• Applied Biological Chemistry
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• 제50권3호
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• pp.154-159
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• 2007

제주산 병귤을 침출주의 소재로 활용하기 위하여 $30{\sim}95%$ 주정농도에 건조과피를 각각 500 g/10 l(5%, w/v) 비율로 첨가하여 70일간 침출특성을 검토하였다. 주정농도 30%에서 pH는 $5.19{\sim}4.80$으로 가장 낮았으며, 침출 후 10일까지 주정농도가 낮을수록 감소하는 경향이었다. 주정농도가 높을수록 색도 a값이 낮아지고, b값이 증가하였다. 가용성고형물은 주정농도 $30{\sim}70%$에서 $2.00{\sim}2.19%(w/v)$로, 지속적으로 증가하는 경향이었다. 산함량은 주정농도 $30{\sim}70%$에서 $0.18{\sim}0.21%(v/v)$로 차이가 거의 없었으며, 주정농도 95%에서는 $0.13{\sim}0.15%(v/v)$였다. 주정농도 낮을수록 fructose와 glucose가 많았으며, 침출기간이 길어질수록 sucrose 함량은 낮았다. 병귤과피의 주요 flavonoid는 narirutin, hesperidin, nobiletin, 3,5,6,7,8,3'4'-methoxylated flavone, tangeretin이었고, 대부분의 flavonoids는 침출 후 $3{\sim}5$일에 80%이상 용출되었다. 총 폴리페놀 함량은 주정농도 $30{\sim}70%$로 20일 침출에서 $628.8{\sim}711.2$ ${\mu}g/ml$였으며, 주정원액에서 가장 높은 함량을 나타내었다. 따라서 병귤과피를 침출주 원료로 사용하였을 때, 주정농도 $50{\sim}70%$에서 20일 동안 침출시키는 방법이 효과적이었다.

• 한국작물학회지
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• 제54권1호
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• pp.104-118
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• 2009

This study was carried out to classify Korean soybean varieties base on maturity group (MG) and to find character relationships according to planting date for high quality soybean seed production adapted to early season cultivation environment of Miryang. Results of maturity grouping of Korean soybean varieties showed that Keunol (3 cultivars), belonged to Group 0; Seonnok and Danmi in Group II, Shinrok in Group III, Seonyu (17 cultivars), in Group IV, Taekwang (44 cultivars) in Group V, Daewon (25 cultivars) in Group VI, and Kwangdu and Keumdu in Group VII. Agronomic characteristics of 100 soybean varieties were compared based on MG, cultivation year and seeding date. Soybean varieties belonging to the MG $VI{\sim}VII$ showed longer days to flowering and growth period, high lodging density and higher yield. Seed quality analysis revealed that as maturity was delayed, seed weight becomes heavier while seed cracks become abundant. In addition, occurrence of purple seed and phomopsis were higher in MG $0{\sim}III$. Protein content was higher in MG $0{\sim}III$, and isoflavone content was higher as maturity was delayed. On the other hand, lipid content was generally similar across MGs. Correlation analysis of major agronomic characters showed positive relationships between days to flowering and growth days, seed weight and lodging in MG $IV{\sim}V$, seed crack and growth days in MG $0{\sim}III$, seed crack and days to flowering in MG $IV{\sim}V$ and MG $VI{\sim}VII$, seed crack and lodging in MG $IV{\sim}V$ and MG $VI{\sim}VII$, seed crack and seed weight in MG $IV{\sim}V$ and MG $VI{\sim}VII$, purple seed and growth days in MG $IV{\sim}V$, purple seed and seed weight in MG $VI{\sim}VII$, phomopsis and growth days in MG $IV{\sim}V$ and MG $VI{\sim}VII$, and phomopsis and purple seed in MG $IV{\sim}V$ and MG $VI{\sim}VII$. In contrast, a negative relationship was observed between seed weight and lodging in MG $0{\sim}III$. Correlating yield and major characters revealed negative relationships between days to flowering and growth days in MG $0{\sim}III$ and MG $IV{\sim}V$, whereas positive relationships were obtained on MG $VI{\sim}VII$ seeded on April 30. Lodging, seed weight and seed crack were all negatively correlated with yield in the MG $IV{\sim}V$ and MG $VI{\sim}VII$. Soybean cultivars identified as adaptable to early season planting for production of high quality soy curd and fermented soybean paste were Seonyu, Kwangdu, and Soho while those suited for the manufacture of soybean sprouts were Sobaeknanul, Kwangan, Sowon, and Bosuk. Geomjeong 2 chosen as best for mixing with rice.

• 한국식품저장유통학회지
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• 제11권4호
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• pp.472-477
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• 2004

본 연구에서는 액상칼슘을 첨가하여 김치 숙성에 미치는 영향을 조사하였다. 그 결과 액상칼슘 첨가구들에서 숙성 중 pH감소가 지연되었고 산도는 더 낮게 나타났으며 액상칼슘 $3.5\%$ (v/w)첨가구보다 $7.0\%$ (v/w)첨가구에서 더 효과적이였다. 총균수 및 젖산균수를 조사한 결과 숙성 8일째까지 액상칼슘 첨가구들이 낮게 나타났으나 8일 이후에는 더 많은 수를 나타내었다. 모든 구간에서 L값과 b값은 조금씩 감소하였으며 a값은 증가하는 경향으로 나타났다. 대조구의 칼슘함량은 $50{\sim}60\;mg\%$이며 액상칼슘 A 농도 $3.5\%$ (v/w)와 $7.0\%$ (v/w) 첨가구에서 $103{\sim}110\;mg\%$와 $145{\sim}163\;mg\%$로 액상칼슘 B 농도 $3.5\%$ (v/w)와 $7.0\%$ (v/w) 첨가구에서는 $140{\sim}151\;mg\%$ 및 $210{\sim}220\;mg\%$으로 나타나 액상칼슘 B를 $7.0\%$ (v/w) 첨가하면 고칼슘 김치의 제조가 가능한 것으로 생각되었다.

• 전기전자학회논문지
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• 제11권1호통권20호
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• pp.54-60
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• 2007

본 연구에서는 고속 I/0 인터페이스용 ESD(Electro-Static Discharge)보호소자로서 SCR(Silicon Controlled Rectifier)구조에 기반한 새로운 구조의 ESD보호소자인 N/P-type Low Voltage Triggered Silicon-Controlled Rectifier(NPLVTSCR)을 제안하였다. 제안된 NPLVTSCR은 기존 SCR이 갖는 높은 트리거 전압($\sim$20V)을 낮추고 ($\sim$5V) 또한 정상상태에서의 보호소자의 래치업 현상을 줄일 수 있다. 본 연구에서 제안된 NPLVTSCR의 전기적 특성 및 ESB감내특성을 확인하기 위하여 TCAD툴을 이용하여 시뮬레이션을 수행하였으며, 또한 TSMC 90nm공정에서 테스트 패턴을 제작하여 측정을 수행하였다. 시뮬레이션 및 측정 결과를 통해, NPLVTSCR은 PMOS 게이트 길이에 따라 3.2V $\sim$ 7.5V의 트리거링 전압과 2.3V $\sim$ 3.2V의 홀딩전압을 갖으며, 약 2kV의 HBM ESD 감내특성을 갖는 것을 확인 할 수 있었다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제52권2호
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• pp.182-186
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• 2014

두 종류의 집전체(BP, bipolar plate)를 사용하여 바나듐 레독스-흐름 전지(V-RFB, vanadium redox-flow battery)의 성능을 평가하였다. V-RFB의 성능평가는 $60mA/cm^2$의 전류밀도에서 진행하였다. A 집전체를 사용한 V-RFB의 기전력(SOC 100%에서의 OVC)은 1.47V, B 집전체를 사용한 V-RFB의 기전력은 1.54V를 나타냈다. A 집전체를 사용한 V-RFB의 셀 저항은 충전시에 $4.44{\sim}5.00{\Omega}{\cdot}cm^2$을, 방전시에 $3.28{\sim}3.75{\Omega}{\cdot}cm^2$를 보였으며, B 집전체를 사용한 V-RFB의 셀 저항은 충전시에 $4.19{\sim}4.42{\Omega}{\cdot}cm^2$, 방전시에 $4.71{\sim}5.49{\Omega}{\cdot}cm^2$를 나타냈다. 각 집전체를 사용한 V-RFB의 성능은 5회 충방전 실험을 진행하여 평가하였다. A 집전체를 사용한 V-RFB는 평균 전류효율 93.1%, 평균 전압효율 76.8%, 평균 에너지효율 71.4%를 나타냈으며, B 집전체를 사용한 V-RFB는 평균 전류효율 96.4%, 평균 전압효율 73.6%, 평균 에너지효율 71.0%를 나타냈다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제19권7호
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• pp.662-666
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• 2006

Microstructure and electrical properties of ZnO varistors as a function of sintering temperature and times were investigated. Sintering temperature and times greatly affected electrical properties and Bi-rich liquid phase of the microstructure. The varistor which were sintered at $1125^{\circ}C\sim1150^{\circ}C$, for 2 hr exhibited the varistor voltage$(V_c)$, nonlinear coefficient $(V_{10mA}/V_{1mA})$, leakage current$(I_L)$ dielectric constant and dissipation factor as $225\sim250V/mm,\;0.89\sim0.92,\;0.8\sim1.1{\mu}A,\;720\sim740\;and\;1.8\sim2.0%$, respectively.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제9권4호
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• pp.185-189
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• 2004

본 논문에서는 이동통신 장치에 사용되는 다이오드 검파기와 로그 칩형 검파기를 설계하고 이를 서로 비교하여 그들의 용도를 명확히 제시하였다. 다이오드 검파기는 입력 신호의 세기 $-40dBm{\sim}-10dBm$의 변화에 대하여 $0{\sim}0.7V$의 검출 전압이 측정되었으며, 이것은 미세한 신호변화를 검출하기에 적합한 특성을 갖는다. 그리고 로그 칩형 검파기는 입력전력 $-65dBm{\sim}0dBm$의 변화에 대하여 $1.5V{\sim}4.5V$의 출력 전압을 얻었으며, 대체로 넓은 동작범위를 나타내고 있다. 따라서 로그 칩형 검파기는 넓은 입력 신호전력에 대하여 좁은 검출 전압이 측정되어, 그것의 감도가 둔감하게 나타나므로 피크전력 측정에 적합함을 알 수 있다.

• 농촌지도와개발
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• 제6권2호
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• pp.141-147
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• 1999

느타리버섯은 톱밥:미강(80;20, %, v/v)에 황토흙, 밭흙, 논흙을 각각 40% 혼합시 89, 88, 68mm/10일 순, 표고버섯은 톱밥:미강(80;20, %, v/v)에 밭흙, 황토흙, 논흙을 각각 $40{\sim}50%$ 혼합시 74, 71, 68mm/10일 순, 영지버섯은 톱밥:미강(80;20, %, v/v)에 밭흙, 황토흙, 논흙을 각각 $40{\sim}50%$ 혼합시 98, 94, 89mm/10일 순으로 균사생장과 균사밀도가 양호하였다.

• 센서학회지
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• 제7권3호
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• pp.179-187
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• 1998

플라즈마의 이온온도를 측정하기 위하여 전하교환체로 탄소박막을 이용한 $90^{\circ}$ 원통형 중성입자 에너지 분석기를 설계 제작하였다. Duoplasmatron을 이용하여 에너지 $0.5{\sim}3.0\;keV$ 수소이온에 대해 장치의 에너지 교정 및 에너지 분해능을 조사하였다. 에너지에 따른 정전편향판 전압과의 관계는 $E_{o}(keV)$=3.83V(kV) 였다. 에너지 분해능은 입사입자의 에너지가 3.0 keV 인 경우 약 2 %였으며, 에너지가 0.5 keV 일 때는 약 9 % 로 수소이온의 에너지가 증가함에 따라 향상되었다. 또한 전하교환체로 두께 $0.5{\sim}2.0{\mu}g/cm^{2}$ 사이의 탄소박막을 사용하여 입사 중성입자의 에너지와 탄소박막의 두께에 따른 에너지 교정, 에너지 손실 및 전하교환된 입자의 에너지 분해능을 측정하였다. 중성수소입자의 에너지($E_{o}$)는 탄소박막의 두께(${\mu}g/cm^{2}$)와 정전편향판 전압(kV)의 함수로 $E_{o}(keV)=(0.53d+4.4){\cdot}V(kV)$ 였다. 중성입자의 손실 에너지는 $0.5{\sim}3.0\;keV$ 사이의 입사입자 에너지와 $0.5{\sim}2.0{\mu}g/cm^{2}$ 사이의 탄소박막 두께에 따라 $0.23{\sim}0.89\;keV $ 였다. 손실에너지는 중성수소입자의 에너지와 탄소박막 두께의 함수로 ${\Delta}E=(0.12d+0.27){\cdot}{E_{o}}^{1/2}(keV)$ 였다. 전하가 교환된 입자의 에너지 분해능은 실험의 범위에서 $7{\sim}35\;%$였으며, 입사 중성입자의 에너지가 높을수록, 탄소박막의 두께가 얇을수록 향상되었다.

• 전기전자학회논문지
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• 제4권2호
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• pp.181-191
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• 2000

본 논문에서는 증식형 MOS 트랜지스터와 저항만을 사용하여 기준전압을 발생하기 위한 두 가지 방법을 제안하였다. 첫 번째 방법은 문턱전압에 비례하는 전압성분과 열전압에 비례하는 전압성분을 합하여 온도보상을 하는 전압모드 방식이고, 두 번째는 문턱전압에 비례하는 전류성분과 열전압에 비례하는 전류성분을 합하여 온도보상을 하는 전류모드 방식이다. 설계된 회로들을 $0.65{\mu}m$ n-well CMOS 공정 페러미터를 사용하여 HSPICE 모의실험한 결과, 전압모드 회로의 경우 공급전압에 대한 변화율은 $-30^{\circ}C{\sim}130^{\circ}C$의 온도범위에서 0.21%/V 이하이고, 온도에 대한 변화율은 $3V{\sim}12V$의 공급전압 범위에서 $48.0ppm/^{\circ}C$ 이하이다. 전류모드 회로의 경우는 공급전압에 대한 변화율이 $-30^{\circ}C{\sim}130^{\circ}C$의 온도범위에서 0.08%/V 이하이고, 온도에 대한 변화율은 $4V{\sim}12V$의 공급전압 범위에서 $38.2ppm/^{\circ}C$ 이하이다. 또한 전력소모는 5V, $30^{\circ}C$일 때 전압모드 경우와 전류모드 경우 각각 $27{\mu}W$와 $65{\mu}W$로 저전력 특성을 보인다. 제작된 전압모드 기준전압 발생회로를 측정한 결과, 공급전압에 대한 변화율은 $30^{\circ}C{\sim}100^{\circ}C$의 온도범위에서 0.63%/V 이하이고, 온도에 대한 변화율은 $3.0{\sim}6.0V$의 공급전압 범위에서 $490ppm/^{\circ}C$ 보다 작다. 제안된 회로들은 구조가 간단하기 때문에 설계가 용이하고, 특히 전류모드의 경우 넓은 범위의 기준전압 발생이 가능하다는 장점을 갖는다.