• 한국재료학회지
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• 제3권2호
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• pp.158-165
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• 1993

실리콘박막의 상부에 고상반응에 의해 형성된 TiS$i_2$ 박막의 응집 거동에 미치는 기판 실리콘의 영향을 조사했다. 폴리실리콘과 어몰퍼스실리콘을 증착상태 또는 어닐링한 상태엣 TiS$i_2$를 형성시키고 90$0^{\circ}C$열처리에 따른 TiS$i_2$의 면저항값의 변화를 조사하고 XRD, SEM 및 TEM에 의한 실리콘의 조직관찰을 행했다. TiS$i_2$응집은 어몰퍼스실리콘 위의 경우가 더욱 심했다. 폴리실리콘을 어닐링하면 TiS$i_2$의 응집은 억제되며 고온에서 어닐링할수록 그 효과가 현저했다. 이는 폴리실리콘의 입도 변화보다는 증착시 존재하는 결함들이 열처리에 의해 감소된 때문이다. 폴리실리콘의 경우는 어닐링 전후에 상관없이 (110)집합조직인 주상정 조직을 갖고 있다. 어몰퍼스실리콘을 결정화시킨 경우는 (111)집합조직를 갖는 등축정 조직을 나타내었다. 실리콘의 표면에너지가 낮은 (111)면이TiS$i_2$ 막의 하부 폴리실리콘에 많이 존재할수록 응집은 촉진된다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.87-89
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• 2005

$Bi_{3.25}Y_{0.75}Ti_{3}O_{12}$[BYT] ferroelectric thin films were deposited by RF-Sputtering method on the $Pt/Ti/SiO_2/Si$. We investigated the effects of processing condition (especially post-annealing) on the structural and ferroelectric properties of the BYT thin films. Increasing the annealing temperature, the peak intensity of (117) increased and c-axis orientation decreased. The BYT thin films crystallized well at $600^{\circ}C$ for 30min. No secondary phases observed in the XRD pattern. At annealing temperature of $700^{\circ}C$, the thin films had no cracks and the grain was uniform. The calculated lattice constants of BYT thin films were a=0.539nm, b=0.536nm, c=3.288nm. The remnant polarization of the $Bi_{3.25}Y_{0.75}Ti_{3}O_{12}$ capacitor reached $1.8uC/cm^2$ at an applied field about 400kV/cm. The BYT thin films can be used as capacitors in Ferroelectric Random Access Memory device.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권2호
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• pp.132-137
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• 1996

Pb(Zr$_{x}$Ti$_{1-x}$ )O$_{3}$ solutions prepared by sol-gel processing with different Zr/Ti ratio were coated on Pt/SiO$_{2}$/Si substrates using spin coating method. Coated films were annealed by rapid thermal annealing at 650.deg. C for 20sec to fabricate Pb(Zr, Ti)O$_{3}$ ferroelectric thin films. Electrical properties of the films such as dielectric constant and loss, ferroelectric hysteresis, fatigue, switching time, and leakage current were measured. Hysteresis of the films with different Zr/Ti ratio yield Pr ranging 10-21.mu.C/cm$^{2}$, E$_{c}$ ranging 37.5-137.5kV/cm. Hysteresis curve was changed from square-type to slim type according to increasing Zr contents. Switching time was faster than 180ns, and leakage current was about 20.mu.A/cm$^{2}$. The film underwent above 10$^{8}$ cycles of reversed polarization showed fatigue with increased coercive field and decreased remnant polarization.tion.

• 한국표면공학회지
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• 제25권5호
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• pp.215-221
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• 1992

This research is aimed at developing(110) preferred TiS2 cathode films and glass typed solid electro-lytes which have high ionic migrations and low electron conductivities for thin secondary solid batteries. To obtain preferred oriented TiS2 thin films on a substrate by CVD method using TiCl4 and H2S gases three factors of heating temperature, inner pressure of furnace and TiCl4/H2S gas mole fraction were ex-amined systematically. To obtain solid films of Li2O-B2O3-SiO2 electrolytes by r.f. sputtering for thin proto-type batteries of Li/Li2O-B2O3-SiO2TiS2, sputtering conditions were examined. TiS2 cathode films showed columnar structure, namely c axis oriented parallely. At low pressure of reaction chamber and low heating temperature, surface of smooth TiS2 films couldd be obtained. Ionic conductivity of Li2O-B2O3-SiO2 films manufactured by r.f. magnetron sputtering were 3$\times$10-7$\Omega$-1cm-1 and electron conductivities were 10-11$\Omega$-1cm-1. Open cell voltage of thin lithium batteries were 2.32V with a designed prototype cell.

• 한국진공학회지
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• 제11권3호
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• pp.135-140
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• 2002

본 논문에서는 p-type (100)Si, (100)MgO 그리고 MgO/si 기판 위에 RF Magnetron sputtering 법으로 $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$(BST)박막을 증착하였다. BST 박막 증착 후 RTA(Rapid Thermal Annealing)를 이용하여 $600^{\circ}C$에서 산소분위기로 1분간 고온 급속 열처리를 하였다. 증착된 BST박막의 결정화를 조사하기 위해 XRD(X-Ray Diffraction)측정을 한 결과 모든 기판에서 (110) $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$(의 주피크가 관찰되어졌고, 열처리 후 재결정화에 기인하여 피크 세기가 증가함을 관찰할 수 있었다. Al 전극을 이용한 커패시터 제작 후 측정한 C-V(Capacitance-Voltage) 특성에서 각각의 기판에서 측정된 커패시턴스 값으로 계산된 유전율은 120(bare Si), 305(Mgo/Si) 그리고 310(MgO)이었다. 누설 전류 특성에서는 0.3 MV/cm이내의 인가전계에서 1 $\mu\textrm{A/cm}^2$ 이하의 안정된 값을 보여주었다. 결론적으로 MgO 버퍼층을 이용한 기판이 BST 박막의 증착을 위한 기판으로써 효과적임을 알 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 춘계학술대회 논문집 전자세라믹스 센서 및 박막재료 반도체재료 일렉트렛트 및 응용기술
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• pp.88-91
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• 2000

The $(Sr_{0.85}Ca_{0.15})TiO_3$(SCT) thin films are deposited on Pt-coated electrode(Pt/TiN/$SiO_2$/Si) using RF sputtering method. The crystallinity of SCT thin films is increased with increase of substrate temperature in the temperature range of 200~500$[^{\circ}C]$. V-I characteristics of SCT thin films show the increasing leakage current with the increases of deposition temperature. The conduction mechanism of the SCT thin films observed in the temperature range of 25~100$[^{\circ}C]$ can be divided into four characteristic regions with different mechanism by the increasing current.

• 대한전기학회논문지
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• 제44권7호
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• pp.914-918
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• 1995

In this study, Pb(Zr$_{x}$ Ti$_{1-x}$ )O$_{3}$ (x=0.65, 0.52, 0.35) thin films were fabricated by Sol-Gel method. A stock solution with excess Pb 10[mol%] of Pb(Zr$_{x}$ Ti$_{1-x}$ )O$_{3}$ was made and spin-coated on the Pt/SiO$_{2}$/Si substrate at 4000[rpm] for 30[sec.]. Coated specimens were dried on the hot-plate at 400[.deg. C] for 10[min.]. Sintering temperature and time were 500~800[.deg. C] and 1~60[min.]. The coating process was repeated 6 times and the final thickness of the thin films were about 4800[A]. To investigate crystallization condition, PZT thin films were analyzed with sintering temperature, time and composition by the XRD. The microstructure of thin fulms were investigated by SEM. The ferroelectric perovskite phases precipitated under the sintering of 700[.deg. C] for 1 hours. In the PZT(52/48) composition, dielectric constant and dielectric loss were 2133, 2.2[%] at room temperature, respectively.ively.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권6호
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• pp.486-491
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• 2002

We have fabricated $Bi_{3.25}La_{0.75}Ti_3O_12$ (BLT) thin films on the Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrates using a metalorganic decomposition (MOD) method with annealing temperature from $550^{\circ}C$ to $750^{\circ}C$. The structural properties of BLT films examined by x-ray diffraction (XRD). From XRD analysis. BLT thin films show polycrystalline structure. The layered-perovskite phase was obtained by spin-on films at above $600^{\circ}C$ for 1h. Scanning electron microscopy (SEM) showed uniform surface composed of rodlike grains. The grain size of BLT films increased with increasing annealing temperature. The BLT film annealed at $650^{\circ}C$ was measured to have a dielectric constant of 279, dielectric loss of 1.85(%), remanent polarization of $25.66\mu C/\textrm{cm}^2$, and coercive field of 84.75 kV/cm. The BLT thin films showed little polarization fatigue test up to $3.5{\times}10^9$ bipolar cycling at 5 V and 100 kHz.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제10권2호
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• pp.7-12
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• 2003

졸-겔(Sol-Gel)법으로 $SiO_2/Si$ 기판 위에 $Bi_{3.3}La_{0.7}O_{12}$(BLT) 강유전체 박막을 스핀코팅하여 Metal-Ferroelectric-Insulator-Silicon 구조의 캐패시터 소자를 제작하였다. 열처리하지 않은 BLT 박막시료를 $650^{\circ}C$와 $700^{\circ}C$의 온도에서 열처리함으로서 임의 배향을 가지는 퍼롭스카이트 결정구조를 나타내었다. 열처리 온도를 $650^{\circ}C$에서 $700^{\circ}C$로 증가시킴에 따라서 (117) 주피크의 full width at half maximum(FWHM)값이 약 $0.65^{\circ}$에서 $0.53^{\circ}$로 감소하여 결정성이 개선되었으며 결정립 크기와 $R_rms$ 값이 증가하면서 박막표면이 거칠어지는 경향을 보여주었다. $700^{\circ}C$에서 열처리한 BLT 박막시료에 대해 인가 전압에 따른 정전용량(C-V)값을 측정한 결과 5V의 인가전압에서 메모리 원도우 값이 약 0.7V를 보여주었으며, 3V의 인가전압에서 누설전류 값이 약 $3.1{\times}10^{-8}A/cm^2$을 나타내었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제38권12호
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• pp.1137-1143
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• 2001

본 연구에서는 적외선 반사체 제조를 위하여 MAS(MgO-Al$_2$O$_3$-SiO$_2$)계 유리로부터 핵행성 및 결정성장의 2단계 열처리에 의해 cordierite(2MgO.2Al$_2$O$_3$5SiO$_2$)와 rutile(TiO$_2$)을 주결정상으로 하는 결정화유리를 제조하였다. MgO-Al$_2$O$_3$-SiO$_2$3성분계 조성에 조핵제로 TiO$_2$를 첨가하여 용융법으로 유리를 제조한 후 결정화 열처리를 하여 핵생성 및 결정화 거동과 결정화유리의 결정상, 입자 크기와 확산 반사율과의 관계를 관찰하였다. 그 결과 75$0^{\circ}C$에서 3시간동안 핵생성 시킨 후 110$0^{\circ}C$/5hr 이상의 열처리 조건에서 cordierite와 rutile이 주결정상으로 석출되었으며 570~2500nm 범위에서 90% 이상의 반사율을 갖는 결정화유리를 제조하였다.