• 제목/요약/키워드: Tuning range

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Push-Push Voltage Controlled Dielectric Resonator Oscillator Using a Broadside Coupler

  • Ryu, Keun-Kwan;Kim, Sung-Chan
    • Journal of information and communication convergence engineering
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    • 제13권2호
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    • pp.139-143
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    • 2015
  • A push-push voltage controlled dielectric resonator oscillator (VCDRO) with a modified frequency tuning structure using broadside couplers is investigated. The push-push VCDRO designed at 16 GHz is manufactured using a low temperature co-fired ceramic (LTCC) technology to reduce the circuit size. The frequency tuning structure using a broadside coupler is embedded in a layer of the A6 substrate by using the LTCC process. Experimental results show that the fundamental and third harmonics are suppressed above 15 dBc and 30 dBc, respectively, and the phase noise of push-push VCDRO is -97.5 dBc/Hz at an offset frequency of 100 kHz from the carrier. The proposed frequency tuning structure has a tuning range of 4.46 MHz over a control voltage of 1-11 V. This push-push VCDRO has a miniature size of 15 mm×15 mm. The proposed design and fabrication techniques for a push-push oscillator seem to be applicable in many space and commercial VCDRO products.

Electroabsorption modulator-integrated distributed Bragg reflector laser diode for C-band WDM-based networks

  • Oh-Kee Kwon;Chul-Wook Lee;Ki-Soo Kim
    • ETRI Journal
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    • 제45권1호
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    • pp.163-170
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    • 2023
  • We report an electroabsorption modulator (EAM)-integrated distributed Bragg reflector laser diode (DBR-LD) capable of supporting a high data rate and a wide wavelength tuning. The DBR-LD contains two tuning elements, plasma and heater tunings, both of which are implemented in the DBR section, which have blue-shift and red-shift in the Bragg wavelength through a current injection, respectively. The light created from the DBR-LD is intensity-modulated through the EAM voltage, which is integrated monolithically with the DBRLD using a butt-joint coupling method. The fabricated chip shows a threshold current of approximately 8 mA, tuning range of greater than 30 nm, and static extinction ratio of higher than 20 dB while maintaining a side mode suppression ratio of greater than 40 dB under a window of 1550 nm. To evaluate its modulation properties, the chip was bonded onto a mount including a radiofrequency line and a load resistor showing clear eye openings at data rates of 25 Gb/s nonreturn-to-zero and 50 Gb/s pulse amplitude modulation 4-level, respectively.

PI 제어기의 입력제한을 이용한 사출 성형기 온도제어 (Temperature Control of Injection Molding Machine using PI Controller with Input Restriction)

  • 장유진
    • 전기학회논문지
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    • 제56권3호
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    • pp.604-610
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    • 2007
  • Injection molding is the most common method of shaping plastic resins for manufacturing a variety of parts. This injection molding is accomplished by injection molding machines (IMM) which consists of a hewer, a reciprocating screw, barrel assembly, and an injection nozzle. The plastic resin is fed to the machine through the hopper and it should be heated to the target melting temperature, which depends on material properties, as closely as possible with very small temperature overshoot in the barrel. Since the barrel, which has temperature dependent specific heat and thermal conductivity in the operating temperature range, is heated by the several electric heater bands, it is not an easy task to control the temperature of the barrel owing to the interference of neighboring heaters and its material properties. Though PID controller with auto-tuning capability is widely adopted in the nm, the auto-tuning process should be carried out whenever the operating temperature is changed significantly. Recently, though the predictive controller is developed and shows good performance, it has drawbacks: 1. Since the heat transfer modeling process is very complicated and should be carried out again when the barrel is changed, it is somewhat inappropriate in the field. 2. The controller performance is not validated in whole operating temperature range. In this paper, cascade type simple PI controller with input restriction is proposed to find the possibility of controlling the barrel temperature in the whole operating temperature range. It is shown by experiment that the proposed controller shows good performance. This result can be applied to design of PI controller with auto-tuning capability.

UHF 대역 모바일 RFID 시스템에 적합한 저잡음 콜피츠 VCO 설계 (Design of Regulated Low Phase Noise Colpitts VCO for UHF Band Mobile RFID System)

  • 노형환;박경태;박준석;조홍구;김형준;김용운
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제18권8호
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    • pp.964-969
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    • 2007
  • 본 논문에서는 모바일 RFID 시스템 환경을 제시하였고, 그 환경에 적합한 저 잡음 차동 콜피츠 전압 제어 발진기를 구현하였다. 밀집 리더 환경에 맞춘 전압 제어 발진기는 $0.35{\mu}m$ 공정을 사용하였고, 주파수 범위는 RFID 주파수 범위인 $860{\sim}960 MHz$를 포함시킬 수 있도록 $1.55{sim}2.053 GHz$로 설계하였다. 2분주기 출력에서 측정한 위상 잡음은 오프셋 주파수가 40 kHz일 때 -106 dBc/Hz로 측정되었고, 1MHz일 때에는 -135 dBc/Hz로 측정되었다. 5 비트의 디지털 튜닝을 이용하여 낮은 발진기 이득(<45 MHz/V)을 갖게 하여 주파수 합성기에서의 위상 잡음 특성을 좋게 하였다. 설계한 차동 콜피츠 발진기의 FOM은 1.93 dB로 타 2 GHz 대역의 발진기들 보다 높게 측정되었다.

1.42 - 3.97GHz 디지털 제어 방식 LC 발진기의 설계 (A Design of 1.42 - 3.97GHz Digitally Controlled LC Oscillator)

  • 이종석;문용
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제49권7호
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    • pp.23-29
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    • 2012
  • 디지털 PLL의 핵심블록이 되는 디지털 제어 발진기를 LC 구조를 기반으로 설계하고 $0.18{\mu}m$ RF CMOS 공정을 사용하여 제작하였다. 2개의 교차쌍 구조의 NMOS 코어를 이용하여 광대역 특성을 구현하였으며, PMOS 배랙터쌍을 이용하여 수 aF의 작은 캐패시터값의 변화를 얻을 수 있었다. 캐패시터 축퇴 기법을 사용하여 캐패시턴스 값을 감소시키어 고해상도 주파수 특성을 구현하였다. 또한, 노이즈 필터링 기법을 바이어스 회로 등에 적용하여 위상잡음에 강한 구조로 설계를 하였다. 측정결과 중심주파수 2.7GHz에서 2.5GHz의 주파수 대역의 출력이 가능하였으며 2.9 ~ 7.1kHz의 높은 주파수해상도를 얻을 수 있었다. 미세튜닝범위와 코어의 전류 바이어스는 4개의 PMOS 배열을 통하여 제어가 가능하도록 하여 유연성을 높였다. 1.8V 전원에서 전류는 17~26mA 정도를 소모하였다. 설계한 DCO는 다양한 통신시스템에 응용이 가능하다.

Design Issues of CMOS VCO for RF Transceivers

  • Ryu, Seong-Han
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제9권1호
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    • pp.25-31
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    • 2009
  • This paper describes CMOS VCO circuit design procedures and techniques for multi-band/multi-standard RF transceivers. The proposed techniques enable a 4 GHz CMOS VCO to satisfy all requirements for Quad-band GSMIEDGE and WCDMA standards by achieving a good trade-off among important specifications, phase noise, power consumption, modulation performance, and chip area efficiency. To meet the very stringent GSM T/Rx phase noise and wide frequency range specifications, the VCO utilizes bond-wire inductors with high-quality factor, an 8-bit coarse tune capbank for low VCO gain(30$\sim$50 MHz/V) and an on-chip $2^{nd}$ harmonic noise filter. The proposed VCO is implemented in $0.13{\mu}m$ CMOS technology. The measured tuning range is about 34 %(3.17 to 4.49 GHz). The VCO exhibits a phase noise of -123 dBc/Hz at 400 kHz offset and -145 dBc/Hz at 3 MHz offset from a 900 MHz carrier after LO chain. The calculated figure of merit(FOM) is -183.5 dBc/Hz at 3 MHz offset. This fully integrated VCO occupies $0.45{\times}0.9\;mm^2$.

운행 가솔린자동차 엔진성능에 미치는 튜닝 흡기 및 배기 시스템의 효과에 관한 연구 (A Study on Effects of Tuning Intake and Exhaust Systems upon Engine Performance in a Driving Gasoline Car)

  • 배명환;구영진;박희성
    • 대한기계학회논문집B
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    • 제41권11호
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    • pp.775-784
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    • 2017
  • 본 연구의 목적은 운행자동차에 있어서 안전운행과 환경에 문제가 없는 효과적인 엔진튜닝의 작업가능성을 확인하고, 튜닝엔진의 특징을 파악하여 엔진튜닝 검사의 기초자료를 분석하는 것이다. 비튜닝 및 튜닝 엔진 2-1, 2-2, 2-3의 4종류에 대한 넓은 범위의 엔진회전수 하에서 4행정, 4기통 DOHC, 터보 인터쿨러, 수냉 가솔린엔진의 실제 운행자동차를 사용하여 공연비 및 성능 특성에 미치는 튜닝엔진의 효과를 실험적으로 조사했다. 운행 가솔린자동차에 대한 엔진의 튜닝 부분은 흡기 다기관, 흡기 파이프, 공기필터, 배기 다기관, 배기 파이프 및 소음기를 포함한다. 1인이 탑승한 5단 자동변속기를 갖는 운행 가솔린자동차 비튜닝 및 튜닝 엔진의 공연비 및 토크는 차대 동력계(Dynojet 224xLC)에 의하여 실험에 의해 측정하였다. 운행 가솔린자동차 튜닝엔진의 최대 토크는 비튜닝엔진보다 평균 103.68% 만큼 증가되었고, 튜닝엔진의 최대 출력은 비튜닝엔진보다도 평균 119.68% 만큼 증가되었음을 알았다.

3단 구성의 디지털 DLL 회로 (All Digital DLL with Three Phase Tuning Stages)

  • 박철우;강진구
    • 전기전자학회논문지
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    • 제6권1호
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    • pp.21-29
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    • 2002
  • 본 논문에서는 전부 디지털 회로로 구성된 고 해상도의 DLL(Delay Locked Loop)를 제안하였다. 제안된 회로는 위상 검출기, 지연 선택 블록, 그리고 각각의 지연 체인을 가지는 Coarse, Fine 그리고 Ultra Fine 위상조정 블록의 삼 단의 형식으로 되어 있다. 첫 번째 단은 Ultra Fine 위상조정블록으로 고 해상도를 얻기 위하여 Vernier Delay Line을 사용하였다. 두 번째와 세 번째 단은 Coarse와 Fine 위상조정블록으로 각각의 단위 지연 체인을 이루는 단위 지연 소자의 해상도 만큼의 위상 제어를 하게 되며, 두 단은 상당히 비슷한 구조를 이루고 있다. 회로는 HSPICE를 이용하여 공급 전압이 3.3V인 $0.35{\mu}m$ CMOS 공정으로 시뮬레이션 되었다. 시뮬레이션 결과 회로의 해상도를 약 10ps로 높일 수 있었으며, 동작 범위는 250MHz에서 800MHz 이다.

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0.13-㎛ RFCMOS 공정 기반 54-GHz 주입 동기 주파수 분주기 (A 54-GHz Injection-Locked Frequency Divider Based on 0.13-㎛ RFCMOS Technology)

  • 서효기;윤종원;이재성
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제22권5호
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    • pp.522-527
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    • 2011
  • 본 논문에서는 54 GHz 대역의 위상 고정 루프에서 사용되기 위한 Ring 발진기를 이용한 3 분주 주입 동기 주파수 분주기(Injection-Locked Frequency Divider: ILFD)를 0.13-${\mu}M$ Si RFCMOS 공정을 이용하여 설계, 제작한 결과를 보인다. 1.8 V의 공급 전압에 대해서 buffer단을 포함하여 70 mW의 전력을 소비하며, 입력 신호가 없을 때 0~1.8 V의 varactor 조정 전압 범위에 대하여 18.92~19.31 GHz에서 자유 발진(free-running oscillation)을 하였다. 0 dBm의 입력 전력에 대해서 1.02 GHz(54.82~55.84 GHz)의 동기 범위(locking range)를 가지며 varactor 조정(0~1.8 V)을 포함한 동작 범위(operating range)는 약 2.4 GHz(54.82~57.17 GHz)를 보였다. 제작된 회로의 크기는 측정 pad를 포함하여 0.42 mm${\times}$0.6 mm이며, pad를 제외한 실제 동작 영역의 크기는 0.099 mm${\times}$0.056 mm이다.

초광대역 응용 시스템을 위한 L밴드 전압제어발진기 설계 (L-band Voltage Controlled Oscillator for Ultra-Wideband System Applications)

  • 구본산;신금식;장병준;류근관;이문규
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제15권9호
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    • pp.820-825
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    • 2004
  • 본 논문에서는 TV set-top tuner용으로 사용할 수 있는 옥타브 밴드를 갖는 전압제어 발진기를 설계하였다. 측정 결과, 주파수 튜닝 범위는 0.9 GHz~2.2 GHz로써 1.3 GHz의 발진 대역을 갖는다. 광대역 튜닝과 선형성, 그리고 일정한 위상 잡음 성능을 유지하기 위해 트랜지스터의 베이스와 에미터부에 모두 4개의 배랙터 다이오드를 사용한 것이 특징이다. 개발된 전압제어발진기는 0 V~20 V의 제어 전압과 10 V, 15 mA의 공급 전력을 필요로 한다. 출력 전력은 5.3 dBm을 중심으로 약 $\pm$1.1 dB의 편차를 갖고, 위상 잡음은 전 발진 대역에서 -94.8 dBc/Hz @ 10 kHz offset 이하의 값을 보인다. 선형성은 평균적으로 65 MHz/V이고 $\pm$10 MHz의 편차를 보인다.