996

전기적 착색 텅스텐 산화물박막의 전자비임 증착으로 제작하였으며 제작된 막의 화학적 안정성의 기판온도 의존성을 연구하였다. 실험결과로부터, 제작된 시료의 광학적 특성과 화학적 안정성은 강하게 기판온도에 의존하였다. 기판온도 $80^{\circ}C$에서 제작된 $WO_3$막은 유기성 용액 0.6몰 $LiClO_4$속에서 착색과 탈색이 반복되어도 가장 안정하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1997년도 추계학술대회 논문집
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• pp.339-342
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• 1997

The optical properties of WO$_3$thin films deposited by RF magnetron reactive sputtering were studied. The substrate was an ITO(indium-tin-oxide) glass(100$\Omega$/ ). The optical properties are examined by different deposition conditions. RF power, substrate temperature, $O_2$concentraction. Ar flow rate, working pressure and thickness are 40~60W, 25~30$0^{\circ}C$, 10%, 54~72sccm, 5~20m7orr and 1200~2400$\AA$, respectively. All these films were colorless, light yellow and found to be amorphous in structure by X-ray diffraction analysis. When RF power, substrate temperature, $O_2$concentraction, Ar flow rate, working pressure and thickness are 40W, $25^{\circ}C$, 10%, 72sccm, 20mTorr and 2400$\AA$, respectively the values of transmittance of the WO$_3$thin films in visible region are about 80%.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.1
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• pp.313-316
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• 2004

Chemical mechanical polishing(CMP) process has been widely used to planarize dielectric layers, which can be applied to the integrated circuits for sub-micron technology. Despite the increased use of CMP process, it is difficult to accomplish the global planarization of in the defect-free inter-level dielectrics(ILD). we investigated the performance of $WO_3$ CMP used silica slurry, ceria slurry, tungsten slurry In this paper, the effects of addition oxidizer on the $WO_3$ CMP characteristics were investigated to obtain the higher removal rate and lower non-uniformity.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 추계학술대회 논문집 Vol.16
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• pp.188-191
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• 2003

Chemical mechanical polishing (CMP) process has been widely used to planarize dielectric layers, which can be applied to the integrated circuits for sub-micron technology. Despite the increased use of CMP process, it is difficult to accomplish the global planarization of in the defect-free inter-level dielectrics (ILD). we investigated the performance of $WO_3$ CMP used silica slurry, ceria slurry, tungsten slurry. In this paper, the effects of addition oxidizer on the $WO_3$ CMP characteristics were investigated to obtain the higher removal rate and lower non-uniformity.

• 자원리싸이클링
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• 제26권6호
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• pp.65-72
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• 2017

APT (Ammonium paratungstate)는 금속절단 공구, 드릴의 날, 광산공구, 군사무기 재료 등 산업 전반에 다양한 용도로 사용되며, 고순도의 APT(S)를 제조하기 위해서는 $Na_2WO_4$ 수용액으로부터 전환된 $H_2WO_4$ 내의 불순물 정제 공정이 필요하다. 이미 널리 알려진 기존의 습식방법인 $Na_2WO_4$ 수용액에 HCl(Aq)을 첨가하여 $H_2WO_4(S)$을 제조하는 경우에는 불순물인 Na를 200 ppm 이하로 제거하는데 어려움이 있다. 이러한 점을 개선하기 위하여 본 연구에서는 양이온 격막을 이용한 전기투석 공정을 통해 Na를 제거하는 보다 경제적이고 효율적인 방법을 연구하였다. 폐 텅스텐 초경드릴 및 스크랩을 용해하기 위해 첨가되었던 $Na_2CO_3(S)$로 인한 $H_2WO_4$ 수용액 내의 다량의 Na를 전기투석 공정을 통해 20 ppm 이내로 제거함으로써 전기투석법 이용 시 Na 제거 효과가 큼을 확인하였다.

• 한국자기학회지
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• 제26권2호
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• pp.45-49
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• 2016

분광학적 분리인자 $g_{ij}$와 영자기장 갈라지기 상수 값 $B_k^q$ 값을 유효 스핀 하밀토니안에 사용하여, $PbWO_4$ : Gd 단결정 내의 정방정계 대칭성 자리에 위치하고 있는 $Gd^{3+}$ 상자성 불순물 이온(유효전자 스핀 S = 7/2)의 바닥상태에서의 에너지 준위를 계산하였다. 외부 자기장이 영일 경우의 $Gd^{3+}$ 이온의 영자기장 갈라지기 값은 $PbWO_4$ : Gd 단결정의 방향에 관계없이 모두 같았고, 이때 ${\mid{\pm}7/2}$ > ${\leftrightarrow}{\mid{\pm}5/2}$ >, ${\mid{\pm}5/2}$ > ${\leftrightarrow}{\mid{\pm}3/2}$ >, ${\mid{\pm}3/2}$ > ${\leftrightarrow}{\mid{\pm}1/2}$ > 전이 사이에서 계산된 에너지 간격은 각각, 6.9574 GHz, 6.9219 GHz, 15.8704 GHz이다. 결정학적 축에 대하여 외부 자기장을 가하는 방향에 따라서 서로 다른 에너지 준위 값을 나타내었다. 이중 외부자기장이 결정학적 주축 a- 및 c-축에 나란할 경우에 에너지 준위를 계산하여 논의하였다.

• 전기화학회지
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• 제14권3호
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• pp.125-130
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• 2011

본 연구에서는 텅스텐 금속박막을 $200^{\circ}C$에서부터 $600^{\circ}C$의 온도 구간에서 전열처리 (Preannealing) 한 후에, 빛의 조사 유무에 따라 양극산화를 진행하여 생성된 텅스텐 산화물의 표면과 두께에 대해 관찰하였다. 결과적으로 6시간의 동일한 반응시간 동안, $400^{\circ}C$에서 전열처리 한 후에 빛의 조사 없이 양극산화 하였을 때, $1.83{\mu}m$ 두께의 텅스텐 산화물을 제조할 수 있는 것을 발견하였다. 더욱이 전열처리를 하게 되면 더 두꺼운 산화물을 제조 할 수 있으나, 빛을 조사하게 되면 전열처리에 의해 생성된 산화물을 결정화시켜 오히려 산화물 성장에 방해가 되었다. 이러한 차이점에 대해 결정구조 및 메커니즘에 근거하여 설명하였다.

• Advances in Energy Research
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• 제5권1호
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• pp.13-29
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• 2017

The roles of Na, Mn, W and silica, and the synergistic effects between each metal in the $MnNa_2WO_4/SiO_2$ catalyst have been investigated for oxidative coupling of methane (OCM). The crystallisation of amorphous silica during calcination at $900^{\circ}C$ was promoted primarily by Na, but Mn and W also facilitated this process. The interaction between Na and Mn tended to increase the extent of conversion of $Mn_3O_4$ to $Mn_2O_3$. The formation of $Na_2WO_4$ was dependent on the order in which Na and W were introduced to the catalyst. The impregnation of W before Na resulted in the formation of $Na_2WO_4$, but this did not occur when the impregnation order was reversed. $MnWO_4$ formed in all cases where Mn and W were introduced into the silica support, regardless of the impregnation order; however, the formation of $MnWO_4$ was inhibited in the presence of Na. Of the prepared samples in which a single metal oxide was introduced to silica, only $Mn/SiO_2$ showed OCM activity with significant oxygen conversion, thus demonstrating the important role that Mn plays in promoting oxygen transfer in the reaction. The impregnation order of W and Na is critical for catalyst performance. The active site, which involves a combination of Na-Si-W-O, can be formed in situ when distorted $WO_4^{2-}$ interacts with silica during the crystallisation process facilitated by Na. This can only occur if the impregnation of W occurs before Na addition, or if the two components are introduced simultaneously.