• 한국산학기술학회논문지
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• 제17권9호
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• pp.74-82
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• 2016

연구소기업은 공공연구기관의 기술을 직접 사업화하기 위해 연구개발 특구 내에 설립된 기업으로서, 정부 R&D 투자의 결과물이 연구소기업을 통해 상품이나 서비스에 체화되어 경제적 가치를 창출해낼 수 있도록 하는 제도라고 할 수 있다. 일반 창업에 비해 상대적으로 높은 생존율과 고용창출의 효과를 보이는 연구소기업은 지금까지 특허와 기술이전에만 초점을 두어 온 공공연구기관의 사업화에 비해 공공 연구투자의 경제적 성과를 높이는데 크게 기여하고 있다고 알려져 있다. 이와 같은 연구소기업의 긍정적인 기여도에 비해 연구소기업 자체에 대한 연구 뿐 만 아니라, 연구소기업의 설립에 영향을 미치는 요인에 대한 연구는 전무한 실정이다. 이에 본 연구는 선행연구를 통해 기술사업화에 영향을 미치는 요인을 크게 조직, 연구역량, 기술, 지역적 요인으로 구분하고, 이러한 네 가지 요인들이 2006부터 2015년까지 각 출연연구기관의 연구소 기업의 설립여부와 연구소기업의 숫자에 미치는 영향을 패널 로짓과 음이항 모형으로 분석하였다. 분석 결과, 2006년 연구소 기업 제도 실시 이후 과학기술계 출연(연) 기관 중 연구인력과 특허 출원이 많은 기관일수록, 대전 연구개발특구내에 위치하는 기관일수록 연구소기업의 설립확률과 기업 수가 많은 것으로 나타났다. 그러나 출연(연) 기관의 기술요소와 기술사업화 담당 인력규모를 통제할 경우, 최근 5년간 정부 출연 기관의 인력 규모와 개발단계 기술에 집중도가 높을수록 연구소기업을 설립할 가능성과 기업 수가 높은 것을 확인하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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• pp.1150-1153
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• 2006

In this paper, we investigated the effect of solvent on electrical properties of triisopropylsilyl (TIPS) pentacene organic thin-film transistors (OTFTs). The TIPS pentacene was spin coated by using chlorobenzene, p-xylene, chloroform and toluene as solvent. Fabricated OTFT with chlorobenzene showed field-effect mobility of $0.01\;cm^2/V{\cdot}s$, on/off ratio $4.3{\times}10^3$ and threshold voltage of 5.5 V. In contrast, with chloroform the mobility was $5.8{\times}10^{-7}\;cm^2/Vs$, on/off ratio $1.1{\times}10^2$ and threshold voltage of 1.7 V.

• 기술혁신학회지
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• 제1권3호
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• pp.351-363
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• 1998

This case study aims at investigating the factors which make venture firms successful. It analysedthree high-performance venture firms originated from the government-financed rese arch institute, the company and the university on the viewpoint of 'dynamic capability' theory. In this case study, technology integration capability and administrative innovation capability were identified as success factors of the three venture firms. The study also presented the role of the incubating organizations. Although incubating organizations supported technological and managerial resource-building of the entrepreneurs, there was not active interactive-learning between venture firms and incubating organizations after spin-off.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2002년도 동계연구발표회 논문개요집
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• pp.188-189
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• 2002

One of the current goals in memory device developments is to realize a nonvolatile memory, i.e., the stored information maintains even when the power is turned off. The representative candidates for nonvolatile memories are magnetic random access memory (MRAM) and ferroelectric random access memory (FRAM). In order to achieve a high density memory in MRAM device, the external magnetic field should be localized in a tiny cell to control the direction of spontaneous magnetization. (omitted)

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.385-385
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• 2012

A two terminal N+/P/N+ junction device to replace the conventional selective transistor was studied as a bilateral switching device for spin transfer torque (STT) MRAM based on 3D device simulation. An N+/P/N+ junction structure with $30{\times}30nm$ area requires bi-directional current flow enough to write a data by a drain induced barrier lowering (DIBL) under a reverse bias at N+/P (or P/N+ junction), and high current on/off ratio of 106. The SiGe materials are widely used in hetero-junction bipolar transistors, bipolar compensation metal-oxide semiconductors (BiCMOS) since the band gap of SiGe materials can be controlled by changing the fraction and the strain epilayers, and the drift mobility is increased with the increasing Ge content. In this work, N+/P/N+ SiGe material based junction provides that drive current is increased from 40 to $130{\mu}A$ by increased Ge content from 10~80%. When Ge content is about 20%, the drive current density of SiGe device substantially increased to 2~3 times better than Si-based junction device in case of 28 nm P length, which is sufficient current to operation of STT-MRAM.

• 벤처창업연구
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• 제16권6호
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• pp.241-248
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• 2021

인수합병을 비롯하여 기업은 여러 형태의 확장 방법을 가지고 있다. 한국의 온오프라인 대기업들은 신속한 디지털 산업 확장에 있어 여러가지 목적들에 따른 다양한 확장 방식을 보여주고 있다. 기술적 이유에 의한 확장의 경우 부족한 기술적 요소 획득을 위한 목적이며, 사업적 이유로 인한 확장은 시장 경쟁력 확보를 위한 동종산업의 오프라인 기업이 온라인 진출을 목적으로 하는 합병이 있다. 다른 확장 형태들로는 기업의 관련 사업 확장을 목적으로 내부에서 성장시킨 기업을 분사시키는 형태의 확장과 신생 관계사들에 부분적 투자를 하고 성장 후 그룹 자회사로 흡수하는 외부로부터의 인수 합병 형태의 확장 등이 있다. 다양한 형태의 확장은 상황에 따른 최적의 선택이라는 측면도 있지만, 각기 다른 장단점을 가지고 있으며 기업들은 이를 고려한 선택을 하고 있다. 그러한 이유로 기업의 확장 방법들의 목적과 장단점을 학문적으로 검토해 보는 것은 학술적으로도 이 시점에서 필요하다고 생각되며, 실무적으로도 기업들에 통찰력을 제공할 수 있는 가치가 있다고 생각된다. 동종 오프라인 기업의 멀티채널화 합병의 경우 온라인 기업 내재화의 성공 가능성 및 시너지 효과가 낮을 위험성이 있으며, 내부 성장 기업의 분사는 안정성은 있지만, 내부 자원의 제약에 따른 확장 속도가 느린 문제가 있을 수 있다. 반면 외부 창업 후 자회사로 흡수시키는 경우 법적 규제 가능성과 외부의 부정적 인식 우려의 위험성이 존재한다.

• 한국지역지리학회지
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• 제21권3호
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• pp.489-502
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• 2015

실리콘펜 또는 케임브리지 현상으로도 알려져 있는 케임브리지 클러스터는 생명공학 산업 및 정보통신 산업에 특화되어 있는 혁신 클러스터로 잘 알려져 있다. 본 연구는 케임브리지 클러스터의 진화구조를 트리플힐릭스 관점을 중심으로 고찰한 것이다. 케임브리지 클러스터는 케임브리지대학을 중심축으로 형성된 자연발생적 클러스터로 간주할 수 있으나, 오늘날 케임브리지가 세계적인 첨단산업 클러스터의 기반을 갖추게 된 밑바탕에는 1960년대 후반에 결성된 산-학-관 협력체인 '케임브리지지역발전위원회'의 활동과 그 결과로 만들어진 모트보고서가 중요한 영향을 미쳤다. 그 후 1970년대부터 본격화된 클러스터의 성장과정에는 케임브리지대학의 칼리지들이 조성하기 시작한 사이언스 파크와 케임브리지대학의 스핀오프(스핀아웃) 활동이 활발하게 나타났다. 클러스터 진화의 역동성을 주도하는 지역 내 스핀오프 활성화의 기저에는 케임브리지 지역에 오랜 세월 누적되어 온 기업가주의 문화와 창업 및 기업 활동을 촉진하는 기업가 네트워크와 사회자본의 영향이 중요하게 작용했다. 그러나 2000년대 들어 대학의 재정 지원을 축소하고 기업가적 대학으로의 전환을 유도하는 정부의 정책기조가 심화됨에 따라 케임브리지대학의 스핀오프 활동은 크게 위축되었고, 이것이 케임브리지 클러스터의 역동적 진화를 위협하는 요소로 작용하고 있다.

• Journal of Magnetics
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• 제11권1호
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• pp.8-11
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• 2006

Recently half-metallic full-Heusler alloy films have attracted significant interests for spintronics devices. As these alloys have been known to have a high spin polarization, very large TMR ratio is expected in magnetic tunnel junctions. Among these alloys, $Co_2MnSi$ full-Heusler alloy with a high spin polarization and a high Curie temperature is considered a good candidate as an electrode material for spintronic devices. In this study, the magnetic and structural properties of $Co_2MnSi$ Heusler alloy films were investigated. TMR characteristics of magnetic tunnel junctions with a $Co_2MnSi/SiO_2/CoFe$ structure were studied. A maximum MR ratio of 39% with $SiO_2$ substrates and 27% with MgO(100) substrates were obtained. The lower MR ratio than expectation is considered due to off-stoichiometry and atomic disorder of $Co_2MnSi$ electrode together with oxidation of the electrode layer.

• 벤처창업연구
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• 제6권3호
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• pp.19-42
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• 2011

본 연구는 외국의 대학과 사이언스파크, 테크노파크 등에 소재한 기술창업보육기관의 운영에 대한 사례를 다루었다. 기술창업보육센터는 지역경제 활성화, 일자리창출, 신 벤처산업의 육성이라는 점에서 공통점이 있으며 국내 센터운영과 비교하면 여러 가지 차이점이 있다. 외국은 기술창업보육센터 입지를 국가정책차원에서 경제적인 낙후성과 지역의 연관 산업을 고려하여 센터를 특성화하며 전문가 협력네트워크 구축과 운영을 활성화하고 있다. 입주기업은 산학협력을 통해 기술완성도를 높이며 대학과 연구소는 연구개발성과를 사업화로 연계하여 기술력 있는 벤처창업을 촉진함으로써 spin-offs를 통한 기술창업자들을 육성하고 있다. 외국사례를 통해 국내 기술창업센터 운영에 대한 시사점과 성공적인 센터 운영방안을 제시하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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• pp.756-759
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• 2007

We have fabricated pentacene OTFT on ultra-thin flexible polyimide film with a rigid glass support. Polyimide film of the thickness of $10{\mu}m$ has formed on glass by spin coating from the solution. After the entire OTFT process, the OTFT exhibited a fieldeffect mobility of $0.4\;cm^2/Vs$, an $I_{on}/I_{off}$ ratio of $10^7$ and a subthreshold swing of 0.7 V/dec. The OTFT on polyimide film has been detached from the glass support and laminated on a plastic support of $130\;{\mu}m-thick$ PET film. After the detach process, in spite of the degrading of its field-effect mobility, the OTFT showed high $I_{on}/I_{off}$ as high $as{\sim}10^6$.