Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.05c
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pp.190-193
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2003
Sm-doped lead zirconate titanate($Pb_{1.1}(Zr_{0.6}Ti_{0.4})O_3$; PZT) thin films on the Pt(111)/Ti/$SiO_2$/Si(100) substrates prepared by a sol-gel method. The effect on structural and electrical properties of PZT thin films measured according to the Sm content. Sm-doping altered significantly dielectric and ferroelectric properties. The remanent polarization and the coercive field decreased with the increasing Sm content. The dielectric constant and the dielectric loss of PZT thin films decreased with the increasing Sm content. At 100 kHz, the dielectric constant and the dielectric loss of. the 0.3 mol% of Sm-doped PZT thin film were 1200 and 0.12 respectively. The remanent polarization (2Pr) of the 0.3 mol% of Sm-doped PZT thin film was $52.13{\mu}C/cm^2$ and the coercive field was 94.01 kV/cm. The 0.3 mol% of Sm-doped PZT thin film showed an improved fatigue characteristic comparing to the undoped PZT thin film.
Park, J.M.;Mun, S.P.;Kim, C.R.;Kim, Y.M.;Kwon, S.K.;Suh, K.Y.
Proceedings of the KIEE Conference
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2003.07b
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pp.1238-1240
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2003
A new soft switching technique that improves performance of the high power factor boost rectifier by reducing switching losses is introduced. The losses are reduced by air active snubber which consists of an inductor, a capacitor a rectifier, and an auxiliary switch. Since the boost switch turns off with zero current, this technique is well suited for implementations with insulated gate bipolar transistors. The reverse recovery related losses of the rectifier are also reduced by the snubber inductor which is connected in series with the boost switch and the boost rectifier. In addition, the auxiliary switch operates with zero voltage switching. A complete design procedure and extensive performance evaluation of the proposed active snubber using a 1.2[kW] high power factor boost rectifier operating from a 90 [$V_{rms}$] input are also presented.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.15
no.1
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pp.79-84
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2002
An accurate cross sections set is necessary for the quantitatively understanding and modeling of plasma phenomena. By using the electron swarm method, we determine an accurate electron cross sections set for objective atoms or molecule at low electron energy range. It is general calculation that used in this method to an two-term approximation of Boltzmann equation. But it may give erroneous transport coefficients for CF$_4$ molecule treated in this paper having \`C2v symmetry\`, therefore, multi-term approximation of the Boltzmann equation analysis which can consider anisotropic scattering exactly is carried out. It is necessary to require understanding of the fundamental principle of analysis method. Therefore, in this paper, we compared the electron transport coefficients(W and ND$\_$L/) in pure Ar, O$_2$, and CF$_4$ gas calculated by using two-term approximation of the Boltzmann equation analysis code uses the algorithm proposed by Tagashira et al. with those by multi-term approximation by Rubson and Ness which was developed at James-Cook university, and discussed an application and/or validity of the calculation method by comparing these calculated results.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.11a
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pp.51-54
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2003
Tb-doped lead zirconate titanate($Pb_{1.1}(Zr_{0.6}Ti_{0.4})O_3$; PZT) thin films on $Pt(111)/Ti/SiO_2/Si(100)$ substrates prepared by a sol-gel method. Films have a Zr/Ti ratio of 60:40 and perovskite phase structure. The effect on the structural and electrical properties of films measured according to Tb content. Dielectric and ferroelectric properties of PZT thin films were altered significantly by Tb-doping. The PZT thin film with higher dielectric constant and improved leakage current characteristic was obtained by adding 0.3 mol% Tb. At 100 kHz, the dielectric constant and the dielectric loss of the 0.3 mol% Tb-doped PZT thin film were 1611 and 0.24, respectively The remanent polarization(2Pr) of the 0.3 mol% Tb-doped PZT thin film was $61.4\;{\mu}C/cm^2$ and the coercive field was 61.9 kV/cm. Tb-doped PZT thin films showed improved fatigue characteristics comparing to the undoped PZT thin film.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2006.06a
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pp.180-181
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2006
CdSe single crystal was grown by sublimation method in the two-step vertical electric furnace. This CdSe single crustal had hexagonal structure whose lattice constants of $a_0$ and $c_0$ were measured $4.299\;{\AA}$ and $7.009\;{\AA}$ by extrapolation method, respectively. CdSe single crystal was n-type semiconductor values were measured from Hall data by Van der Pauw method in the room temperature. Mobility tends to increase in proportion to $T^{3/2}$ from 33K to 130K due to impurity scattering. but mobility tends to decrease in proprtion to $T^{-3/2}$ from 130K to 293K due to lattice scattering. CdSe thin film was made by electron beam evaporation technique had also hexagonal structure. The grain size of this thin film was grown to $1{\mu}m$ as a result of annealing in the vapor of Ar or Cd. Annealde CdSe thin film was n-type semiconductor whose carrier density had about $7{\times}10^{12}cm^{-3}$ and its mobility had about $1.6{\times}10^3cm^2/V$ sec at room temperature.
Sodium hydroxide concentrations were adjusted to 2.0, 2.5, 3.0 and 3.5M by dissolution in seawater. The fly ash was hydrothermally reacted with sodium hydroxide solutions (1:8, W:V) at $100^{\circ}C$ under the closed system. X-ray diffractogram proved that Na-P1 type zeolite was produced from bituminous coal fly ash. It is different from the X-ray of artificial zeolite produced by using sodium hydroxide solution dissolving in distilled water. Solid sieve structure was developed well by hydrothermal reaction with the ash and 3.0M sodium hydroxide. However chinks were observed in the structure of the product by 3.5M sodium hydroxide. CEC of the artificial zeolite was $244.5cmol^+\;kg^{-1}$ at 2.0M, 259.8 at 3.0M, 263.4 at 3.0M and 179.8 at 3.5M after 24 hours hydrothermal reaction; Artificial zeolite having high CEC, above $244.5cmol^+\;kg^{-1}$ could produce by using lower concentration of NaOH prepared in seawater than other production methods.
Park, Ju-Eok;Kim, Jun-Hui;Jo, Hae-Seong;Kim, Min-Yeong;Im, Dong-Geon
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.08a
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pp.312.2-312.2
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2013
태양전지에서 SiNX층은 반사방지막 역할과 표면 페시베이션의 역할을 동시에 하고 있다. SiNx에서 굴절율과 두께는 반사율과 밀접한 관계가 있으며 동시에 표면 소수캐리어 수명에도 큰 영향을 미친다. 따라서 굴절율과 두께를 조절하여 낮은 반사도와 긴 소수캐리어 수명을 가지는 SiNx 박막을 제조하여야 우수한 효율의 태양전지를 제조할 수 있다. 본 연구에서는 다양한 굴절율과 두께의 SiNx 박막을 결정질 실리콘 태양전지에 적용하여 효율과의 상관관계를 해석하였다. SiNx 박막은 PECVD장비를 이용하여 RF파워, 가스혼합량, 증착시간 등을 각각 변화시키며 형성하였다. RF 파워는 100~500 W로 변화 시켰고 혼합가스 변화는 SiH4가스와 NH3가스, Ar가스를 각각 주입하며 증착하였다. RF 파워 300W, 가스혼합량 SiH4 90sccm, NH3 26sccm, Ar 99sccm과 기판 온도 $300^{\circ}C$, 공정시간 58초에서 포면 반사율 1.09%와 굴절률 1.965, 두께 76nm를 갖는 SiNx층을 형성 할 수 있었다. SiNx층을 증착하여 셀을 제작한 결과, 개방전압: 0.612V, 전류밀도: 38.49 mA/cm2, 충실도: 75.62%, 효율: 17.82%를 얻을 수 있었다.
Kim, So-A-Ram;Nam, Gi-Ung;Kim, Min-Su;Park, Hyeong-Gil;Yun, Hyeon-Sik;Im, Jae-Yeong
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2012.05a
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pp.211-212
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2012
ZnO submicron particles were grown on Au-catalyzed Si substrate by a vapor phase transport (VPT) growth process under different mixture gas ratio at growth temperature of $900^{\circ}C$. The structural and optical properties of the ZnO submicron particles were investigated by field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM), X-ray diffraction (XRD), and photoluminescence (PL). The ZnO submicron particles could be clustered with the $O_2/Ar$ mixture gas ratio(%) higher than 10%, and it was mainly determined by the gas ambient. Particularly, when the $O_2/Ar$ mixture gas ratio was 30%, it was observed the ZnO submicron particles with diameters in the range of 125 to 500 nm and the narrowest full width at half maximum (FWHM) of XRD and PL spectra with $0.121^{\circ}$ and 92 meV, respectively. It was found that the structural and optical properties of the ZnO submicron particles were improved with increasing the $O_2/Ar$ mixture gas ratio through the XRD and PL spectra.
Effective method for the preparation of Dongchimi juice was developed by addition of NaCi, sucrose and bydrolytic enzymes before fermentation and addition on Dongchimi juice during fermentation. The radish was ground and suspended in water(1:1, w/v) with addition of spices(garlic, green onion and ginger) followed by fermentation at $25^{\circ}C$. The addition of 2% NaCi and 0.5~2.0% sucrose resulted in significant increase of solid content and it was also improved by the addition of polysaccharide hydrolyzing enzyme during fermentation. When the fermented juices of pH 5.4 of 4.4 were added by 15% of total weight before(pH 5.4 juice)and during (pH 4.4 juice) fermentation, a significant increase in solid content after 24hrs of fermentation was resulted. The combined method of addition of 2% NaCI, 1.0% sucrode, 0.1% Viscozyme and 10% of fermented juice of pH 5.4 and 4.$ before and during fermentation improved solid content, reducing sugar, color and showed little effect on viscosity. The organoleptic characteristics were also improved by the combined method.
Jae Sang Kim;Sung Ouk Jung;Shim Sung Lee;Si-Joong Kim
Bulletin of the Korean Chemical Society
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v.14
no.1
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pp.123-127
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1993
New lipophilic Crown-4 compounds of 16-membered rings containing furan (neutral carrier,I), tetrahydrofuran (neutral carrier,II) and lithium complex of the latter (neutral carrier,III) have been synthesized and tested as the active sensors for lithium ion in poly(vinyl chloride) (PVC) membrane electrode, in the presence and absence of an anion excluder, tetrakis(4-chloro-phenyl)borate (KTClPB), 2-nitrophenyl phenyl ether (NPPE), tris(2-ethylhexyl)phosphate (TEHP), o-nitrophenyl octyl ether (NPOE), dioctyl adipate (DOA), bis(2-ethylhexyl)adipate (BEHA), di-n-octylphenyl phosphonate (DOPP) were used as plasticizing solvent mediators. The electrode response function had a nearly Nernstian slope of 54-61 mV per decade (25$^{\circ}$C) within the concentration range of $10^{-1}-10^{-4}$ M LiCl and the detection limits for all electrodes were ca. $5{\times}10^{-4}$ M. The response time of the electrode was faster at the higher lithium concentration and the response of the electrode was stable for longer than 6 months. The sensor membranes exhibit improved response times and increased lifetimes as compared to the system described earlier.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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