• 한국전자파학회논문지
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• 제19권2호
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• pp.223-230
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• 2008

본 논문에서는 magneto-dielectric material을 이용하여 CRLH-TL 안테나를 소형화 시키는 방법을 제안하였다. 제안된 안테나는 patch와 via를 이용하여 구현한 mushroom 구조의 CRLH-TL 안테나에 SRR을 이용한 magneto-dielectric material을 장하한 구조이다. 시뮬레이션을 통해 SRR의 동작 특성을 살펴보았고, SRR을 이용하여 기판의 투자율 값을 증가시킬 수 있음을 확인하였다. 또한, magneto-dielectric material을 이용함으로써 CRLH-TL 안테나의 공진 주파수를 감소시킬 수 있음을 확인하였다. -1차 공진 모드에서 7.13 %, 0차 공진 모드에서 23.9 %의 주파수 감소 효과를 얻을 수 있었다. 0차 공진 모드에서 동작하는 안테나를 제작하여 반사 손실과 방사 패턴을 살펴보았다. 제작된 안테나의 동작 주파수는 1.888 GHz이며, 측정된 대역폭은 0.48 %이고, 이득은 0.534 dBi, 효율은 51.7 %이다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제48권7호
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• pp.30-36
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• 2011

많은 반도체 회사들이 메모리 층 사이에서 수직 버스의 역할을 하는 TSV를 사용한 3차원 메모리를 개발하고 있다. 3차원 메모리는 KGD로 이루어지며, 만약 추가 고장이 접합 공정 중에 발생한다면, 반드시 수리되어야 한다. 공유 예비 셀을 가지는 3차원 메모리의 수율을 증진시키기 위해서, 3차원 메모리 내의 메모리 다이를 효과적으로 적층하는 다이 매칭 방법이 필요하다. 본 논문에서는 공유 예비 셀을 가지는 3차원 메모리의 수율 증진을 위해 접합 공정에서 추가 고장이 발생하는 경우를 고려한 다이 매칭 방법을 제안한다. 세 가지 경계 제한 조건이 제안하는 다이 매칭 방법에서 사용된다. 이 조건은 3차원 메모리를 제작하기 위해 선택하는 메모리 다이의 검색 범위를 제한한다. 시뮬레이션 결과는 제안하는 다이 매칭 방법이 3차원 메모리의 수율을 크게 향상 시킬 수 있음을 보여 준다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제11권4호
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• pp.1-5
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• 2004

다층 연성기판은 높은 전기 전도성과 낮은 절연상수로 잘 알려진 구리와 폴리이미드로 구성되어 있다. 본 연구에서는 이러한 다층연성기판을 패턴된 스테인리스 스틸 위에 구리선을 전기도금하고 폴리이미드를 코팅함에 의해서 균일한 형태의 $5{\mu}m$-pitch의 전도선을 제조하는데 성공하였다. 또한, 다층기판 형성시 비아흘은 UV 레이저로 형성시켰으며 구리와 주석을 전기 도금함으로 이를 채웠다. 그런다음 비아와 전도선이 붙은 채로 스테인리스 스틸에서 벗겨냈다. 이렇게 형성된 각각의 층을 한번에 적층하여 다층연성기판을 완성하였다. 적층시 주석과 구리사이에 고체상태 반응(Solid state reaction)이 발생하여 $Cu_6Sn_5$ and $Cu_3Sn$을 형성하였으며 비아패드에 비아가 수직으로 위치한 완전한 형태의 층간 연결을 형성하였다. 이러한 비아 형성 공정은 V형태의 비아나 페이스트 비아와 비교할 때 좋은 전기적 특성, 저가공정등의 여러 장점을 가지고 있다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제15권3호
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• pp.258-264
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• 2004

본 논문에서는 40 ㎓ 대역 MMIC(Monolithic Microwave Intergrated Circuit) 이중평형 star 혼합기를 비아 공정이 있는 GaAs substrate(두께 4 mil)상에서 설계 및 제작, 측정하였다. 이중평형 star 혼합기를 구현하기 위해 발룬회로와 다이오드 설계가 필요했다. 발룬회로는 microstrip과 CPS(Coplanar Strip)를 이용하여 새로운 구조를 제안하여, 2 ㎓ 대역으로 주파수를 낮추어 새로운 구조의 발룬 성능을 PCB로 제작하여 확인한 바 있다. 이를 바탕으로 40 ㎓에서 MMIC 발룬을 설계하였다. 제안된 발룬은 비아 공정이 포함된 MMIC 회로에 적 합하며, 이중평형 혼합기 구현에 쉽게 적용 가능하다는 특징이 있다. 다이오드는 p-HEMT를 사용하는 밀리미터파 대역의 다른 MMIC 회로들과의 호환성을 고려하여, p-HEMT 공정을 기반으로 한 쇼트키 다이오드를 설계하였다. 이를 이용 제안한 발룬회로와 다이오드를 조합하여, 이중평형 star 혼합기를 구현하였다. 혼합기의 측정 결과 LO전력이 18 ㏈m일 때, 변환손실 약 30 ㏈를 얻었다. 이는 p-HEMT의 AlGaAs/InGaAs 층에 의한 다이오드 때문이며, p-HEMT구조에서 AlGaAs층을 식각하여 단일 접합 다이오드를 만들면 혼합기의 성능이 개선될 것으로 예상된다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제19권12호
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• pp.1402-1409
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• 2008

본 논문에서는 상대 유전율이 큰 low temperature co-fired ceramic 기판을 이용한 안테나의 복사 성능을 높이고, 대역폭을 개선하기 위하여 low temperature co-fired ceramic cavity backed 안테나가 제안된다. Low temperature co-fired ceramic cavity는 각 층의 접지면을 다수의 비어로 연결하여 만들어진다. 그리고, cavity의 크기가 안테나의 복사 성능과 대역폭 성능에 미치는 영향을 보여준다. 제안된 $2{\times}4$ low temperature co-fired ceramic cavity backed 안테나의 크기는 $10{\times}20\;mm^2$이며, $57{\sim}64\;GHz$ 대역에서 이득 $11.8{\sim}14.1\;dBi$, 대역폭 13 %(7.9 GHz)을 가진다. 측정 결과는 시뮬레이션 결과와 매우 잘 일치함을 보여준다.

• 대한기계학회논문집A
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• 제35권12호
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• pp.1563-1571
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• 2011

본 연구에서는 인간중이의 소리전달특성 계산을 위한 유한요소모델을 개발하였다. 이소골의 형상을 얻기 위하여 한국인 사체에서 추출한 측두골을 마이크로 CT 촬영하여 3 차원 입체모델로 변환하였다. 유한요소모델은 이소골, 고막, 인대와 근육 등을 포함하여 구성하였다. 유한요소모델을 이용하여 고막에서 등골족판까지의 응답함수를 계산한 후 측정값을 갖는 선행연구와 비교하였고 그 결과 10 kHz 주파수 대역까지 소리전달특성을 잘 표현하고 있음을 보였다. 또한 유한요소 모델을 구성하는 주요 물성인자의 변화에 대한 소리전달특성의 변화를 살피고 침등골관절의 강성값이 중이의 소리전달특성에 큰 영향을 미침을 보였다.

• 한국재료학회지
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• 제23권10호
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• pp.550-554
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• 2013

As continued scaling becomes increasingly difficult, 3D integration has emerged as a viable solution to achieve higher bandwidths and good power efficiency. 3D integration can be defined as a technology involving the stacking of multiple processed wafers containing integrated circuits on top of each other with vertical interconnects between the wafers. This type of 3D structure can improve performance levels, enable the integration of devices with incompatible process flows, and reduce form factors. Through silicon vias (TSVs), which directly connect stacked structures die-to-die, are an enabling technology for future 3D integrated systems. TSVs filled with copper using an electro-plating method are investigated in this study. DC and pulses are used as a current source for the electro-plating process as a means of via filling. A TiN barrier and Ru seed layers are deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) with thicknesses of 10 and 30 nm, respectively. All samples electroplated by the DC current showed defects, even with additives. However, the samples electroplated by the pulse current showed defect-free super-filled via structures. The optimized condition for defect-free bottom-up super-filling was established by adjusting the additive concentrations in the basic plating solution of copper sulfate. The optimized concentrations of JGB and SPS were found to be 10 and 20 ppm, respectively.

• ETRI Journal
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• 제39권6호
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• pp.866-873
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• 2017

We propose a multilayered-substrate-based power semiconductor discrete device package for a low switching loss and high heat dissipation. To verify the proposed package, cost-effective, low-temperature co-fired ceramic, multilayered substrates are used. A bare die is attached to an embedded cavity of the multilayered substrate. Because the height of the pad on the top plane of the die and the signal line on the substrate are the same, the length of the bond wires can be shortened. A large number of thermal vias with a high thermal conductivity are embedded in the multilayered substrate to increase the heat dissipation rate of the package. The packaged silicon carbide Schottky barrier diode satisfies the reliability testing of a high-temperature storage life and temperature humidity bias. At $175^{\circ}C$, the forward current is 7 A at a forward voltage of 1.13 V, and the reverse leakage current is below 100 lA up to a reverse voltage of 980 V. The measured maximum reverse current ($I_{RM}$), reverse recovery time ($T_{rr}$), and reverse recovery charge ($Q_{rr}$) are 2.4 A, 16.6 ns, and 19.92 nC, respectively, at a reverse voltage of 300 V and di/dt equal to $300A/{\mu}s$.

• Journal of Periodontal and Implant Science
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• 제31권3호
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• pp.501-511
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• 2001

Several indices have been developed that use bleeding and color changes as indicators of early gingival pathology. In the presence of gingivitis, vascular proliferation and reduction of keratinization owing to increase redness in gingiva. Descriptions of healthy gingiva are numerous, ranging from pale pink and coral pink to deep red and violet. This terms are not objective. Because of perception of color depends on a lot of factors such as light source, object, observer and so on. It is difficult to make an objective expression. Therefore the using of mechanical equipment is recommended to exclude these variables and observer's vias. The purpose of this study was to evaluate gingival color change after scaling & subgingival root planing. The other purpose of this study was to research the correlation of pocket depth, P.B.I. score and gingival color change. After photo-taking and storaging the image of gingival color into a computer, color change was examine with an image analysis program. Results were as follow; 1. Color of healed gingiva after scaling & subgingival root planing was significantly differ from color of inflamed gingiva(p<0.01). 2. Color of healed gingiva after scaling was similar to color of healed gingiva after subgingival root planing(p<0.05). 3. There was statistically significant correlation between color change of red component and pocket depth after scaling & subgingival root planing(p<0.01). 4. There was no correlation between color change of green, blue component and pocket depth after scaling & subgingival root planing(p<0.01). 5. There was statistically significant correlation between between color change of red component and P.B.I. score after scaling & subgingival root planing(p<0.01). 6. There was no correlation between color changes of green, blue component and P.B.I. score after scaling & subgingival root planing(p<0.01). 7. Increase of pocket depth and P.B.I. score were significantly correlated to the amount of color change(p<0.01). 8. P.B.I. score had a higher correlation with color change than pocket depth(p<0.01).

• 전자공학회논문지C
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• 제36C권9호
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• pp.28-43
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• 1999

본 논문에서는 다중칩 모듈 설계를 위한 gridless 배선 방법을 제안한다. 제안하는 배선 방법에서는 배선상태를 표현하기 위해 배선격자 (grid) 대신 corner stitching 자료구조를 사용함으로써 핀들의 위치 제한을 없애고, 네트의 특성에 맞는 와이어 폭을 선택할 수 있다. 또한 비아보다 그 폭이 작은 와이어들로 인해 남는 공간을 다른 네트의 배선에 이용하여 배선영역을 최대한 낭비 없이 이용한다. 배선격자를 사용하지 않는 배선방법은 배선격자를 기반으로 하는 배선 방법에 배해 복잡하고 어렵다. 더구나 다중칩 모듈과 같이 배선 영역이 크고 배선층의 갯수가 많은 배선 문제일 경우 배선 속도는 배선 가능성을 결정하는 중요한 요소가 된다. 그러나 제안하는 배선 방법은 빠른 속도가 증명된 SEGRA의 배선 알고리즘과 효율적인 자료구조의 특성을 적절히 이용함으로써 배선격자를 기반으로 하는 배선 방법 보다 빠른 속도와 그리 떨어지지 않는 배선 결과를 보인다.