• Applied Biological Chemistry
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• 제48권2호
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• pp.166-172
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• 2005

제주자생 탐라오갈피(Acanthopanax koreanum Nakai)를 리큐르 소재로 활용하기 위하여 주정농도를 각각 $30{\sim}95%$로 조절한 다음 0.5 cm 이하로 세절한 뿌리 및 줄기를 700 g/10 l의 비율로 첨가하여 70일간 침출시키면서 이화학적 특성 및 유용성분의 경시적인 변화를 검토하였다. 침출액의 pH 변화는 대체로 $5.5{\sim}6.5$ 범위였으며, 색도 b 값은 주정농도가 낮을수록, 침출기간이 길어질수록 높은 값을 나타내었고, a값은 주정농도가 높을수록 - 값이 증가하였으며 주정농도에 의한 영향이 컸다. 가용성고형물의 변화는 침출기간에 따라 점진적으로 증가하여 주정농도 $30{\sim}70%$ 범위에서 줄기는 $0.6{\sim}0.7%(w/v)$, 뿌리는 $1.0{\sim}1.5%(w/v)$이었다. Eleutheroside B와 E는 침출기간 20일까지 급속히 증가하는 경향이었으며, 줄기가 뿌리보다 함량이 많았다. 그리고 주정농도 30%에서 70%로 높아짐에 따라 eleutheroside B와 E 함량은 크게 증가하였다. Acanthoic acid는 주정농도와 이용부위에 따른 함량변화가 뚜렷하게 나타났으며, 침출 후 $5{\sim}10$일에 급속히 용출되었으며, 줄기에서는 $3{\sim}25\;{\mu}g/ml$, 뿌리에서는 $46{\sim}1,700\;{\mu}g/ml$이 침출되었다. 따라서 탐라오갈피를 이용하여 약용주인 리큐르로 상품화하기 위해서는 뿌리 비율을 높게 하여 주정농도 $60{\sim}80%$ 범위에서 $30{\sim}50$일간 침출시킨 다음 13주간 숙성하여 블렌딩하는 것이 효과적이라고 판단되었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2009년도 춘계학술대회 논문집 에너지변화시스템부문
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• pp.256-258
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• 2009

현재 상용화되어 있는 결정질 태양전지의 경우 높은 실리콘 가격으로 인해 저가격화에 어려움을 격고 있다. 따라서 태양전지 저가화의 한 방법으로 박막태양전지가 주목을 받고 있다. P-I-N 구조의 박막태양전지에서 각 층의 thickness, activation energy, energy bandgap은 고효율 달성을 위한 중요한 요소이다. 본 논문에서는 박막태양전지 p-layer의 가변을 통하여 고효율을 달성하기 위한 simulation을 수행하였다. 가변 조건으로는 thickness $5\sim25nm$, activation energy $0.3\sim0.6$ eV 그리고 energy bandgap $1.6\sim1.8$ eV까지 단계별로 변화시켰다. 최종 simulation 결과 p-layer의 thickness 5nm, activation energy 0.3 eV 그리고 energy bandgap 1.8 eV에서 최고 효율 11.08%를 달성하였다.

• 센서학회지
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• 제6권1호
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• pp.24-34
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• 1997

본 연구에서는 비정질 $WO_{3}$ 박막을 작용전극으로 $V_{2}O_{5}$ 박막과 NiO 박막을 각각의 대향전극으로 사용한 두 종류의 상보형 일렉트로크로믹 소자를 제작하고 그 특성을 조사 연구하였다. 그 결과 $100{\sim}150nm$ 두께로 진공증착된 $V_{2}O_{5}$ 박막을 대향전극으로 이용하여 제작된 $ITO/WO_{3}/LiClO_{4}-PC/V_{2}O_{5}/ITO$ 구조의 상보형 소자에서는 $1{\sim}2V$ 정도의 낮은 인가전압에서 광변조량이 $50{\sim}60%$를 나타내는 우수한 특성을 나타냈다. 그리고, RF 반응성 스퍼터링 방법으로 제작된 NiO 박막을 대향전극으로 이용한 $ITO/WO_{3}/LiClO_{4}-PC/NiO/ITO$ 구조의 경우 1.5V의 인가전압에 가시광선 영역(${\lambda}=550nm$)에서 약 25% 정도, 근적외선 영역(${\lambda}=850nm$)에서 약 30% 정도의 태양광을 변조할 수 있는 특성을 보였다.

• 한국광학회지
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• 제20권2호
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• pp.71-75
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• 2009

본 논문에서는 전기광학효과를 갖는 $LiNbO_3$ 및 GaAs 물질 기반의 전계 프로브 센서를 제안하고 구현하였다. 이 센서를 이용하여 RF 링 공진필터 소자로부터 방사되는 수평 및 수직방향 성분의 필드세기를 측정하였다. 구현된 $LiNbO_3$ 및 GaAs센서로부터 계산된 감도는 각각 $9.315{\mu}V/\sqrt{Hz}$와 $49.346{\mu}V/\sqrt{Hz}$였으며, 신호 대 잡음비는 ${\sim}50\;dB$와 ${\sim}40\;dB$였다. 그리고 각 센서의 주파수 응답특성은 ${\sim}1.2\;GHz$였다. 마지막으로 센서를 이용하여 테스트 회로의 근접 필드 분포를 측정하였으며, 이는 HFSS 시뮬레이션 결과와 잘 일치하였다.

• 한국식품과학회지
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• 제27권3호
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• pp.303-305
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• 1995

베이킹파우더, 등급별 밀가루 및 몇 가지 밀가루 가공식품에 대한 알루미늄 함량을 조사하고자 $HNO_3:HClO_4(v/v,\;2:1)$ 혼산으로 분해하여 원자흡수분광광도법으로 분석하였다. 원료와 가공식품들의 알루미늄 함량은 베이킹파우더는 $1910{\sim}1948mg/100g$, 중력분은 8.5mg/100g, 강력분 박력분은 각각 10.8 mg/100g, 11.0 mg/100g이며 국수는 $29.7{\sim}58.5mg/100g$, 라면은 $63.0{\sim}80.0mg/100g$, 당면은 $33.1{\sim}46.3mg/100g$, 냉면이 $37.8{\sim}49.9mg/100g$, 비스켓과 스낵은 $15.3{\sim}19.2mg/100g$, $22.5{\sim}56.4mg/100g$ 범위였다. 밀가루 식품중의 알루미늄 함량은 동일 식품이더라도 제조회사에 따라서 함량차이를 인정할 수 있었다(p<0.01).

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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• pp.149-150
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• 2006

A ZnO nanowire-based FET is fabricated m this study on a flexible substrate of PES. For the flat and bent flexible substrates, the current ($I_D$) versus drain-source bias voltage ($V_{DS}$) and $I_D$ versus gate voltage ($V_G$) results are compared. The flat band was Ion/Ioff ratio of ${\sim}10^7$, a transconductance of 179 nS and a mobility of ~10.104 cm2/Vs at $V_{DS}$ =1 V. Also bent to a radius curvature of 0.15cm and experienced by an approximately strain of 0.77 % are exhibited an Ion/Ioff ratio of ${\sim}10^7$, a transconductance of ~179 nS and a mobility of ${\sim}10.10 cm^2/Vs$ at $V_{DS}$ = 1V. The electrical characteristics of the FET are not changed very much. although the large strain is given on the device m the bent state.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제8권1호
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• pp.11-20
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• 2008

The structure of 2-bit/cell flash memory device was characterized for sub-50 nm non-volatile memory (NVM) technology. The memory cell has spacer-type storage nodes on both sidewalls in a recessed channel region, and is erased (or programmed) by using band-to-band tunneling hot-hole injection (or channel hot-electron injection). It was shown that counter channel doping near the bottom of the recessed channel is very important and can improve the $V_{th}$ margin for 2-bit/cell operation by ${\sim}2.5$ times. By controlling doping profiles of the channel doping and the counter channel doping in the recessed channel region, we could obtain the $V_{th}$ margin more than ${\sim}1.5V$. For a bit-programmed cell, reasonable bit-erasing characteristics were shown with the bias and stress pulse time condition for 2-bit/cell operation. The length effect of the spacer-type storage node is also characterized. Device which has the charge storage length of 40 nm shown better ${\Delta}V_{th}$ and $V_{th}$ margin for 2-bit/cell than those of the device with the length of 84 nm at a fixed recess depth of 100 nm. It was shown that peak of trapped charge density was observed near ${\sim}10nm$ below the source/drain junction.

• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제7권1호
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• pp.49-55
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• 1982

유기중합체의 열자극전류는 방사선량측정기로서 사용가능한 특성을 갖고있으며 중합체의 구성성분이 생체조직과 등가성분이므로 의학 및 생물학분야에서 효과적인 방사선 측정기구로 이용할 수 있었다. 포리에틸렌등 중합체에 방사선을 조사한후 $10{\sim}100V$의 전압과 실온에서 $100^{\circ}C$까지의 온도에 따라 열자극 전류를 측정하고 분석함으로서 물질의 에너지상수($0.8{\sim}1.0eV$)와 방사선피폭량(수Krands)에 따른 열자극전류($10^{-2}{\sim}10^{-4}{\mu}A$)의 상호관계를 계측할 수 있었다.

• The Korean Journal of Physiology
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• 제25권2호
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• pp.125-131
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• 1991

Inactivation properties of Ca current in the unfertilized eggs of mouse were studied by using the whole cell voltage clamp technique and single microelectrode voltage clamp technique. Membrane potential was held at -80 mV and step depolarization was applied from -50 mV to 50 mV for $200{\sim}500\;ms$. Peak of inward Ca currents was $-2{\sim}-4\;nA$ at a membrane Potentials from -20 mV to 0 mV and outward currents were not observed within the membrane voltage range studied $(-50{\sim}50\;mV)$. Inward currents were fully inactivated within 200 ms after the onset of step depolarization. As the membrane became depolarized, time constant of inactivation (${\tau}$) was decreased but remained around $20{\sim}30\;ms$ beyond 10 mV. When $Ca^{2+}$ was used as a charge earlier, inactivation of inward $Ca^{2+}$ current also occured and time course of inactivation was similar to that of $Ca^{2+}$ currents as charge carrier. In the bathing solution containing high potassium $(131\;mM\;K^+)$, process of inactivation was not changed except a parallel decrease of value for the entire range of membrane potential. Steady-state inactivation of the $current(h_{\infty})$ obtained from the double pulse experiment showed the voltage-dependent change. These results suggested that inactivation of Ca currents in the unfertilized eggs of mouse was voltage-dependent.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2006년도 하계종합학술대회
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• pp.623-624
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• 2006

In this paper, we introduce the design and fabrication of V-band power amplifier MMIC with excellent gain-flatness for IEEE 802.15.3c WPAN system. The V-band power amplifier was designed using ETRI' $0.12{\mu}m$ PHEMT process. The PHEMT shows a peak transconductance ($G_{m,peak}$) of 500 mS/mm, a threshold voltage of -1.2 V, and a drain saturation current of 49 mA for 2 fingers and $100{\mu}m$ total gate width (2f100) at $V_{ds}$=2 V. The RF characteristics of the PHEMT show a cutoff frequency, $f_T$, of 97 GHz, and a maximum oscillation frequency, $f_{max}$, of 166 GHz. The gains of the each stages of the amplifier were modified to have broadband characteristics of input/output matching for first and fourth stages and get more gains of edge regions of operating frequency range for second and third stages in order to make the gain-flatness of the amplifier excellently for wide band. The performances of the fabricated 60 GHz power amplifier MMIC are operating frequency of $56.25{\sim}62.25\;GHz$, bandwidth of 6 GHz, small signal gain ($S_{21}$) of $16.5{\sim}17.2\;dB$, gain flatness of 0.7 dB, an input reflection coefficient ($S_{11}$) of $-16{\sim}-9\;dB$, output reflection coefficient ($S_{22}$) of $-16{\sim}-4\;dB$ and output power ($P_{out}$) of 13 dBm. The chip size of the amplifier MMIC was $3.7{\times}1.4mm^2$.