지금 국내에서는 토카막 핵융합실험장치, 대전류 중성입자빔 실험장치 및 우주 모의실험실 같은 거대시설의 건설과 운용이 활발하다. 이런 시설의 핵심설비인 대형 진공용기는 중소형 용기에 비해 누설 가능성은 높은 반면 기체누설을 검사하는 것은 까다롭다. 중소형 용기에서 널리 사용되는 헬륨누설검사 방법을 어떻게 효율적으로 이런 대형 용기에 적용할 수 있는가 알아보기 위해, 다양한 가상적인 누설검사 시스템들을 구성하고 압력분포 및 헬륨 분압을 계산하여 주어진 장치조건에서 적절한 검사 시스템을 찾는 방법에 대해 논한다.
The testing philosophy and control schemes are investigated and applied to construct the Automatic Microwave Leakage Inspection System (AMLIS) . AMLIS is consists of three major parts such as Material Handling Mechanism, Fine Positioning Mechanism and Scanning Mechanism. The material Handling unit is designed to perform loading and unloading microwave oven onto the testing point by pneumatic cylinder and vacuum pump. The Fine positioning part includes X-Y-.THETA. table and distance sensing equipment. The scanning part is composed of five SCARA robots, which traverse X-Y-Z catesian coordinates respectively. The leakage testing probes are placed at the end of this each robot then the path and speed are both controlled via microprocessors. A performance test of this system combined with electric parts and software is done and the basic major function of system are accomplished.
고농도 과산화수소를 이용한 연구가 활발해짐에 따라 과산화수소의 국내 생산을 위한 증류 방법에 대한 연구가 요구된다. 증류 방법에는 증류할 물질의 공급방식과 증류 회수, 증류 압력 등의 증류 조건에 따라 여러 가지 방법이 존재하며 과산화수소 증류에는 진공증류법이 사용된다. 진공 증류는 과산화수소의 열분해와 공기 중 입자와의 반응을 줄일 수 있다. 증류 조건은 Raoult's law를 이용하여 결정하였다. 실험 장치의 낮은 진공도와 진공도의 조절이 중요한 문제로 나타났으나 진공 챔버의 교체로 진공의 누설을 막아 진공도를 높였으며, 실험 장치에 정량밸브를 설치하여 진공도를 조절하였다.
Recently, mastering processes for high density optical disc such as Blu-ray disc rely on electron beams, which are operable in only vacuum. In the mastering process, one of the most important tasks is to design precision stages for providing precise positioning of the works with respect to the source in a high vacuum environment. In this paper, we have developed a precision rotation table usable in the electron beam mastering. The rotation table adopted air bearings for a high positioning repeatability and velocity stability. The air leakage from the air bearings has been minimized by employing the differential exhaust scheme using three steps of air drain. The design parameters such as diameters of exhaust lines, seal lengths, and pumping speeds were decided according to the optimization method using genetic algorithm. The performance on the vacuum level of the rotation table was evaluated experimentally and theoretically. The results indicate that a vacuum level of $10^{-4}$ Pa is achieved with operation of air bearings in a vacuum chamber, which is sufficient for the electron beam mastering.
반도체 장비용 진공코팅부품의 공정영향에 의한 내부식 성능 평가방법을 연구개발 하였다. 평가기준을 마련하기 위해 반도체 공정에서 교체된 코팅부품의 특성을 분석 평가하였다. 코팅부품의 성능을 정량적으로 측정하기 위하여 부품의 코팅막으로 많이 사용되고 있는 $Al_2O_3$ 막의 건식부식실험을 실시하였고 표면모폴로지, 누설전류 및 내전압측정 등을 수행하였다. 실험결과 건식부식처리 후 샘플의 누설전류량이 증가하였고, 절연내력이 크게 줄어 전기적 특성이 하향된 결과를 보였으며, 표면 모폴로지의 경우 부식시간 증가에 따라 표면 손상정도가 증가하는 것을 확인 할 수 있었다. 부식공정에 의한 이들 특성 값 변화를 이용하여 코팅부품의 공정영향에 의한 성능평가 방법을 개발할 수 있었다.
Pick-and-place systems using suction cups have been being widely used and continuously developed in production automation. There are, however, some drawbacks in constructing such systems. One of them is that it generates high level noise due to air compressors. And the system must have complex constitutions of mechanical component such as air compressors, air tubes, air valves, etc. Moreover, it needs continuous air supply to maintain vacuum in suction cups. If there is a failure in any suction cup, the total suction system may fail owing to air leakage. To overcome these drawbacks, we propose PMS (Permanent Magnet Suction) mechanism which has permanent magnets for vacuuming suction cups with no air compressor. The basic concept of PMS mechanism is to rotate permanent magnets with fixed angle. Simple rotation of permanent magnets changes the direction of the magnetic force applied at the suction cups. Since each suction cup has no direct connection with any of the others, the air leakage at one suction cup is not critical. The proposed suction mechanism was designed and fabricated. With some experiments, the feasibility and performance of the PMS mechanism was shown. The strong points of the PMS mechanism are in its simple structure, generating low noise, high energy efficiency, and no need of continuous energy supply.
Multiferroic materials have attracted much attention due to their own fascinating fundamental physical properties and potential technological applications to magnetic/ferroelectric data storage systems, quantum electromagnets, spintronics, and sensor devices. Among single-phase multiferroic materials, $BiFeO_3$, in particular, has received considerable attention because the enhanced ferromagnetism was found by the Fe-site ion substitution with magnetic ions. The structural, the magnetic and the ferroelectric properties of polycrystalline $BiFe_{1-x}Ni_xO_3$ (x=0, 0.01, 0.02, 0.03 and 0.05), which were prepared by the solid-state reaction and the rapid-sintering method, have been investigated. The x-ray diffraction patterns reveal that all the samples are in single phase and show rhombohedral structure with R3c space group. The magnetic properties are enhanced according to the doping content. The Ni-doped $BiFeO_3$ samples exhibit lossy P-E loop due to the oxygen vacancy. The leakage current density of Ni-doped samples (x=0.01 and 0.02) is increased by four orders of magnitude. On the other hand, the x=0.03 and 0.05 samples show the relative reduction of the leakage current.
최근 반도체 소자의 미세화에 따라, 단채널 효과에 의한 누설전류 및 소비전력의 증가 등이 문제되고 있다. 대표적인 휘발성 메모리인 dynammic random access memory (DRAM)의 경우, 소자의 집적화가 진행됨에 따라 저장되는 정보의 양을 유지하기 위해 캐패시터영역의 복잡한 공정을 요구하게 된다. 하나의 캐패시터와 하나의 트랜지스터로 이루어진 기존의 DRAM과 달리, single transistor (1T) DRAM은 silicon-on-insulator (SOI) 기술을 기반으로 하여, 하나의 트랜지스터로 DRAM 동작을 구현한다. 이러한 구조적인 이점 이외에도, 우수한 전기적 절연 특성과 기생 정전용량 및 소비 전력의 감소 등의 장점을 가지고 있다. 또한 strained-Si 층을 적용한 strained-Silicon-On-Insulator (sSOI) 기술을 이용하여, 전기적 특성 및 메모리 특성의 향상을 기대 할 수 있다. 본 연구에서는 sSOI 기판위에 1T-DRAM을 구현하였으며, impact ionization과 gate induced-drain-leakage (GIDL) 전류에 의한 메모리 구동 방법을 통해 sSOI 1T-DRAM의 메모리 특성을 평가하였다. 그 결과 strain 효과에 의한 전기적 특성의 향상을 확인하였으며, GIDL 전류를 이용한 메모리 구동 방법을 사용했을 경우 낮은 소비 전력과 개선된 메모리 윈도우를 확인하였다.
In this letter, We have investigated cell characteristics of the alloy FePt-NDs charge trapping memory capacitors with high-k $Al_2O_3$ dielectrics as a blocking oxide. The capacitance versus voltage (C-V) curves obtained from a representative MOS capacitor embedded with FePt-NDs synthesized by the post deposition annealing (PDA) treatment process exhibit the window of flat-band voltage shift, which indicates the presence of charge storages in the FePt-NDs. It is shown that NDs memory with high-k $Al_2O_3$ as a blocking oxide has performance in large memory window and low leakage current when the diameter of ND is below 2 nm. Moreover, high-k $Al_2O_3$ as a blocking oxide increases the electric field across the tunnel oxide, while reducing the electric field across the blocking layer. From this result, this device can achieve lower P/E voltage and lower leakage current. As a result, a FePt-NDs device with high-k $Al_2O_3$ as a blocking oxide obtained a~7V reduction in the programming voltages with 7.8 V memory.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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