• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제34권1호
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• pp.38-41
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• 2009

복합레진 수복을 위해 상아질에 total-etch adhesive system을 적용할 경우, 37% 인산 산부식제가 널리 사용되고 있다. 37% 인산은 매우 강력한 부식제로 구강점막이나 안면피부와 접촉되었을 때 심각한 해로운 효과가 발생될 수 있다. 이 증례 보고에서는 복합레진 수복과정에서 사용된 인산 산부식제에 의해 안면피부에 발생된 의원성 화학적 화상을 보고하고자 한다. 산부식제에 의한 화학적 화상은 산부식제를 부주의하고 부적절하게 사용함으로 발생될 수 있으며, 이러한 의원성 손상을 방지하기 위해서는 산부식과 수세과정 후 산부식제가 완전히 제거되었는지를 확인하여야하며, 복합레진 수복 시 러버댐이나 적절한 격리 기구를 사용하는 것이 필요할 것이다. 화상이 발생하였다면, 적절한 응급처치 후 피부과로 의뢰하는 것이 필요할 것이다.

• 대한소아치과학회지
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• 제44권4호
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• pp.419-426
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• 2017

맹출 장애 치료를 위해 교정력을 이용한 매복치의 맹출 유도를 시행하며, 이 과정 중 여러 원인에 의해 부착 실패가 일어날 수 있다. 이 연구의 목적은 산부식 레진 접착 시스템과 자가 산부식 접착 시스템을 이용하여 전단 결합 강도를 평가해보고, 접착 과정 중, 프라이머 도포 후 광중합 단계를 생략하여 시간 절약이 전단 결합 강도에 미치는 영향을 평가해보고자 하였다. 발거된 사람의 상악 전치부 40개 치아를 대상으로 I군과 II군은 산부식 후 프라이머로 Transbond$^{TM}$ XT Light cure Adhesive primer를 적용 하였으며 III군과 IV군은 Transbond$^{TM}$ Plus Self Etching primer을 적용 하였다. I군과 III군은 제조사의 지시 사항대로, II군과 IV군은 접착제 도포 후 광중합 단계를 줄여 부착을 시행하였다. 그 후 전단결합강도와 접착제 잔류 지수(Adhesive Remnant Index, ARI)를 이용하여 기록하였다. 전단결합강도는 I군, II군, III군 그리고 IV군 순으로 컸으며 대조군인 I군과 실험군 간에만 유의차가 있었다(p < 0.05). ARI 지수는 I군, III군, IV군 그리고 II군 순으로 대조군에서 치면과 레진 사이의 결합력이 컸다. 대조군이 유의하게 전단결합강도가 높았으나 다른 군에서도 임상적으로 유용한 전단결합강도를 가진다.

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제32권5호
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• pp.426-436
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• 2007

본 연구에서는 접착레진의 부가적인 도포가 레진 시멘트의 결합강도에 미치는 영향을 연구하였다. One-Step Plus와 Choice, Single Bond와 Rely X ARC, One-Up Bond F와 Bistite II DC를 사용하였고 접착레진으로 D/E Bonding resin과 Pre-Bond Resin을 선택하였다. 적용 및 광중합 유무에 따라 12개의 군을 설정하였다. 제 3대구치의 건전한 상아질 면에 간접 복합레진 수복물을 제작하여 접착을 시행하고$1\;{\times}\;1\;mm^2$의 시편을 만들어 미세인장강도를 측정하였다. 또한 투과전자현미경으로 접착계면을 관찰하였다. 그리하여 다음과 같은 결론을 얻을 수 있었다. 1. Single Bond와 Rely X ARC, 그리고 One-Step Plus와 Choice를 조합하고 광중합을 시행한 군에서, 접착 레진을 부가적으로 도포할 경우 미세인장강도가 증가하였다. 2. One-Up Bond F와 Bistite II DC를 조합한 군에서 접착레진의 부가적인 도포에 의한 미세인장강도의 차이는 나타나지 않았다. 3. 광중합을 시행한 군들 중, One-Step Plus와 Choice를 조합한 군이 다른 군보다 높은 미세인장결합강도를 보였다. 4. 자가중합만을 시행한 군간에는 접착레진의 부가적인 도포에 의한 차이가 나타나지 않았다. 투과전자현미경 관찰을 시행하여 광중합을 시행하고 접착레진을 부가적으로 도포한 실험군에서 미세누출이 감소하고 접착층의 두께가 증가한 것을 확인할 수 있었다. 본 연구결과 완전산부식 상아질 접착제와 이중중합 레진 시멘트를 사용할 경우 부가적인 접착레진의 도포가 임상적으로 유용할 수 있다는 사실을 확인할 수 있었다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2005년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.1-5
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• 2005

The grinding process is replacing lapping and etching process because significant cost savings and performance improvemnets is possible. This paper presents the experimental results of wafer grinding. A three-variable two-level full factorial design was employed to reveal the main effects as well as the interaction effects of three process parameters such as wheel rotational speed, chuck table rotational speed and feed rate on TTV and STIR of wafers. The chuck table rotaional speed was a significant factor and the interaction effects was significant. The ground wafer shape was affected by surface shape of chuck table.

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권7호
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• pp.102-108
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• 1998

A new 1*4 optical waveguide power divider is proposed and fabricated. It consists of a 1*4 multi-branch structure with a beam separator and two beam expanders that can control the splitting ratios between the output ports. The proposed optical waveguide power divider is designed by employing the two dimensional finite difference beam propagation method and is fabricated by a reactive ion etching method. The splitting ratio of fabricatd device is 25.0 : 25.7 : 25.3 : 24.0 for TE mode and 25.7 : 25.2 : 24.1 : 25.0 for TM mode. Comapred with the conventional Y-branch structure, the proposed structure shortens the length of a 1*N divider by the factor 3. Thus it reduces the total propagation loss and the total radiation loss at the branch points. furthermore, the splitting ratios between the output ports may be controlled in this structure for some special applications.

• 한국표면공학회지
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• 제4권1호
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• pp.16-23
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• 1971

In this study , fluoborte solution consisting of lead fluoborate, tin fluoborate and cupric acetate was used. By addition of small amount of Cu+= ion to the solution, the Cu content of deposition layer was almost controlled less than 5%. The amount of Cu in deposition layer was almost constant without any influence of Pb++ & Sn++ in the solution, and the amount of Pb was increased by the increase of total concentration of Pb++ +Sn++ in the solution, and the amount of Pb was increased by the increase of total concentration of Pb++ +Sn++ in the solution . Agitation of plating solution & low current density result in the increase of Cu content. Analyzing of microscopic structures and etching tests of the deposited alloy, it was believed that the alloy had a lamellar structure consisting of copper rich lamellar and lead rich layer.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.221-221
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• 2013

Vertical LED (VLED) has been recognized as a way to obtain the high-power LED due to their advantages [1]. However, approximately 4% of the light generated from the active region is extracted, if the light extraction from side walls and back side is neglected because of Fresnel reflection (FR) and total internal reflection (TIR) [2,3]. In this study, the optical simulation of the VLED with the various microstructures was performed. Among them, the microlens having the diameter of 3 ${\mu}m$ and the height of 1.5 ${\mu}m$ shown the best result was chosen, and then, optimized microlens was formed on a GaN template using conventional semiconductor process. Various microstructures were proposed to improve the light extraction efficiency (LEE) of the VLED for the simulation. The LEE was simulated using LightTools based on a Monte Carlo ray tracing. The microstructures with hemisphere, cone, truncated and cylinder pattern having diameter of 3 ${\mu}m$ were employed on the top layer of the VLED respectively. The improvement of the LEE by using the microstructure is 87% for the hemisphere, 77% for the cone, 53% for the truncated, 21% for the cylinder, compared with the LEE of the flat surface at the reflectance of 85%. The LEE was increased by 88% at the height of 1.5 ${\mu}m$, compared with the LEE of the flat surface. We found that the microlens on the top layer is the most suitable for increasing the LEE. In order to apply the proposed microlens on n-GaN surface, we fabricated microlens on a GaN template. A photoresist array having hexagonal-closed packed microlens was fabricated on the GaN template. Then, optimization of etching the GaN template was performed using a dry etching process with ICP-RIE. The dry etching carried out using a gas mixture of Cl2 and Ar, each having a flow rate of 16 sccm and 10 sccm, respectively with RF power of 50 W, ICP power of 900 W and chamber pressure of 2 mTorr was the optimum etching condition as shown in Fig. 2(a).

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제32권4호
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• pp.377-384
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• 2007

작금의 치질 접착시스템은 도말층 처리 방법에 따라 전부식형과 자가부식형 접착시스템으로 대별된다. 이러한 두 가지 접착시스템의 효용성을 비교, 평가하고 열순환 횟수에 따른 미세누출도 변화를 측정하기 위해 각각의 접착시스템으로 수복된 우치 5급 수복물에, 수복 초기의 효용성를 의미하는 500회의 열순환 자극과 상대적으로 긴 내구성을 의미하는 5,000회의 열순환 자극을 부여한 다음, 전기화학적 방법으로 측정하였다. 건전한 40개의 단근관을 가진 우치를 이용하여 백악법랑 경계부를 중심으로 5급 와동을 형성하였으며, 치아를 각각 10개씩 4개의 실험군 (열순환 횟수 2종 $\times$ 복합레진 수복 2개 군)으로 분류하였다. 20개의 치아에는 전부식형 접착시스템인 Single bond와 Z250 (shade A4)을, 나머지 20개의 치아에는 자가부식형 접착시스템인 AQ bond와 Metafil (shade A4)로 각각 충전하고 광중합기 (XL2500, 3M ESPE, St. Paul, MN, USA)를 이용하여 $600\;mW/cm^2$의 광도로 40초간 광중합하였다. 모든 시편을 실온에서 24 시간동안 증류수에 보관한 다음, 연마하고 각 수복물의 반은 섭씨 5도와 55도의 수조에 30초씩 담궜으며 이동 시간 10초의 열순환 (thermocycling)을 500회 시행하였고, 나머지 반은 5,000회 실시하였다. 미세 전류 측정을 위해 직류 공급원인 TOE 8841 (TOELLNER electronic instrument GMBH, Germany)을 이용하여 10 V의 전압을 부여하였으며 6514 system Electrometer (Keithley Co., Cleveland, Ohio, USA)로 미세전류 (${\mu}A$)를 측정하였다. 전류를 흐르게 한 다음 5-10분까지 20초 간격으로 측정 한 15개 측정치의 평균값을 시편의 미세전류 측정치로 인정하였다. 각 군간의 미세전류 측정치에 대한 유의성은 수복방법 및 열순환 횟수의 변수에 대한 Two-way ANOVA test로 95% 유의 수준에서 검증하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 수복방법과 열순환 횟수 사이의 상호작용은 없었으며 (p = 0.485), 열순환 횟수에 따른 미세누출의 차이도 없었다(p = 0.814). 그러나 자가부식형 접착시스템인 AQ Bond와 Metafil로 수복된 실험군이 전부식형 접착시스템인 Single Bond와 Z250으로 수복된 군에 비해 적은 미세누출도를 보였다 (p = 0.005).

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.80-81
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• 2012

Recently, one of the critical issues in the etching processes of the nanoscale devices is to achieve ultra-high aspect ratio contact (UHARC) profile without anomalous behaviors such as sidewall bowing, and twisting profile. To achieve this goal, the fluorocarbon plasmas with major advantage of the sidewall passivation have been used commonly with numerous additives to obtain the ideal etch profiles. However, they still suffer from formidable challenges such as tight limits of sidewall bowing and controlling the randomly distorted features in nanoscale etching profile. Furthermore, the absence of the available plasma simulation tools has made it difficult to develop revolutionary technologies to overcome these process limitations, including novel plasma chemistries, and plasma sources. As an effort to address these issues, we performed a fluorocarbon surface kinetic modeling based on the experimental plasma diagnostic data for silicon dioxide etching process under inductively coupled C4F6/Ar/O2 plasmas. For this work, the SiO2 etch rates were investigated with bulk plasma diagnostics tools such as Langmuir probe, cutoff probe and Quadruple Mass Spectrometer (QMS). The surface chemistries of the etched samples were measured by X-ray Photoelectron Spectrometer. To measure plasma parameters, the self-cleaned RF Langmuir probe was used for polymer deposition environment on the probe tip and double-checked by the cutoff probe which was known to be a precise plasma diagnostic tool for the electron density measurement. In addition, neutral and ion fluxes from bulk plasma were monitored with appearance methods using QMS signal. Based on these experimental data, we proposed a phenomenological, and realistic two-layer surface reaction model of SiO2 etch process under the overlying polymer passivation layer, considering material balance of deposition and etching through steady-state fluorocarbon layer. The predicted surface reaction modeling results showed good agreement with the experimental data. With the above studies of plasma surface reaction, we have developed a 3D topography simulator using the multi-layer level set algorithm and new memory saving technique, which is suitable in 3D UHARC etch simulation. Ballistic transports of neutral and ion species inside feature profile was considered by deterministic and Monte Carlo methods, respectively. In case of ultra-high aspect ratio contact hole etching, it is already well-known that the huge computational burden is required for realistic consideration of these ballistic transports. To address this issue, the related computational codes were efficiently parallelized for GPU (Graphic Processing Unit) computing, so that the total computation time could be improved more than few hundred times compared to the serial version. Finally, the 3D topography simulator was integrated with ballistic transport module and etch reaction model. Realistic etch-profile simulations with consideration of the sidewall polymer passivation layer were demonstrated.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제49권8호
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• pp.438-444
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• 2000

We report the effects of etch process parameters on the ohmic contact formation in the plasma etching of GaN. Planar inductively coupled plasma system with $CH_4/H_2/Ar$gas chemistry has been used as etch reactor. The contact resistance and the specific contact resistance have been investigated using transfer length method as a function of RF bias power and %Ar gas concentration in total flow rate. AES(Auger electron spectroscopy) analysis revealed that the etched GaN has nonstoichiometric Ga rich surface and was contaminated by carbon and oxygen. Especially large amount of carbon was detected at the sample etched for high bias power (or voltage) condition, where severe degradation of contact resistance was occurred. We achieved the low ohmic contact of $2.4{\times}10^{-3} {\Omega}cm^2$ specific contact resistance at the input power 400 W, RF bias power 150 W, and working pressure 10mTorr with 10 sccm $CH_4$, 15 sccm H2, 5 sccm Ar gas composition.