• 제목/요약/키워드: ViGA

검색결과 31건 처리시간 0.034초

HVPE 방법으로 성장된 alpha-Ga2O3의 특성에 대한 VI/III ratio 변화 효과 (Effect of VI/III ratio on properties of alpha-Ga2O3 epilayers grown by halide vapor phase epitaxy)

  • 손호기;최예지;이영진;이미재;김진호;김선욱;라용호;임태영;황종희;전대우
    • 한국결정성장학회지
    • /
    • 제28권3호
    • /
    • pp.135-139
    • /
    • 2018
  • 본 연구에서는 HVPE 성장법을 이용하여 사파이어 기판 위에 알파 갈륨옥사이드를 성장시키며 VI/III 비의 변화에 따른 효과를 확인하였다. 성장된 알파 갈륨옥사이드의 표면은 평평하고 crack 없이 성장되었다. 성장된 갈륨옥사이드의 광학적 특성을 분석하기 위해 투과율을 측정하고 광학 밴드갭을 얻었다. 광학 밴드갭은 약 5.0 eV로 나타났고 VI/III 비가 증가함에 따라 비례하여 증가하는 결과를 보여주었다. 이론적 광학 밴드갭에 가장 근접한 VI/III 비가 23인 조건에서 성장된 알파 갈륨옥사이드의 결정성을 확인하기 위해 HR-XRD를 이용하여 FWHM을 측정하였고 이를 바탕으로 전위밀도를 계산하였을 때 나선형 전위밀도는 $1.5{\times}10^7cm^{-2}$, 칼날 전위 밀도는 $5.4{\times}10^9cm^{-2}$로 계산되었다.

Cu계 $I-III-VI_2$ 화합물 박막 태양전지 연구 (A Study on the Cu-based $I-III-VI_2$ Compound Thin Film Solar Cells)

  • 윤재호;안세진;김석기;이정철;송진수;안병태;윤경훈
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국신재생에너지학회 2005년도 춘계학술대회
    • /
    • pp.109-112
    • /
    • 2005
  • Cu계$I-III-VI_2$화합물은 직접천이형 반도체로 광흡수계수가 매우 높아 박막형 태양전지 제조에 매우 유리하다 또한 화학적으로 안정하며 Ga, A1등을 첨가하면 에너지 금지대폭을 조절할 수 있어 Wide Bandgap 태양전지 및 탠덤구조 태양전지를 제조하기에도 용이하다. $CuInSe_2(CIS)$ 물질에서 In을 $20-30\%$ 정도 치환한 $Cu(In,\;Ga)Se_2(CIGS)$ 태양전지의 경우 $19.5\%$의 세계 최고 효율을 보고하고 있으며 이는 다결정 실리콘 태양전지의 효율과 비슷한 수준이다. 본 연구에서는 동시 진공증발법을 이용하여 증착한 CIGS 박막 및 $CuGaSe_2(CGS)$ 박막을 이용하여 태양전지를 제조하였다. 공정의 재현성 및 결정립계가 큰 광흡수층 제조를 위하여 실시간 기판 온도 모니터링 시스템을 도입하였으며 버퍼층으로는 용액성장한 CdS 박막을 사용하였다. SLG/MO/CIGS(CGS)/CdS/ZnO/Al구조의 태양전지를 제조하여 면적 $0.5cm^2$에서 각각 $15\%$(CIGS)와 $7\%(CGS)$의 효율을 얻었다.

  • PDF

청녹색 레이저 다이오드 구조에 관한 TEM 관찰 (TEM Observations on the Blue-green Laser Diode)

  • 이확주;류현;박해성;김태일
    • Applied Microscopy
    • /
    • 제27권3호
    • /
    • pp.257-263
    • /
    • 1997
  • Microstructural characterizations of II-VI blue laser diodes which consist of quaternary $Zn_{1-x}Mg_xS_ySe_{l-y}$ cladding layer, ternary $ZnS_ySe_{l-y}$ guiding layer and $Zn_{0.8}Cd_{0.2}Se$ quantum well as active layer were carried out using the transmission electron microscope working at 300 kV. Even though the entire structure is pseudomorphic to GaAs substrate, the structure had contained numerous extended stacking faults and dislocations which had created at ZnSe/GaAs interfaces and then further grown to the top of the epilayers. These faults might be expected to cause the degradation and shortening the lifetime of laser devices.

  • PDF

Purification and Characterization of NADH-Dependent Cr(VI) Reductase from Escherichia coli ATCD33456

  • Bae, Woo-Chul;Kang, Tae-Gu;Jung, Jae-Han;Park, Chul-Jae;Choi, Sung-Chan;Jeong, Byeong-Chul
    • Journal of Microbiology and Biotechnology
    • /
    • 제10권5호
    • /
    • pp.580-586
    • /
    • 2000
  • A soluble Cr(VI) reductase was purified from the Cr(VI) reducing strain Escherichia coli ATCC33456 by ammonium sulfate fractionation, and chromatographies on Q-Sepharose FF, Cibacron blue 3GA dye affinity, Mono-Q 5/5, and Superdex 200 HR 10/30 columns. The estimated molecular mass of the purified enzyme was 27 kDa on SDS-polyacrylamide gel electrophoresis and 54 kDa on gel filtration, thus indicating a dimeric structure. The isoelectric point of the enzyme was pH 4.85. The optimum reaction pH and storage pH were both 7.0, the optimum reaction temperature was $37^{\circ}C$, and the storage temperature was $4^{\circ}C$. NADH and NADPH both served as electron donors for the reductase, with $V_{max}$ of 68.3 ${\mu}M$ Cr(VI)/min/mg protein and Km of 7.6 $\mu$M using HADH, and Vmax of 42.3 ${\mu}M$ Cr(VI)/min/mg protein and Km of 14.6 $\muM$ using NADPH. When 1 mM EDTA was added, the Cr(VI) reducing activity increased 4-fold.

  • PDF

HPLC/UV-vis을 이용한 과일류 중의 지베렐린 산 분석 (Analysis of gibberellic acid from fruits using HPLC/UV-vis)

  • 마경나;조현우;명승운
    • 분석과학
    • /
    • 제26권1호
    • /
    • pp.19-26
    • /
    • 2013
  • 자외선 흡광도가 거의 없는 농작물의 생장 조절용 농약으로 사용되고 있는 지베렐린(GAs) 중 하나인 지베렐린 산($GA_3$)은 발색단이 미약해서 자외선 검출기를 이용하여 분석하기가 어려운 물질이다. 액체-액체 추출법을 이용하여 과일류로부터 지베렐린 산을 효과적으로 추출하기 위하여 시료의 pH와 추출용매에 대한 최적의 추출조건을 확립하고자 하였다. 페나실 브로마이드를 유도체화 시약으로 사용함으로써 자외선 검출기에 선택적이며 감도가 좋은 $GA_3$-유도체 화합물을 만들었으며, 최적의 유도체화 조건을 확립하기 위해서 반응온도 및 시간, 유도체화 시약의 양, 염기의 양 등을 변화시켜주는 실험이 수행되었다. 유도체화 된 $GA_3$는 C18 컬럼을 사용하여 방해물질이 없이 HPLC/UV-vis로 효과적으로 분석되었으며, HPLC/ESI-MS를 사용하여 유도체화된 화합물의 구조를 확인하였다. 사과의 경우, 검출한계(LOD)와 정량한계(LOQ)는 각각 0.008 mg/kg, 0.027 mg/kg로, 배의 경우, 검출한계(LOD)와 정량한계(LOQ)는 각각 0.003 mg/kg, 0.012 mg/kg로 낮은 검출한계와 정량한계를 보였다. 확립된 유도체화 방법은 과일류 중에 존재하는 $GA_3$의 효과적이고 편리한 분석에 응용될 수 있을 것이다.

Si 기판 위에 성장한 $Cd_xZn_{1-x}Te/ZnTe$ 양자점의 크기에 따른 광학적 특성

  • 이주형;최진철;이홍석
    • 한국진공학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
    • /
    • pp.213-213
    • /
    • 2013
  • 화합물 반도체 양자점(Quantum dots; QDs)은 높은 효율의 광전자 소자에 적용할 수 있기 때문에 이분야에 대한 연구가 활발히 진행되고 있지만 주로 III-V 족 화합물 반도체에 대한 연구가 주를 이룬 반면 II-VI 족 화합물 반도체에 대한 연구는 아직 미흡하다. 하지만 II-VI 족 화합물 반도체는 III-V 족 화합물 반도체와 비교했을 때 더 큰 엑시톤 결합에너지(exciton binding energy)를 가지는 우수한 특성을 보이고 있으며 이러한 성질을 가지는 II-VI 족 화합물 반도체 중에서도 넓은 에너지 갭을 가지는 $Cd_xZn_{1-x}Te$ 양자점은 녹색 영역대의 광전자 소자로서 활용되고 있다. 현재 대부분의 $Cd_xZn_{1-x}Te$ 양자점 구조는 기판과 완충층 (buffer layer) 사이의 작은 격자 부정합(lattice mismatch) 때문에 GaAs 기판을 이룬 반면 Si기판을 이용한 연구는 미흡하다. 하지만 Si 기판은 GaAs 기판에 비해 값이 싸고, 여러 분야에 응용이 가능하며 대량생산이 가능하다는 이점을 가지고 있어 초고속, 초고효율 반도체 광전소자의 제작을 가능케 할 것으로 기대된다. 또한 양자점의 고효율 광전소자에 응용을 위해서는 Si 기판 위에 양자점의 크기를 효율적으로 조절하는 연구 뿐 아니라 양자점의 크기에 따른 운반자 동역학에 대한 연구도 중요하다. 본 연구에선 분자선 에피 성장법(Molecular Beam Epitaxy; MBE)을 이용하여 Si 기판위에 성장한 $Cd_xZn_{1-x}Te/ZnTe$ 양자점의 크기에 따른 광학적 특성을 연구하였다. 저온 광 루미네센스 (PhotoLuminescence; PL) 측정 결과 양자점의 크기가 증가함에 따라 더 낮은 에너지영역으로 피크가 이동하는 것을 확인하였다. 그리고 시분해 광루미네센스 측정 결과 $Cd_xZn_{1-x}Te/ZnTe$ 양자점의 크기가 증가함에 따라 소멸 시간이 긴 값을 갖는 것을 관찰 하였는데, 이는 양자점의 크기가 증가함에 따라 엑시톤 진동 세기가 감소하였기 때문이다. 또한 온도 의존 광루미네센스 측정 결과 양자점의 크기가 증가함에 따라 열적 활성화 에너지가 증가하는 것을 관찰 하였는데, 이는 양자점의 운반자 구속효과가 증가하였기 때문이다. 이와 같은 결과 Si 기판 위에 성장한 $Cd_xZn_{1-x}Te/ZnTe$ 양자점의 크기에 따른 광학적 특성에 대해 이해 할 수 있었다.

  • PDF

GaAs MESFET의 정전용량에 관한 특성 연구 (C-V Characteristics of GaAs MESFETs)

  • 박지홍;원창섭;안형근;한득영
    • 한국전기전자재료학회논문지
    • /
    • 제13권11호
    • /
    • pp.895-900
    • /
    • 2000
  • In this paper, C-V characteristics based on the structure of GaAs MESFET’s has been proposed with wide range of applied voltages and temperatures. Small signal capacitance; gate-source and gate-drain capacitances are represented by analytical expressions which are classified into two different regions; linear and saturation regions with bias voltages. The expression contains two variables; the built-in voltage( $V_{vi}$ )and the depletion width(W). Submicron gate length MESFETs has been selected to prove the validity of the theoretical perdiction and shows good agreement with the experimental data over the wide range of applied voltages.

  • PDF

증착 온도를 변화시켜 DC magnetron sputter로 증착한 Ga-doped ZnO 박막의 특성

  • 박지현;신범기;이민정;이태일;명재민
    • 한국재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국재료학회 2011년도 추계학술발표대회
    • /
    • pp.41.2-41.2
    • /
    • 2011
  • Display 산업의 확대로 인해 광학적 특성 및 전기적 특성이 우수한 TCO (Transparent conductive oxide) 연구가 활발히 진행되고 있다. 기존에는 ITO가 대부분의 분야에서 이용되었지만 In의 경제적인 단점으로 인해 새로운 대체물로써 ZnO가 떠오르고 있다. ZnO는 전형적인 n-type 반도체이며, wide band gap 물질로써 Al, Ga, B과 같은 3 족 원소를 doping 함으로써 광학적 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있다. 최근에는 ZnO의 이온반경과 비슷한 Ga을 도핑한 Ga-doped ZnO 박막에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 이는 ZnO에 Ga을 도핑함으로써 격자결함을 최소화 시키고 carrier concentration 및 hall mobility를 향상시켜 전기전도도의 향상을 이루기 때문이다. 본 연구에서는 $Ga_2O_3$이 3wt% doping 된 ZnO rotating cylindrical target 을 DC magnetron sputtering 을 이용하여 2 kW의 파워와 70 kHz의 주파수를 고정하고, 증착 온도를 변화시켜 유리 기판 위에 Ga-doped ZnO 박막을 증착 하였다. 증착 시 온도가 Ga-doped ZnO 박막에 미치는 영향을 관찰하기 위해 박막 표면의 조성을 분석하였고, 결정성 및 전기적 특성의 변화를 통해 박막의 특성을 비교 평가하였다. Ga-doped ZnO 박막의 표면과 두께는 SEM (Scanning electron microscope) 분석을 통해 관찰하였고, XRD (X-ray diffractometer) 를 이용하여 결정학적 특성을 확인하였다. 또한 Van der Pauw 방법을 이용한 hall 측정을 통해 resistivity, carrier concentration, hall mobility를 분석하였고, UV-Vis를 이용하여 박막의 투과율을 분석하였으며, 이를 토대로 투명 전도막으로써 Ga-doped ZnO 박막의 응용 가능성을 평가하였다.

  • PDF

Studies on Triterpenoid Corticomimetics

  • Han, Byung-Hoon;Han, Yong-Nam;Kim, Tae-Hee
    • 생약학회지
    • /
    • 제17권2호
    • /
    • pp.178-183
    • /
    • 1986
  • It was our working hypothesis that introduction of 11-keto groups to 12-oleanene/ursene series of triterpenoids should endow them with corticoid-like activities, since pharmacological actions of glycyrrhetinic acid (GA) are known to be caused by inhibition on $corticoid-{\delta}^4-reductase$. 11-Keto-triterpenoids derived artificially in these studies, such as 11, 19-diketo-18, 19-secoursolic acid methyl ester(I), $11-keto-{\beta}-boswellic$ acid derivatives (IIa-IIc), 11-Keto-presenegenin dimethyl ester (III), II-keto-oleanolic acid derivatives (IVa-IVd) and 11-keto-hederagenin (V) possess the fundamental functions of ${\alpha},\;{\beta}-unsaturated$ ketone on C-11 and hydroxyl group on C-3, as like GA (VI). Additionally, they involve the carboxyl groups on rings A (II, III), D (I, III, IV, V) and E (VI), and the hydroxyl groups on rings A (III, V) and C (III). All the compounds competitively inhibited $corticoid-5{\beta}-reductase$, and the highest inhibitory potency appeared in I. All of them except $3,\;11-diketo-{\beta}-boswellic$ acid methyl ester (IIc) were more effective about five times to twice than GA. On carrageenin-induced edema test, compounds I and IVa-IVd showed anti-inflammatory activities, but III enhanced rather edema. Structure-activity relations were found in the aspects of hydrophilicity of ring A and hydrophobicity of rings C/D. The more they were hydrophilic in ring A and hydrophobic in rings C/D, the more they inhibited the enzyme. And the more they were hydrophobic in rings C/D, the more they exhibited antiiflammatory activities. However, the increased hydrophilicity in ring A resulted in increasing edema, probably due to a nonspecific inhibition on $aldosterone-5{\beta}-reductase$.

  • PDF