본 논문은 Gunn 다이오드를 이용한 Varactor튜닝 X밴드 발진기에 관하여 기술하였다. Dyadic Green함수를 이용하여 공평함에 위치한 2개의 포스트에 대한 해석을 한 다음, 입사 TE10모드에 대한 obstacle회로강을 유도하였다. 전자적 튜닝을 시키기 위하여 체역 다이나믹 응답특성과 높은 Q를 갖는 튜닝 Varactor다이오드는 안정된 발진점등은 컴퓨터 시뮬레이션에 의하여 계산하였다. 실험시 스윗칭 모드는 이동단변의 위치가 각각 18mm, 32.5mm일때 일어 났으며 varactor 튜닝 Gunn 발진기의 제반특성은 이동단락과 바이어스 전양의 변화에 가장 큰 영향을 받았다.
본 논문에서는 GaAs 기반의 건 다이오드(Gunn diode)와 버렉터 다이오드(varactor diode)를 사용하여 중심 주파수가 94 GHz인 도파관(waveguide) 전압조정발진기(VCO, voltage controlled oscillator)를 구현하였다. 94 GHz 신호는 동공(cavity)을 47 GHz에서 발진하도록 설계하여 2체배된 신호를 사용하였으며, 다이오드의 바이어스(bias) 포스트(post)가 저역통과필터(LPF, low pass filter) 및 공진기(resonator) 기능을 동시에 수행하도록 설계하였다. 제작된 도파관 전압조정발진기는 760 MHz의 대역폭과 12.61~15.26 dBm의 출력전력 특성을 나타내었다. 위상잡음은 -101.13dBc/Hz(at 1MHz offset)의 우수한 특성을 얻었다.
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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제33권5호
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pp.756-761
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2009
In this paper, a X band voltage controlled oscillator is proposed. The oscillator uses a transistor as an oscillating element and its oscillating frequencies are controlled by the tuning voltage of varactor diode. Using the circuit simulation tools, the matching circuits between the transistor and varactor diode, its input and output matching circuits, and a feedback circuits are designed. The measured results of the fabricated oscillator show that its oscillation frequencies are from 10.50GHz to 10.88GHz according to the turning voltages of 1V to 18V, its output power levels are about 4.3dBm, and its phase noise is around -43.5dBc/Hz at 100kHz offset frequency of 10.5GHz.
본 논문은 X-대역에서 바랙터 다이오드가 없는 전압 제어 발진기 구조를 제안하고, 마이크로웨이브 레이더 신호 감지용 수신기에 적용 가능성을 확인하였다. 부성 저항을 발생하는 능동 소자의 콜렉터-베이스 PN-접합으로 바랙터 다이오드를 대체하여, 단일 RF BJT 소자로 전압 제어 발진기를 구현하여 수신기에서 요구하는 튜닝 전압 1.0~7.0 V에서 11.20~11.75 GHz 주파수 가변 특성, 9.0~12.0 dBm 출력 전력 및 선형적인 주파수 튜닝 특성을 만족하였다.
본 논문에서는 도플러 레이더 시스템의 신호원이 되는 전압제어 발진기를 설계 및 제작하였다. 제안된 VCDRO는 CPW라인 형태를 이용하여 동조시키는 새로운 방법을 이용하였다. 유전체 공진기 기판 됫면에 바랙터 다이오드가 실장된 $\lambda$_{g}$/2 길이를 갖는 CPW 회로를 구현하여 유전체공진기와 커플링을 시켰다. 바랙터 다이오드는 CPW 한쪽 끝에 실장을 하였다. 제안된 CPW 동조회로는 여러 개의 다이오드를 실장 할 수 있어 동조대역폭을 쉽게 늘일 수 있다. 동조된 전압제어 발진기는 바랙터 다이오드의 전압을 0$\~$15V 로 가변시 12MHz 의 동조대역폭을 나타내었다. 제안된 CPW라인으로 동조된 위상고정 유전체 발진기는 10.5250Hz에서16.5dBm의 출력을 나타내었으며, 위상잡음은 -l15dBc/Hz@100kHz,-105dBcHz@10kHz,-102dBc/@1kHz 의 위상잡음 특성을 나타내었다.
가변 필터는 송수신기에서 회로를 간단히 하여 특히 멀티채널을 사용하는 송수신기에서 중추적 역할을 담당하게 된다. 본 논문에서는 소형경량이고, 구조가 단순하여 제작이 간단하며, MMIC화하기 쉬운 실용적인 가변필터를 설계 및 제작하여 그 사용가능성을 제안하였다. 본 논문에서는 중심주파수 1.95GHz, 통과대역이 100MHz인 대역통과 링 필터를 Split 모드 방식으로 구현하고 이를 바탕으로 300MHz의 가변대역폭을 갖는 필터를 제작하였다. 이 필터의 대역폭을 가변하기 위하여 바이어스전압에 따라 커패시턴스가 변화하는 Varactor 다이오드를 사용하였다.
In this paper, we have designed and fabricated hyperabrupt varactor diodes. Capacitance variations of hyperabrupt-doped varactor diodes are larger than those of uniform-doped varactor diodes. The measured reverse breakdown voltage of the fabricated varactor diodes was about 20 V. For the anode contact diameter of $50\;{\mu}m$, the maximum capacitance of the fabricated varactor diode was 2.1 pF and the minimum capacitance 0.44 pF. Therefore, the $C_{max}/C_{min}$ ratio was 4.77. Also, for the anode contact diameter of $60\;{\mu}m$, the maximum and minimum capacitances were 2.9 and 0.62 pF, respectively. And, thus, the $C_{max}/C_{min}$ ratio was 4.64.
본 논문에서는 버랙터 다이오드와 다중 슬릿을 결합한 광대역 주파수 가변 흡수체를 제안한다. 의도적으로 구성된 폭이 좁은 슬릿에 의한 기생 커패시턴스와 버랙터 다이오드를 직렬 연결하여 도체 표면의 전체 커패시턴스를 효과적으로 낮췄다. 그 결과, 기존의 흡수체에 비해 훨씬 높은 주파수 영역에서도 높은 흡수율을 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 슬릿 개수를 조절하여 동작 주파수 대역도 자유롭게 선택할 수 있다. 기생 커패시턴스가 임피던스 매칭에 미치는 영향을 분석했고, 시뮬레이션 결과와 측정 결과가 잘 일치하는 것을 통해 제안된 방법의 타당성을 입증했다.
본 논문에서는 차량 충돌 방지 레이더 시스템 응용을 위하여 중심 주파수가 77 GHz인 도파관 (waveguide) 전압조정 발진기 (VCO, voltage controlled oscillator)를 구현하였다. 구현된 도파관 전압 조정 발진기는 GaAs 기반의 건다이오드 (Gunn diode)와 버랙터 다이오드 (varactor diode), 도파관 천이기 (waveguide transition), 저역 통과 필터(LPF, low pass filter) 및 공진기 (resonator) 기능을 동시에 수행하는 다이오드의 바이어스 (bias) 포스트 (post)로 구성되어진다. 77 GHz 신호는 동공 (cavity)을 38.50 GHz에서 발진하도록 설계하여 2체배된 신호를 사용하였으며 WR-12에서 WR-10으로 천이되어 출력된다. 도파관 천이기는 77 GHz의 중심주파수에서 1.86 dB의 삽입손실(insertion loss)과 -30.22 dB의 입력반사계수 (S11, input reflection coefficient) 특성을 갖는다. 제작된 도파관 전압조정 발진기는 870 MHz의 대역폭 (bandwidth)과 12.0 dBm ~ 13.75 dBm의 출력 전력 특성을 나타내었다. 위상잡음 특성은 1 MHz 오프셋 (offset)에서 -100.78 dBc/Hz의 우수한 특성을 얻었다.
본 논문에서는 Ka-band에 대한 반사형 아날로그 위상변화기의 설계 및 제작결과를 기술하였다. 큰 위상 변화를 가지기 위해서 병렬의 GaAs hyperabrupt junction 바랙터 다이오드와 리액턴스 정합 방법을 사용하였으며 이론적인 설계공식도 도출하였다. Ka-band에서는 조립과정도 중요하며 조립과정중 발생할 수 있는 기생성분을 최소화하기 위한 조립절차도 포함하였다. 제작결과는 Ka-Band에서 기존 것보다 큰 220$^{\circ}$$\pm$7$^{\circ}$ 가변의 위상변화와 삽입손실이 5 dB$\pm$1 dB를 가진 우수한 성능의 측정된 결과를 얻었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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