The pseudo n-type polyaniline was prepared by doping of camphorsulfonic acid(CSA) and dodecylbenzenesulfonic acid(DBSA) as the dopants in solvent of N-methyl-2-pyrrolidinone(NMP). The dopants in polymer structure was qualitatively analyzed using FT-IR. The influence on electrochemical properties with dopant concentration of PANI film were investigated. The electrochemical characteristics of the n-type PANI electrode that coated on ITO were evaluated by cyclic voltammetry(CV) and AC impedance method. The prepared PANI were confirmed as n-type PANI from FT-IR and CV. The charge transfer resistance of film on PANI/CSA electrode were measured as 1.14{\sim}1.09k{\mu}$by AC impedance. The charge transfer resistance of PANI/DBSA electrode decreased with increasing the mole ratio of DBSA as 27.73{\sim}8.37 k{\mu}$. The double layer capacitance of PANI/CSA electrode was showed almost constant value as $13.47{\sim}14.59 {\mu}F$ and that of PANI/DBSA electrode increased with increasing mole ratio of DBSA from 0.49 to $1.20 {\mu}F$.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.456-456
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2010
CMOS 소자가 서브마이크론($0.1\;{\mu}m$) 이하로 스케일다운 되면서 단채널 효과(short channel effect), 게이트 산화막(gate oxide)의 누설전류(leakage current)의 증가와 높은 직렬저항(series resistance) 등의 문제가 발생한다. CMOS 소자의 구동전류(drive current)를 높이고, 단채널 효과를 줄이기 위한 가장 효율적인 방법은 소스 및 드레인의 얕은 접합(shallow junction) 형성과 직렬 저항을 줄이는 것이다. 플라즈마 도핑 방법은 플라즈마 밀도 컨트롤, 주입 바이어스 전압 조절 등을 통해 저 에너지 이온주입법보다 기판 손상 및 표면 결함의 생성을 억제하면서 고농도로 얕은 접합을 형성할 수 있다. 그리고 얕은 접합을 형성하기 위해 주입된 불순물의 활성화와 확산을 위해 후속 열처리 공정은 높은 온도에서 짧은 시간 열처리하여 불순물 물질의 활성화를 높여주면서 열처리로 인한 접합 깊이를 얕게 해야 한다. 그러나 접합의 깊이가 줄어듦에 따라서 소스 및 드레인의 표면 저항(sheet resistance)과 접촉저항(contact resistance)이 급격하게 증가하는 문제점이 있다. 이러한 표면저항과 접촉저항을 줄이기 위한 방안으로 실리사이드 박막(silicide thin film)을 형성하는 방법이 사용되고 있다. 본 논문에서는 (100) p-type 웨이퍼 He(90 %) 가스로 희석된 $PH_3$(10 %) 가스를 사용하여 플라즈마 도핑을 실시하였다. 10 mTorr의 압력에서 200 W RF 파워를 인가하여 플라즈마를 생성하였고 도핑은 바이어스 전압 -1 kV에서 60 초 동안 실시하였다. 얕은 접합을 형성하기 위한 불순물의 활성화는 ArF(193 nm) excimer laser를 통해 $460\;mJ/cm^2$의 에니지로 열처리를 실시하였다. 그리고 낮은 접촉비저항과 표면저항을 얻기 위해 metal sputter를 통해 TiN/Ti를 $800/400\;{\AA}$ 증착하고 metal RTP를 사용하여 실리사이드 형성 온도를 $650{\sim}800^{\circ}C$까지 60 초 동안 열처리를 실시하여 $TiSi_2$ 박막을 형성하였다. 그리고 $TiSi_2$의 두께를 측정하기 위해 TEM(Transmission Electron Microscopy)을 측정하였다. 화학적 결합상태를 분석하기 위해 XPS(X-ray photoelectronic)와 XRD(X-ray diffraction)를 측정하였다. 접촉비저항, 접촉저항과 표면저항을 분석하기 위해 TLM(Transfer Length Method) 패턴을 제작하여 I-V 특성을 측정하였다. TEM 측정결과 $TiSi_2$의 두께는 약 $580{\AA}$ 정도이고 morphology는 안정적이고 실리사이드 집괴 현상은 발견되지 않았다. XPS와 XRD 분석결과 실리사이드 형성 온도가 $700^{\circ}C$에서 C54 형태의 $TiSi_2$ 박막이 형성되었고 가장 낮은 접촉비저항과 접촉저항 값을 가진다.
The transport and optical properties of $In_2O_3$:Zn(IZO) thin films grown by DC magnetron sputtering deposition have been studied. The deposition temperatures ($T_s$) were varied from room temperature to $400^{\circ}C$ in $50^{\circ}C$ steps. The IZO films are an amorphous phase for $T_s$<$300^{\circ}C$ and polycrystalline phase for $350^{\circ}C$<$T_s$. In contrast to ordinary films, amorphous IZO films have lower resistivity and higher optical transmittance than polycrystalline IZO films. The resistivity of amorphous IZO was in the range of 0.29~0.4 m$\Omega$cm and that of polycrystalline IZO was in the range of 1~4 m$\Omega$cm. The carrier type for IZO film was found to be n-type, and the carrier density, was $3~5{\times}10^{20}/cm^3$. The Hall mobility, $({\mu}_H)$, was 20~$50\textrm{cm}^2$/V.sec. The predominant scattering mechanisms in both amorphous and polycrystalline IZO films were believed to be ionized impurity scattering and lattice scattering. The visible transmittance of the IZO films, which decreases with an increase of TS, was above 80%.
In this study, black-glazed porcelain excavated from the Shinan shipwreck is analyzed to distinguish its characteristics. Glazes of Hong-Tang kiln are thin and exhibit little vitrification, whereas the Ci-Zhou-type and Cha-Yang kilns are similar in terms of their cross section. However, Raman mapping images reveal difference in the distribution area of magnetite. In this study, firing experiments are conducted to determine how iron oxides change properties in black glazes. The results show that when hematite is fired to a temperature greater than $1250^{\circ}C$, it becomes magnetite. Therefore, it is estimated that a firing temperature of approximately $1200^{\circ}C$ is suitable for the Hong-Tang kiln. In addition, glazes of the Ci-Zhou-type and Cha-Yang kilns are fired at approximately $1300^{\circ}C$. However, when the characteristics of firing in ancient kilns are considered, porcelain can be fired for a sufficiently long period to extend to glaze surfaces.
Journal of the korean academy of Pediatric Dentistry
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v.48
no.3
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pp.280-290
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2021
Color stability of pulp-capping material is considered vital to the final aesthetic result since the material is placed in the coronal area. The purpose of this study was to compare the color stability of various pulp-capping materials by analyzing color change of tooth over time. A cavity was formed in the crown of the extracted premolar, and 4 types of pulp-capping materials were filled. Color assessment was performed with a spectrophotometer at different intervals: before placement; immediately after material placement; 1 day, 1 week, 2 weeks, 4 weeks, 8 weeks, 12 weeks, and 16 weeks after placement. Proroot white MTA® and TheraCal LC® showed a significant decrease in the L* value and an increase in the ∆E* value over time. In contrast, Biodentine® and Well-RootTM PT showed no significant change in the L* value and maintained a steady ∆E* value. The application of pulp-capping materials containing bismuth oxide as a radiopacifier may result in a color change of teeth. Long-term color stability of pulp-capping materials should be considered when treating teeth with thin enamel thickness or in aesthetically important area.
Jae Han Chung;Ho-Gyun Kim;Yun-Haeng Cho;Junho Hwang;See-Hyung Park;Sungwoo Sohn;Su Bin Jung;Eunsol Lee;Kwangjae Lee;Young-Seok Shim
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.57
no.1
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pp.38-48
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2024
We fabricated In2O3 zig-zag nanocolumns(ZZNCs) by oblique angle deposition method based on e-beam evaporator for highly sensitive and selective CH3COCH3 sensor. Our results indicate that as the ZZNCs layer stacks, the gas response also increases. In comparison to thin films, ZZNCs at 5 layer show a 117-fold enhancement in gas response and a rapid response time (~2 s). When measured with various gases, it showed a high selectivity towards acetone. Under conditions of 80% R.H., exposure to CH3COCH3 gas theoretically indicated a detection limit of 1.2 part-per-billion(ppb). These results suggest the potential of In2O3 ZZNCs as a breath analyzer for the diagnosis of diabetes.
$Cd_2GeSe_4$ and $Cd_2GeSe_4:Co^{2+}$ films were prepared on indium-tin-oxide(ITO)-coated glass substrates by using thermal evaporation. The crystallization was achieved by annealing the as-deposited films in flowing nitrogen. X-ray diffraction spectra showed that the $Cd_2GeSe_4$ and the $Cd_2GeSe_4:Co^{2+}$ films were preferentially grown along the (113) orientation. The crystal structure was rhomohedral(hexagonal) with lattice constants of $a=7.405\;{\AA}$ and $c=36.240\;{\AA}$ for $Cd_2GeSe_4$ and $a=7.43\;{\AA}$ and $c=36.81\;{\AA}$ for $Cd_2GeSe_4:Co^{2+}$ films. From the scanning electron microscope images, the $Cd_2GeSe_4$ and $Cd_2GeSe_4:Co^{2+}$ films were plated, and the grain size increased with increasing annealing temperature. The optical energy band gap, measured at room temperature, of the as-deposited $Cd_2GeSe_4$ films was 1.70 eV and increased to about 1.74 eV and of the as-deposited $Cd_2GeSe_4:Co^{2+}$ films was 1.79 eV and decreased to about 1.74 eV upon annealing in flowing nitrogen at temperatures from $200^{\circ}C$ to $500^{\circ}C$. The dynamical behavior of the charge carriers in the $Cd_2GeSe_4$ and $Cd_2GeSe_4:Co^{2+}$ films were investigated by using the photoinduced discharge characteristics technique.
Shin S. W.;Lee J-H;Lee S. G.;Lee J.;Whang C. N.;Choi I-H;Lee K. H.;Jeung W. Y.;Moon H.-C.;Kim T. G.;Song J. H.
Journal of the Korean Vacuum Society
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v.15
no.1
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pp.97-102
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2006
Anodic alumina with self-organized and ordered nano hole arrays can be a good candidate of an irradiation mask to modify the properties of nano-scale region. In order to try using porous anodic alumina as a mask for ion-beam patterning, ion beam transmittance of anodic alumina was tested. 4 Um thick self-standing AAO templates anodized from Al bulk foil with two different aspect ratio, 200:1 and 100:1, were aligned about incident ion beam with finely controllable goniometer. At the best alignment, the transmittance of the AAO with aspect ratio of 200:1 and 100:1 were $10^{-8}\;and\;10^{-4}$, respectively. However transmittance of the thin film AAO with low aspect ratio, 5:1, were remarkably improved to 0.67. The ion beam transmittance of self-standing porous alumina with a thickness larger than $4{\mu}m$ is extremely low owing to high aspect ratio of nano hole and charging effect, even at a precise beam alignment to the direction of nano hole. $SiO_2$ nano dot array was formed by ion irradiation into thin film AAO on $SiO_2$ film. This was confirmed by scanning electron microscopy that the $SiO_2$ nano dot array is similar to AAO hole array.
Currently titanium is the material of choice for implants because of its biological acceptance. This high degree of biocompatibility is thought to result, in part, from the protective and stable oxide layer that presumably aids in the bonding of the extracellular matrix at the implant-tissue interface. Endosseous dental implants are interfaced with bone, connective tissue, and epithelium when implanted into the jaw bone. The soft tissue interface including connective tissue and epithelium is one of the most critical factors in the determination of implant maintenance and prognosis. For maintenance of failing or failed implants, it is essential to treat the implant fixture surface to remove bacterial endotoxins and make a surface tolerated by surrounding soft and hard tissues. In this study, the effect of mechanical treatment on titanium plasma sprayed implant on adhesiveness and proliferation of human gingival fibroblasts and changed surface characteristics were studied. titanium plasma sprayed discs manufactured by Friedrichsfeld company were treated with loaw speed stone bur, a rubber point and a jetpolisher. Its surface components were analyzed with Energy dispersive X-ray spectroscopy to evaluate whether the surface characteristics were altered or not. To observe the spreading pattern of the human gingival fibroblasts which attached to the all specimens author used the scanning electron microscope. The results were as follows : Pure titanium and plasma sprayed titanium, stone polished titanium showed titanium peak and small amout of aluminum, so there was no alteration on surface characteristics. Under the scanning electron microscopic examination in the initial attachment of human gingival fibroblast, there was a slight enhancement in pure titanium, stone polished titanium than plasma sprayed titanium. After 6 hours, the pure titanium and stone polished titanium showed human gingival fibroblasts were elongated and connected with numerous processes. Human gingival fibroblasts were more intimately attached on the pure titanium discs than on the other discs. The human gingival fibroblasts attached on the plasma sprayed titanium by thin and elongated processes. After 24 hours, the human gingival fibroblasts connected with each other via numerous processes and compeletly covered the pure titanium and stone polshed titanium discs. Human gingival fibroblasts had multiple point contacts with more long and thin lamellopodia and showed a little bare surface on plasma sprayed titanium discs.
YSZ ($8mol\%$ yttria-stabilized zirconia)-modified LSM $(La_{0.85}Sr_{0.15}MnO_3)$ composite cathodes were fabricated by formation of YSZ film on triple phase boundary (TPB) of LSM/YSZ/gas. The YSZ coating film greatly enlarged electrochemical reaction sites from the increase of additional TPB. The composite cathode was formed on thin YSZ electrolyte (about 30 Um thickness) supported on an anode and then I-V characterization and AC impedance analyses were performed at temperature between $700^{\circ}C\;and\;800^{\circ}C$. As results of the impedance analysis on the cell at $800^{\circ}C$ with humidified hydrogen as the fuel and air as the oxidant, R1 around the frequency of 1000 Hz represents the anode Polarization. R2 around the frequency of 100Hz indicates the cathode polarization, and R3 below the frequency of 10 Hz is the resistance of gas phase diffusion through the anode. The cell with the composite cathode produced power density of $0.55\;W/cm^2\;and\;1W/cm^2$ at air and oxygen atmosphere, respectively. The I-V curve could be divided into two parts showing distinctive behavior. At low current density region (part I) the performance decreased steeply and at high current density region (part II) the performance decreased gradually. At the part I the performance decrease was especially resulted from the large cathode polarization, while at the part H the performance decrease related to the electrolyte polarization.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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