• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.338-341
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• 2002

A new small size Lateral Trench Electrode Insulated Gate Bipolar Transistor (LTEIGBT) is proposed and fabricated to improve the characteristics of device. The entire electrode of LTEIGBT is placed to trench type electrode. The LTEIGBT is designed so that the width of device is 19$\mu\textrm{m}$. The latch-up current density of the proposed LTEIGBT is improved by 10 and 2 times with those of the conventional LIGET and LTIGBT The forward blocking voltage of the LTEIGBT is 130V. At the same size, those of conventional LIGBT and LTIGBT are 60V and 100V, respectively. Because that the electrodes of the proposed device is formed of trench type, the electric field in the device are crowded to trench oxide. We fabricated He proposed LTEIGBT after the device and process simulation was finished. When the gate voltage is applied 12V, the forward conduction currents of the proposed LTEIGBT and the conventional LIGBT are 80mA and 70mA, respectively, at the same breakdown voltage of 150V,

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제29권11호
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• pp.681-684
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• 2016

This research was carried out experiments of variety IGBTs for industrial inverter and electric vehicle. The devices for this paper were planar gate IGBT, trench gate IGBT and dual gate IGBT and we designed using same design and process parameters. As a result of experiments, the electrical characteristics of planar gate IGBT were 1,459 V of breakdown voltage, 4.04 V of threshold voltage and 4.7 V of on-state voltage drop. And the electrical characteristics of trench gate IGBT were 1,473 V of breakdown voltage, 4.11 V of threshold voltage and 3.17 V of on-state voltage drop. Lastly, the electrical characteristics of dual gate IGBT were 1,467 V of breakdown voltage, 4.14 V of threshold voltage and 3.08V of on-state voltage drop. We almost knew that the trench gate IGBT was superior to dual gate IGBT in terms of breakdown voltage. On the other hand, the dual gate IGBT was better than the trench gate IGBT in terms of on state voltage drop.

• 한국분말재료학회지
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• 제20권5호
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• pp.355-358
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• 2013

Micro trench structures are applied in gratings, security films, wave guides, and micro fluidics. These micro trench structures have commonly been fabricated by micro electro mechanical system (MEMS) process. However, if the micro trench structures are machined using a diamond tool on large area plate, the resulting process is the most effective manufacturing method for products with high quality surfaces and outstanding optical characteristics. A nonferrous metal has been used as a workpiece; recently, and hybrid materials, including polymer materials, have been applied to mold for display fields. Thus, the machining characteristics of polymer materials should be analyzed. In this study, machining characteristics were compared between nonferrous metals and polymer materials using single crystal diamond (SCD) tools; the use of such materials is increasing in machining applications. The experiment was conducted using a square type diamond tool and a shaper machine tool with cutting depths of 2, 4, 6 and 10 ${\mu}m$ and a cutting speed of 200 mm/s. The machined surfaces, chip, and cutting force were compared through the experiment.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제52권10호
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• pp.441-446
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• 2003

The chemical mechanical polishing (CMP) process is now widely employed in the ultra large scale integrated (ULSI) semiconductor fabrication. Especially, shallow trench isolation (STI) has become a key isolation scheme for sub-0.13/0.10${\mu}{\textrm}{m}$ CMOS technology. The most important issues of STI-CMP is to decrease the various defects such as nitride residue, dishing, and tom oxide. To solve these problems, in this paper, we studied the planarization characteristics using slurry additive with the high selectivity between $SiO_2$ and $Si_3$$N_4$ films for the purpose of process simplification and in-situ end point detection. As our experimental results, it was possible to achieve a global planarization and STI-CMP process could be dramatically simplified. Also, we estimated the reliability through the repeated tests with the optimized process conditions in order to identify the reproducibility of STI-CMP process.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제2권2호
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• pp.7-10
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• 2001

보석이 포함된 장신구는 보석을 고정시키고 최대한 보석의 심미적 기능을 살리기 위해 후면부로부터 금속 난발(prongs)을 사용한다. 최근의 주얼리 산업은 빠른 유행주기 변화에 따른 신속한 개발을 위해 귀금속이 가능한한 적게 들어간 단발난집형의 목걸이 귀걸이류가 필요하다. 본 연구는 단발난집에 보석을 세팅하여 가볍고 안정적인 신개념의 목걸이를 개발하기 위하여 (주)아메스 개발부와 함께 단발난집 공정을 연구하였다. 보석의 측면부분에서 상측으로 중력방향에 대하여 직교하도록 트렌치를 가공하여 금속틀의 프롱을 접촉시키고 저융점을 갖는 소정의 Sn계솔더를 채용하여 트렌치부에 흡침된 솔더를 응고하여 접합을 완성하였다. 실시예로서 완성된 천연 자수정 스톤과 18K Au님의 단발난집에 적용한 결과 기존 제품에 비해 40% 이상의 Au 무게감소에 따른 비용절감과 우수한 착용감의 새로운 펜던트형 장신구의 개발이 가능하였다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.83-84
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• 2007

Damascene 공정을 이용하여 80nm급의 trench 패턴 내에 구리 배선 형성을 위해 무전해 구리 도금법을 이용하였다. 화학 반응으로 진행되는 무전해 도금법에 의한 구리이온의 초미세 패턴 내 환원 과정에 구리 이온의 물질 전달과정이 구리 도금층의 표면 특성과 superconformality에 미치는 영향을 살펴보았다. 회전 전극에 고정된 칩의 회전 속도가 증가함에 따라 구리 도금층의 비저항이 감소하고, trench 내 균일 도금성이 향상되는 것으로 나타났다.

• 한국가스학회지
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• 제21권3호
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• pp.17-25
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• 2017

최근 화석연료 사용에 따른 지구 온난화 현상에 대한 우려로 대체에너지 자원 개발의 필요성이 대두되고 있다. 이에 알래스카와 시베리아 같은 극한지에 매장된 천연가스에 대한 관심도 증가하고 있다. 하지만 국내 기업은 국내 건설환경과 상이한 극한지에서의 가스배관 공사의 시공 경험과 매뉴얼이 부족하다. 특히 시공 중 트렌치의 안정성이 보장되지 않으면 트렌치 사면의 붕괴로 인한 인부들의 낙상, 건설 장비들의 파손, 공기 증가 등을 야기할 수 있기 때문에 극한지의 트렌치 안정성 연구가 필수적이다. 본 연구에서는 러시아 야쿠츠크(Yakutsk) 지역을 동토지역의 계절별 지반조건의 기준으로 정하였으며, 직경 30 in.와 40 in.의 파이프라인 내리기 시공과정을 가정하였다. 지반조건은 여름과 겨울, Silt와 Peat, 사면의 각도($0^{\circ}$, $10^{\circ}$, $20^{\circ}$)별로 다양한 조건을 고려하였다. 파이프라인 시공 사례 분석을 통해 Pipelayer의 장비하중이 트렌치 안정성에 영향을 줄 수 있는 요소임을 알 수 있었고, 이에 Pipelayer 장비가 트렌치에 미치는 영향을 분석하기 위하여 Pipelayer 장비 종류별, 트렌치와 Pipelayer 장비 사이의 거리별, Pipelayer의 종방향 간격별로 Case를 나누어 수치해석을 시행하였다. 수행결과 사면경사가 클수록, 장비와 트렌치 사이의 거리는 가까울수록 사면의 안전율이 감소하였다. 특히 경사가 $20^{\circ}$일 때는 사면의 예상 파괴면이 Pipelayer 장비에서 트렌치까지 이어지는 것을 확인할 수 있었다. 사면경사가 $20^{\circ}$이하인 겨울철 지반에서는 트렌치 안정성의 문제는 없는 것으로 판단되었다.

• KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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• 제2C권5호
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• pp.262-267
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• 2002

In this paper, we first studied the factors affecting the motor current (MC) signal, which was strongly affected by the systematic hardware noises depending on polishing such as pad conditioning and arm oscillation of platen and recipe, head motor. Next, we studied the end point detection (EPD) for the chemical mechanical polishing (CMP) process of shallow trench isolation (STI) with reverse moat structure. The MC signal showed a high amplitude peak in the fore part caused by the reverse meal. pattern. We also found that the EP could not be detected properly and reproducibly due to the pad conditioning effect, especially when conventional low selectivity slurry was used. Even when there was no pad conditioning effect, the EPD method could not be applied, since the measured end points were always the same due to the characteristics of the reverse moat structure with an open nitride layer.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권3호
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• pp.183-189
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• 2010

In this paper, the trench gate emitter switched thyristor(EST) withl trench gate electrode is proposed for improving snap-back effect which leads to a lot of problems in device applications. The parasitic thyristor which is inherent in the conventional EST is completely eliminated in this structure, allowing higher maximum controllable current densities for ESTs. The dual trench gate allows homogenous current distribution in the EST and preserves the unique feature of the gate controlled current saturation of the thyristor current. The characteristics of the 1700 V forward blocking EST obtained from two-dimensional numerical simulations (MEDICI) is described and compared with that of a conventional EST. we carried out layout, design and process of EST devices.

• 대한전자공학회논문지
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• 제26권6호
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• pp.124-130
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• 1989

ITIC를 중심으로 고밀도 DRAM을 위한 획기적인 밀도 향상을 기할 수 있는 공정과정과 회로디자인의 기술 혁신에 대하여 지다이너 입장에서 논의하였다. 여기서 개발한 TETC라 부르는 DRAM은 trench 기술과 SEG기술을 이용하였는데 $n^+-polysilycon$인 storage 전극과 $n^+-source$ 전극이 self-con-tact되고 soft error 를 극복할 만큼 충분히 큰 정전용량을 갖으므로 절연 영역을 따라서 만든 수직의 캐패시터를 이용함으로써 셀 크기를 기존의 BSE cell구조에 비하여 약 30% 감소되었다.