DsRed에서 유래한 적색 형광 단백질들 중 하나인 mCherry는 GFP와 유사한 3차 구조를 가진 잘 알려진 적색 형광 단백질 중 하나이며, 수소결합 네트워크를 형성하고 있지 않아서 pH 변화에 민감하지 않다. 반면 mCherry의 발색단 근처에서 돌연변이를 야기 시켜 만든 mCherry-I202T는 mCherry 단백질의 202번째 아미노산인 이소루신(Ile)을 트레오닌(Thr)으로 치환함으로써 모체와는 다르게 추가적인 수소결합을 형성하여, 주위 pH에 더욱 민감하게 반응할 뿐 아니라 적색 편이된 형광을 보였다. 수소결합이 확장된 I202T의 pH 민감성을 검증하기 위해 산성과 염기성 pH 범위에서 I202T의 UV-vis 흡광 스펙트럼 변화와 가역성을 확인하고, 그를 pH sensor에 적용 가능한지 그 가능성을 검증하고자 하였다.
본 논문에서는 광섬유 브래그 격자의 공정조건 변화에 따른 $Co^{60}$ 감마방사선 영향을 연구하였다. 광섬유 브래그 격자는 붕소가 첨가된 광민감 광섬유를 이용하여 UV KrF 레이저 세기를 달리하여 제작하였으며, 제작된 광섬유 브래그 격자 센서에 총 선량 33.8 kGy 감마선을 조사하였다. 실험결과를 통하여, 격자 공정을 위한 UV 레이저 세기가 광섬유 브래그 격자의 방사선 민감도에 큰 영향을 줄 수 있다는 것을 확인하였으며, 레이저 공정조건 변화에 따른 방사선에 의한 광섬유 브래그 파장의 변화는 30 % 이상의 차이를 보였다.
The UV radiometer payload was launched successfully from the west coastal area of Korea Peninsula aboard KSR-III on 28, Nov 2002. KSR-III was the Korean third generation sounding rocket and was developed as intermediate step to larger space launch vehicle with liquid propulsion engine system. UV radiometer onboard KSR-III consists of UV and visible band optical phototubes to measure the direct solar attenuation during rocket ascending phase. For UV detection, 4 channel of sensors were installed in electronics payload section and each channel has 255, 290, 310nm center wavelengths, respectively. 450nm channel was used as reference for correction of the rocket attitude during the flight. Transmission characteristics of all channels were calibrated precisely prior to the flight test at the Optical Lab. in KARI (Korea Aerospace Research Institute). During a total of 231s flight time, the onboard data telemetered to the ground station in real time. The ozone column density was calculated by this telemetry raw data. From the calculated column density, the vertical ozone profile over Korea Peninsula was obtained with sensor calibration data. Our results had reasonable agreements compared with various observations such as ground Umkhr measurement at Yonsei site, ozonesonde at Pohang site, and satellite measurements of HALOE and POAM. The sensitivity analysis of retrieval algorithm for parameters was performed and it was provided that significant error sources of the retrieval algorithm.
In order to study a reversible photoisomerization of disperse red l(DR 1) attached on natural polymers, cellulose acetate containing DR l(DR 1/CA adduct) was prepared, and the changes of UV/VIS spectra of its solution(benzene, DMAc). thick film, and LB film were investigated by alternate irradiation with two different wave length lights. DR 1/CA adduct was prepared through tosylation of partially hydrolyzed cellulose acetate followed by reaction with DR 1 at $100^{\circ}C$ in pyridine. From the UV/VIS spectra of DR 1/CA adduct dissolved in DMAc solvent including phosphoglyceride before and after irradiation at 360nm and 45Onm, we found out the changes of UV/VIS spectra were reversible. In addition, the change of UV/VIS spectra of this adduct solution was strongly depended on the sorts of solvents and temperature. As the temperature was increased, UV/VIS spectra of this adduct solution in DMF showed blue shift. These results provided this solution could be applied to a temperature sensor. In the thick film case, we also obtained similar results with solution case. LB monolayer and trilayer from DR 1/CA adduct was obtained by scattering the solution including phosphoglyceride on water surface at the surface pressure of 8mN/m. After irradiation on that LB monolayer and trilayer, the reversible photoisomerization was also detected. From these results we concluded DR 1/CA adduct was suitable for the application to data storage and optical switch, etc.
반도체 시스템에서 센서의 동작은 정보의 인식을 담당하여 외부 정보를 처리하는 시스템의 시작점이라 할 수 있다. 본 연구에서는 갈륨 산화물을 이용한 자외선 검출 소자의 동작 특성에 대한 분석을 바탕으로 반도체 시스템에 활용 가능여부를 평가하였다. 갈륨 산화물은 자외선에 반응하여 저항값이 변화되는 특성을 가지고 있기 때문에 이를 활용한 검출 소자 구현이 가능하다. 하지만 반도체 시스템에 적용 가능여부를 판단하기 위해서는 동작 특성에 대한 세부 연구결과가 필요하다. 본 연구에서는 전극의 크기를 변화하여 갈륨 산화물이 자외선에 반응하여 전류가 흐르는 이동 통로를 만드는 것이 국부적인지를 판단하였으며, 상용화된 제품 수준의 자외선에 대한 반응 속도를 전기적 측정을 통하여 확인하였다. 이를 통해 갈륨 산화물의 상업적 응용 가능성을 확인하고 다양한 반도체 시스템에 통합될 수 있는 가능성을 확인하였다.
An abnormal decrease in ozonesonde sensor signal occurred during air-pollution study campaigns in November 2011 and March 2012 in Mexico City Metropolitan Area (MCMA). Sharp drops in sensor signal around 5 km above sea level and above were observed in November 2011, and a reduction of signal over a broad range of altitude was observed in the convective boundary layer in March 2012. Circumstantial evidence indicated that $SO_2$ gas interfered with the electrochemical concentration cell (ECC) ozone sensors in the ozonesonde and that this interference was the cause of the reduced sensor signal output. The sharp drops in November 2011 were attributed to the $SO_2$ plume from Popocat$\acute{e}$petl volcano southeast of MCMA. Experiments on the response of the ECC sensor to representative atmospheric trace gases showed that only $SO_2$ could cause the observed abrupt drops in sensor signal. The vertical profile of the plume reproduced by a Lagrangian particle diffusion simulation supported this finding. A near-ground reduction in the sensor signal in March 2012 was attributed to an $SO_2$ plume from the Tula industrial complex north-west of MCMA. Before and at the time of ozonesonde launch, intermittent high $SO_2$ concentrations were recorded at ground-level monitoring stations north of MCMA. The difference between the $O_3$ concentration measured by the ozonesonde and that recorded by a UV-based $O_3$ monitor was consistent with the $SO_2$ concentration recorded by a UV-based monitor on the ground. The vertical profiles of the plumes estimated by Lagrangian particle diffusion simulation agreed fairly well with the observed profile. Statistical analysis of the wind field in MCMA revealed that the effect Popocat$\acute{e}$petl was most likely to have occurred from June to October, whereas the effect of the industries north of MCMA, including the Tula complex, was predicted to occur throughout the year.
사파이어 기판 위에 성장된 GaN위에 RUO₂/GaN 쇼트키형 자외선 수광소자를 설계, 제작하였다. 자외선 빛의 흡수율을 높이기 위해, MOCVD 다층구조는 undoped GaN(0.5 ㎛)in ̄-GaN(0.1 ㎛)/n+-GaN(1.5 ㎛)로 성장하였다. 성장층은 3.8×10/sup 18/ cm ̄³의 캐리어 농도와 283 ㎠/V· s의 이동도를 가진다. 500 ㎛내외의 직경을 가지는 메사구조를 형성하기 위해 ECR 식각한 후, n+-GaN층위에 Al으로 저항성 접촉을 하였다. 저항성 및 쇼트키 접촉 사이에 Si₃/N₄ 박막으로 절연한 이후 undoped GaN 층위에 RuO₂ 쇼트키 접촉을 하였다. 제작된 쇼트키 다이오드는 1.15×10/sup -5/ [Ω-㎠]의 접촉비저항을 가졌다. 제작된 다이오드는 역전압인 -5V에서 305pA의 낮은 누설전류를 확인하였는데, 이 값은 RuO₂ 쇼트키 금속증착에 의해 현저히 향상된 것이다. 광측정에서는 10/sup 5/의 자외선대가시광선 제거비와 365nm 파장에서 0.23A/W로 높은 응답도를 보인다.
We have developed a compact and cost-effective camera module on the basis of wafer-scale replication technology. A multiple-layered structure of several aspheric lenses in a mobile camera module is first assembled by bonding multiple glass-wafers on which 2-dimensional replica arrays of identical aspheric lenses are UV-embossed, followed by dicing the stacked wafers and packaging them with image sensor chips. We have demonstrated a VGA camera module fabricated by the wafer-scale replication processing with various UV-curable polymers having refractive indices between 1.4 and 1.6, and with three different glass-wafers of which both surfaces are embossed as aspheric lenses having 200 um sag-height and aspheric-coefficients of lens polynomials up to tenth-order. We have found that precise compensation in material shrinkage of the polymer materials is one of the most technical challenges, in order to achieve a higher resolution in wafer-scaled lenses for mobile camera modules.
This paper describes the formation of porous 3C-SiC by anodization. 3C-SiC thin films were deposited on p-type Si(100) substrates by APCVD using HMDS(Hexamethyildisilane: $Si_2(CH_3)_6$). UV-LED(380 nm) was used as a light source. The surface morphology was observed by SEM and the pore size was increased with increase of current density. Pore diameter of 70 $\sim$ 90 nm was achieved at 7.1 mA/cm$^2$ current density and 90 sec anodization time. FT-IR was conducted for chemical bonding of thin film and porous 3C-SiC. The Si-H bonding was observed in porous 3C-SiC around wavenumber 2100 cm$^{-1}$. PL shows the band gap enegry of thin film(2.5 eV) and porous 3C-SiC(2.7 eV).
The films of Er-doped ZnO (ZnO:Er) were prepared onto MgO wafers by ultrasonic spray pyrolysis at $550^{\circ}C$. The concentration of Er in the deposition source varied from 0.5 wt% to 3.0 wt%. The crystallographic properties and surface morphologies of the films were investigated by X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscope (SEM), respectively. The properties of photoluminescence (PL) for the films were investigated by dependence of PL spectra on the Er concentration in the films. The films were grown as polycrystalline with a dominant direction of [002]. The grain size of the films were reduced by Er-doping. Er-doping enhanced the ultraviolet emission of ZnO:Er films. The ZnO:Er films prepared with the deposition source of 2.0 wt% Er showed the strongest ultraviolet light emission peak among the films in this study.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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