Park, Seung-Hyeok;Shin, Dae-Hwan;Cho, Han-Jun;Yim, Ju-Bin;Lim, Sung-Cil;Han, Kun;Chung, Youn-Bok
Korean Journal of Clinical Pharmacy
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v.22
no.2
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pp.160-166
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2012
Purpose: The purpose of the present study was to investigate the pharmacokinetics of urea, a new potential diagnosis reagent of Helicobacter pylori infection. Methods: Considering the mechanism of urea breath test, we determined the excretion of urea in expired air after its oral administration in rats and beagle dogs at the dose of 2 mg/kg (including 50 mCi/mmol $^{14}C$-urea 50 ${\mu}Ci/kg$ for rats and 13.5 ${\mu}Ci/kg$ for dogs). Results: Urea was rapidly disappeared from the blood circulation by 1 hr after its i.v. bolus injection, followed by a slow disappearance by 24 hr. The half-lives at the distributive phase ($t_{1/2{\alpha}}$) and post-distributive phase ($t_{1/2{\beta}}$) were 2 min and 6 hr, respectively. The bioavailability of urea was 64.3% after its oral administration. The values of the volume of distribution ($V_{dss}$) and the total body clearance ($CL_t$) after the oral administration were compatible with those after i.v. administration. The recovery of urea in the bile was about 0.1% of the dose by 24 hr after its oral administration. Urea was extensively eliminated in the urine by 48 hr. The recovery ratios of urea in the urine and expired air were about 86.8% and 2.99% of the dose by 48 hr, respectively. Moreover, urea was mostly distributed from the blood circulation to the kidney, followed by being eliminated in the urine without metabolism. The concentration of urea in the kidney was 4.0 times higher than that of plasma at 40 min after its oral administration. Conclusions: These findings indicated that oral route appears to be available for the administration of urea. Orally administered urea, thus, was considered to be useful for the diagnosis of Helicobacter pylori infection.
Kim, Young-Yi;Han, Won-Suk;Kong, Bo-Hyun;Cho, Hyung-Koun;Kim, Jun-Ho;Lee, Ho-Seoung
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.11-11
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2008
ZnO has a very large exciton binding energy (60 meV) as well as thermal and chemical stability, which are expected to allow efficient excitonic emission, even at room temperature. ZnO based electronic devices have attracted increasing interest as the backplanes for applications in the next-generation displays, such as active-matrix liquid crystal displays (AMLCDs) and active-matrix organic light emitting diodes (AMOLEDs), and in solid state lighting systems as a substitution for GaN based light emitting diodes (LEDs). Most of these electronic devices employ the electrical behavior of n-type semiconducting active oxides due to the difficulty in obtaining a p-type film with long-term stability and high performance. p-type ZnO films can be produced by substituting group V elements (N, P, and As) for the O sites or group I elements (Li, Na, and K) for Zn sites. However, the achievement of p-type ZnO is a difficult task due to self-compensation induced from intrinsic donor defects, such as O vacancies (Vo) and Zn interstitials ($Zn_i$), or an unintentional extrinsic donor such as H. Phosphorus (P) doped ZnO thin films were grown on c-sapphire substrates by radio frequency magnetron sputtering with various Ar/ $O_2$ gas ratios. Control of the electrical types in the P-doped ZnO films was achieved by varying the gas ratio with out post-annealing. The P-doped ZnO films grown at a Ar/ $O_2$ ratio of 3/1 showed p-type conductivity with a hole concentration and hole mobility of $10^{-17}cm^{-3}$ and $2.5cm^2/V{\cdot}s$, respectively. X-ray diffraction showed that the ZnO (0002) peak shifted to lower angle due to the positioning of $p^{3-}$ ions with a smaller ionic radius in the $O^{2-}$ sites. This indicates that a p-type mechanism was due to the substitutional Po. The low-temperature photoluminescence of the p-type ZnO films showed p-type related neutral acceptor-bound exciton emission. The p-ZnO/n-Si heterojunction LEO showed typical rectification behavior, which confirmed the p-type characteristics of the ZnO films in the as-deposited status, despite the deep-level related electroluminescence emission.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.11a
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pp.440-443
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2002
Present1y the X-Ray diagnosis system is a real condition that is changing by digital ways in it's existent analog ways. This digital radiation detector is divided by the direct method and the indirect method. The indirect method of applied voltage has special qualities that the resolution is low than direct method by diffusion effect that happens. The conversion process ( radiation${\rightarrow}$visible ray${\rightarrow}$electrical signal of two times, has shortcomings that the energy conversion efficiency of electrical signal is low. The direct method has shortcomings that need strong electric fie1d to detect electrical signal efficiently. This research achieved to develop digital detector of the Hybrid method that have form that mixes two ways to supplement shortcoming of direct. indirect method. A studied electrical characteristic by Iodine's Mixture ratio change is added to selenium in the detector which has a multi-layer structure (Oxybromide + a-Se). There are 8 kinds of Manufactured compositions to amorphous selenium Iodine each 30ppm, 100ppm, 200 ppm, 300ppm, 400ppm, 500ppm, 600ppm, 700ppm by a doped photoconductor through a vacuum thermal evaporation method. The phosphor layer is consisted of Oxybromide ($BrO_2$) which uses optical adhesives multi-layer structure. The manufactured compositions calculates and compares Net Charge and signal to noise ratio measuring Photocurrent about Darkcurrent and X-ray. When doped Iodine Mixture ratio is 500ppm to the multi-layer structure (Oxybromide + a-Se), applied voltage of $3V/{\mu}m$, leakage current of compositions $2.61nA/cm^2$ and net charge value by 764pC/$cm^2$/mR then the best result appeared.
Song, Jinju;Yang, Juhyun;Alfaruqi, Muhammad Hilmy;Park, Wangeun;Park, Sohyun;Kim, Sungjin;Jo, Jeonggeun;Kim, Jaekook
Journal of the Korean Ceramic Society
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v.53
no.4
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pp.406-410
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2016
Carbon-coated sodium iron pyrophosphate ($Na_2FeP_2O_7$) was prepared by a simple and low-cost pyro-synthesis route for further use as the cathode for Na-ion batteries. The X-ray diffraction (XRD) pattern of the sample annealed at $650^{\circ}C$ confirmed the pure triclinic phase of $Na_2FeP_2O_7$. Electron microscopy studies revealed a cross linked plate shape morphology of the $Na_2FeP_2O_7$ sample. When tested for application in Na-ion battery, the $Na_2FeP_2O_7$ cathode showed two redox pairs in the potential window of 2.0-4.0 V. The cathode registered initial discharge and charge capacities of 80.85 and 90 mAh/g, respectively, with good cycling performance.
일반적으로 알콜계 물질은 가스 하이드레이트 형성에 저해제로 사용된다고 알려져 있으나, 최근의 연구를 통해 2-propanol이 일부 조건에서 촉진효과가 나타난다고 보고되고 있다. 본 연구에서는 알콜계 물질인 1-propanol과 2-propanol의 가스 하이드레이트 격자내로의 포집여부와 그로 인한 촉진 혹은 저해 작용 그리고 구조적 특성에 대해 알아보았다. $CO_2$와 $CH_4$ 기체에 대하여 1-propanol 혹은 2-propanol을 첨가하여 형성된 혼합 하이드레이트의 3상평형 기상(V)-물(Lw)-하이드레이트(H))을 측정하였다. 그 결과 $CO_2$의 경우 1-propanol과 2-propanol이 저해 작용을 함을 확인하였으며 농도가 높을수록 저해작용이 커짐을 알 수 있었다. 반면, $CH_4$의 경우 1-propanol에서는 저해 및 촉진효과가 거의 나타나지 않았지만, 2-propanol에서는 촉진효과가 나타났으며 5.6 mol%에서 촉진효과가 가장 크게 나타났다. 혼합 하이드레이트의 구조규명 및 동공 점유 분석을 위해 $^{13}C$ NMR과 XRD분석을 하였으며, 그 결과 2-propanol과 1-propanol을 포함하는 혼합 하이드레이트는 구조 II를 형성하며, 2-propanol과 1-propanol은 큰 동공에 포집되고, 기체는 작은 동공에 포집됨을 확인할 수 있었다. 본 연구의 결과는 알콜계 물질을 첨가제로 사용하는 가스 하이드레이트 공정에서 매우 유용한 기초자료가 될 것으로 사료된다.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.18
no.5
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pp.439-444
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2005
We investigated the structural and electrical properties of BLT films grown on Si covered with $ZrO_{2}$ buffer layer. The BLT thin film and $ZrO_{2}$ buffer layer were fabricated using a metalorganic decomposition method. The electrical properties of the MFIS structure were investigated by varying thickness of the $ZrO_{2}$ layer. AES and TEM show no interdiffusion and reaction that suppressed using the $ZrO_{2}$ film as a buffer layer The width of the memory window in the C-V curves for the MFIS structure decreased with increasing thickness of the $ZrO_{2}$ layer. It is considered that the memory window width of MFIS is not affected by remanent polarization. Leakage current density decreased by about four orders of magnitude after using $ZrO_{2}$ buffer layer. The results show that the $ZrO_{2}$ buffer layers are prospective candidates for applications in MFIS-FET memory devices.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1999.05a
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pp.193-196
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1999
Organic electroluminescent devices have attracted a great deal of attention due to thier potential application to full-color flat-panel displays. The 8-hydroxyquinollne Zinc(Znq$_2$) were synthesized successfully from zinc chloride(ZnCl$_2$) and zinc acetate(Zn(C$_2$H$_3$O$_3$)$_2$) as green omitting material. A double-layer ELD consist of an emitting layer of B-hydroxyquinoline Zinc(Znq$_2$) and a hole-transport layer of tai-phenylene diamine(TPD) derivatives sandwiched between an Aluminium(Al) and Indium-Tin-Oxide(ITO) electrodes omitted green light resulting from Znq$_2$. The electroluminescent devices (ELD) exhibited a maximum luminance of 1000cd/$\textrm{cm}^2$ at a driving voltage of 8V and a driving current density of 0.4mA/$\textrm{cm}^2$.
This paper investigated structural and electrical properties of $Y_{2}O_3$ as a buffer layer of sin91r transistor FRAM (ferroelectric RAM). $Y_{2}O_3$ buffer layers were deposited at a low substrate temperature below 400$^{\circ}C$ and then RTA (rapid thermal anneal) treated. Investigated parameters are substrate temperature, $O_2$ partial pressure, post- annealing temperature, and suppression of interfacial $SiO_2$ layer generation. for a well-fabricated sample, we achieved that leakage current density ($J_{leak}$) in the order of $10^{-7}A/cm2$, breakdown electric field ($E_{br}$) about 2 MV/cm for $Y_{2}O_3$ film. Capacitance versus voltage analysis illustrated dielectric constants of 7.47. We successfully achieved an interface state density of $Y_{2}O_3$/Si as low as $8.72{\times}10^{10}cm^{-2}eV^{-1}$. The low interface states were obtained from very low lattice mismatch less than 1.75%.
We have studied the $TiO_2$ doping effects on the flux pinning behavior of an $MgB_2$ superconductor synthesized by the in-situ solid-state reaction. From the field-cooled and zero-field-cooled temperature dependences of magnetization, the reversible-irreversible transition of $TiO_2$-doped $MgB_2$ was determined in the H-T diagram (the temperature dependence of upper critical magnetic field and irreversibility line). For comparison, the similar measurements are also obtained from SiC-doped $MgB_2$. The critical current density was estimated from the width of hysteresis loops in the framework of Bean's model at different temperatures. The obtained results manifest that nano-scale $TiO_2$ inclusions served as effective pinning centers and lead to the enhanced upper critical field and critical current density. It was concluded that the grain boundary pinning mechanism was realized in a $TiO_2$-doped $MgB_2$ superconductor.
In the present study, rutile phase titanium dioxide nanoparticles ($R-TiO_2$ NPs) were prepared by hydrolysis of titanium tetrachloride in an aqueous solution followed by calcination at $900^{\circ}C$. The composition of $R-TiO_2$ NPs was determined by the analysis of X-ray diffraction data, and the characteristic features of $R-TiO_2$ NPs such as the surface functional group, particle size, shape, surface topography, and morphological behavior were analyzed by Fourier-transform infrared spectroscopy, scanning electron microscopy and energy dispersive X-ray spectroscopy, transmission electron microscopy, dynamic light scattering, and zeta potential measurements. The average size of the prepared $R-TiO_2$ NPs was 76 nm, the surface area was $19m^2/g$, zeta potential was -20.8 mV, and average hydrodynamic diameter in dimethyl sulfoxide (DMSO)-$H_2O$ solution was 550 nm. The 3-(4,5-dimethylthiazol-2-yl)-2,5-diphenyltetrazolium bromide (MTT) assay and morphological observations revealed that $R-TiO_2$ NPs were cytocompatible with oral cancer cells, with no inhibition of cell growth and proliferation. This suggests the efficacy of $R-TiO_2$ NPs for the aesthetic white pigmentation of teeth.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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