Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.07b
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pp.1030-1033
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2003
This paper presents the deposition characterization of polycrystalline silicon films by the HWCVD(Hot-wire Chemical Vapor Deposition) method at low substrate($300^{\circ}C$). The filament temperature, pressure and $SiH_4$ concentration were determined to be a critical parameter for the deposition of poly-Si films. Series A was deposited under the conditions of $1380^{\circ}C$(Tf), 100 mTorr and $2{\sim}10%\{SiH_4/(SiH_4+H_2)\}$ for 60 min. Series B was deposited under the conditions of $1400{\sim}1450^{\circ}C$ (Tf), 30 mTorr and $2{\sim}12%$ for 60 min. The physical characteristics were measured by Raman and FTIR spectroscopy, dark and photoconductivity measurements under AM1.5 illumination.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1999.07a
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pp.175-175
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1999
Circumventing problems lying in the conventional lithographic techniques, we devised a new method for the fabrication of nanometer scale metal wires inspired by the unique characteristics of carbon nanotubes (CNTs). Since carbon nanotubes could act as masks when CNT-coated thin Au/Ti layer on a SiO2 surface was physically etched by low energy argon ion bombardment 9ion milling), Au/Ti nano-wires were successfully formed just below the CNTs exactly duplicating their lateral shapes. Cross-sectional analysis by transmission electron microscopy revealed that the edge of the metal wire was very sharply developed indicating the great difference in the milling rates between the CNTs and the metal layer as well as the good directionality of the ion milling. We could easily find a few nanometer-wide Au/Ti wires among the wires of various width. After the formation of nano-wires, the CNTs could be pushed away from the metal nano-wire by atomic force microscopy, The lateral force for the removal of the CNTs are dependent upon the width and shape of the wires. Resistance of the metal nano-wires without the CNTs was also measured through the micro-contacts definted by electron beam lithography. since this CNT-based lithographic technique is, in principle, applicable to any kinds of materials, it can be very useful in exploring the fields of nano-science and technology, especially when it is combines with the CNT manipulation techniques.
The purpose of this study is to prepare a high strength fiberglass reinforced metal. Aluminum covering was carried out over carbon materials such as carbon fiber in order to increase their wettability to molten metals such as aluminum. A sputtering apparatus with a cylindrical target was fabricated to carry out the covering. Sputtering was caused by glow discharge between the target and the two anode plates attached to its top and bottom. As the substrate for preliminary test, a thin carbon wire was used instead of carbon fiber, and the wire was placed at the central axis of the target. Aluminium coating was formed on the whole surface of the substrate. The formation rate and structure of coating were varied by controlling the electrical potential of substrate. When the substrate was electrically isolated, coating with columnar structure was formed with a formation rate of $15{\mu}m/hr$. In case of grounded substrate, coating with amorphous structure was formed with a formation rate of $7{\mu}m/hr$.
Small amounts of iodine compound in mineral oils are usually effective in reducing friction of metallic surfaces. Such improvement in frictional behaviour of wear characteristics was explained by the formation of a diiodide layer lattice structure at the metallic contact surfaces. The lubrication mechanism, however, by which organoiodine compounds functions is not based on the formation of such lattice structure iodide. It was tested and shown, by a static surface chemical reactivity test, wear and EP tests, and a hot wire method, that compound such as N-iodopyridinium dichlorodate, a double charge transfer complex, reacted with metals as an interhalogen compound and that the resultant thin film product reduced appreciable the friction of metallic surfaces, more than compounds such as methyl iodide, diiodomethane, and iodoform. These results suggest that the action of iodine, included in organoiodine compounds, is not that of a classical layer structure iodide, and an entirely new mechanism may be derived from a further studies on charge transfer complex compounds of organoiodine compounds.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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v.31
no.6
s.261
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pp.694-700
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2007
Recently, a new cellular metal, WBK(Wire woven Bulk Kagome) has been introduced. WBK is fabricated by assembling metal wires in six directions into a Kagome-like truss structure and by brazing it at all the crossings. Wires as the raw material are easy to handle and to attain high strength with minimum defect. And the strength and energy absorption are superior to previous cellular metals. Therefore, WBK seems to be promising once the fabrication process for mass production is developed. In this paper, an upper bound solution for the mechanical properties of the bulk WBK under compression is presented. In order to simulate uniform behavior of WBK consisted of perfectly uniform cells, a unit cell of WBK with periodic boundary conditions is analyzed by the finite element method. In comparison with experimental test results, it is found that the solution provides a good approximation of the mechanical properties of bulk WBK cellular metals except for Young's modulus. And also, the brazing joint size does not have any significant effect on the properties with an exception of an idealized thin joint.
Metal films (i.e., Ti, Al and SUH310S) were prepared in a magnetron sputtering apparatus, and their cross-sectional structures were investigated using scanning electron microscopy. The apparatus used consisted of a cylindrical metal target which was electrically grounded, and two anode rings attached to the top and to the bottom of the target. A wire was placed along the center-line of the cylindrical target to provide a substrate. When the electrical potential of the substrate was varied, the metal-film formation rate depended on both the discharge voltage and the electrical potential of the substrate. As we made the magnetic field stronger, the plasma which appeared near the target collected on the plasma wall surface and thereby decreased the bias current. The bias current on the conducting wire was different from that for cation collection. The bias current decreased because the collection of cations decreased when we increased the magnetic-coil current. When the substrate was electrically isolated, the films deposited showed a slightly coarse columnar structure with thin voids between adjacent columns. In contrast, in the case of the grounded substrate, the deposited film did not show any clear columns but instead, showed a densely-packed granular structure. No peeling region was observed between the film and substrate, indicating good adhesion.
A highly sensitive magnetic sensor using the Giant MagnetoImpedance effect has been developed. The sensor performance is studied and estimated. The sensor circuitry consists of a square wave generator (driving source), a sensing element in a form of composite wire of a 25 $\mu$m copper core electrodeposited with a thin layer of soft magnetic material ($Ni_{80}Fe_{20}$), and two amplifier stages for improving the gain, switching mechanism, scaler circuit, an AC power source driving the permeability of the magnetic coating layer of the sensing element into a dynamic state, and a signal pickup LC circuit formed by a pickup coil and an capacitor. Experimental studies on sensor have been carried out to investigate the key parameters in relation to the sensor sensitivity and resolution. The results showed that for high sensitivity and resolution, the frequency and magnitude of the ac driving current through the sensing element each has an optimum value, the resonance frequency of the signal pickup LC circuit should be equal to or twice as the driving frequency on the sensing element, and the anisotropy of the magnetic coating layer of the sensing wire element should be longitudinal.
The Journal of Korea Institute of Information, Electronics, and Communication Technology
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v.9
no.6
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pp.604-608
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2016
In recent years, research and development has been carried out in order to increase the economical efficiency and stability in terms of efficient use of energy for the heating apparatus. Especially, technology development for high performance and new functional materials is actively being carried out. This paper focuses on the development of exothermic products with excellent energy transfer characteristics. The heating element used for bedding or mattress uses a heating wire. Since the heating wire is thin, the distribution of heat is concentrated only around the heating wire,. In addition, electromagnetic induction is harmful to the human body and energy consumption is high. Therefore, it is aimed to develop a planar heating panel using SiC ceramics which can radiate far-infrared rays and anions to be harmless to the human body, but also has excellent heat conduction to enhance energy efficiency.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.07a
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pp.104-107
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2001
In order to investigate the effect of Ge addition to the Cu matrix on the microstructure and the critical current density, four kinds of internal tin processed Nb$_3$Sn strands with pure Cu and Cu 0.2, 0.4, 0.6 wt % Ge alloys were drawn to 0.8 mm diameter. The microstructure and critical current of internal tin processed Nb$_3$Sn wires that were heat treated at temperatures ranging from 68$0^{\circ}C$ to 74$0^{\circ}C$ for 240h were investigated. The Ge addition to the matrix did not make workability worse. A Ge rich layer in the Cu-Ge matrix suppressed the growth of the Nb$_3$Sn layer and promoted grain coarsening. The greater the Ge content in the matrix, the lower the net Jc result after Nb$_3$sn reaction heat treatment. There was no significant variation in Jc observed with heat treatment temperature ranging from 68$0^{\circ}C$ to 74$0^{\circ}C$. The values of AC loss of Ge added wires were decreased to 40 % compare with no addition wire. Low AC loss was due to segregation of Ge rich layer in the Cu-Ge matrix. If Ge added wire with thin Nb filaments were fabricated, slow diffusion rate of Sn would be overcome and decreased AC loss that is weak Point of internal tin method.
The a-Si:H/c-Si hetero-junction (HJ) solar cells have a variety of advantages in efficiency and fabrication processes. It has already demonstrated about 23% in R&D scale and more than 20% in commercial production. In order to further reduce the fabrication cost of HJ solar cells, fabrication processes should be simplified more than conventional methods which accompany separate processes of front and rear sides of the cells. In this study, we propose a simultaneous deposition of intrinsic thin a-Si:H layers on both sides of a wafer by dual hot wire CVD (HWVCD). In this system, wafers are located between tantalum wires, and a-Si:H layers are simultaneously deposited on both sides of the wafer. By using this scheme, we can reduce the process steps and time and improve the efficiency of HJ solar cells by removing surface contamination of the wafers. We achieved about 16% efficiency in HJ solar cells incorporating intrinsic a-Si:H buffers by dual HWCVD and p/n layers by PECVD.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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