• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
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• pp.210-213
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• 2004

The phase transition between amorphous and crystalline states in chalcogenide semiconductor films can controlled by electric pulses or pulsed laser beam; hence some chalcogenide semiconductor films can be applied to electrically write/erase nonvolatile memory devices, where the low conductive amorphous state and the high conductive crystalline state are assigned to binary states. Memory switching in chalcogenides is mostly a thermal process, which involves phase transformation from amorphous to crystalline state. The nonvolatile memory cells are composed of a simple sandwich (metal/chalcogenide/metal). It was formed that the threshold voltage depends on thickness, electrode distance, annealing time and temperature, respectively.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제32권6호
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• pp.448-453
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• 2019

This work reports the electrical characteristics of and temperature distribution in chalcogenide phase change memory (PCM) devices that have a self-aligned structure. GST (Ge-Sb-Te) chalcogenide alloy films were formed in a self-aligned manner by interdiffusion between sputter-deposited Ge and $Sb_2Te_3$ films during thermal annealing. A transmission electron microscopy-energy dispersive X-ray spectroscopy (TEM-EDS) analysis demonstrated that the local composition of the GST alloy differed significantly and that a $Ge_2Sb_2Te_5$ intermediate layer was formed near the $Ge/Sb_2Te_3$ interface. The programming current and threshold switching voltage of the PCM device were much smaller than those of a control device; this implies that a phase transition occurred only in the $Ge_2Sb_2Te_5$ intermediate layer and not in the entire thickness of the GST alloy. It was confirmed by computer simulation, that the localized phase transition and heat loss suppression of the GST alloy promoted a temperature rise in the PCM device.

• 폴리머
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• 제36권6호
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• pp.776-788
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• 2012

셀로비오스, 말토오스 그리고 락토오스를 1-{4-(4'-시아노페닐아조)펜옥시}옥틸브롬 혹은 1-{4-(4'-시아노페닐아조)펜옥시카보닐}헵타노일 클로라이드와 반응시켜 옥타[8-{4-(4'-시아노페닐아조)펜옥시}]옥틸 그리고 옥타[8-{4-(4'-시아노페닐아조)펜옥시카보닐}]헵타노화 이당류 유도체들을 합성함과 동시에 이들의 열방성 액정과 광화학적 상전이 거동을 검토하였다. 모든 {(시아노페닐아조)펜옥시}옥틸 이당류 에테르들(CADETs)은 단방성 네마틱(N) 상들을 형성하는 반면 모든 {(시아노페닐아조)펜옥시카보닐}헵타노화 이당류 에스터들(CADESs)은 양방성 N 상들을 형성하였다. CADETs에 비해, CADESs는 높은 액체(I) 상에서 N 상으로의 전이 온도들을 나타냈다. 유리 셀 혹은 러빙된 폴리이미드(PI) 배향막을 지닌 셀 중에서 N 상을 형성하고 있는 이당류 유도체에 광을 조사시킬 경우, 아조벤젠기의 trans-cis 이성화에 의해 N 상은 I 상으로 변하였다. 한편, 광 조사시켜 얻은 시료를 광을 차단한 상태로 방치할 경우 열에 의한 cis-trans 이성화와 trans 아조벤젠기들의 재배열로 인하여 I 상은 최초의 N 상으로 변하였다. 유리 셀의 경우에 비해 러빙된 PI 배향막을 지닌 셀의 경우가 이당류 유도체들의 광화학적 N-I 그리고 열적 I-N 상전이 속도들은 빠르며 시아노아조벤젠기를 지닌 monomesogenic 화합물들 그리고 4-{4'-(시아노페닐아조)펜옥시}옥틸 글루코오스 그리고 셀룰로오스 에테르들에 대해 관찰되는 결과들에 비해 현저히 달랐다. 이러한 결과를 주사슬의 유연성, 반복단위당에 도입된 메소겐기들의 수 그리고 아조벤젠기들간의 거리에 기인한 아조벤젠기들의 협동효과의 차이의 견지에서 검토하였다.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2001년도 춘계학술대회논문집D
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• pp.354-359
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• 2001

As the temperature of liquid under negative pressure approaches the absolute zero, the nucleation process due to thermal fluctuations hardly occurs. Instead of this mechanism, quantum fluctuations may lead the formation of nucleus for new phase in metastable state. In this study, the thermal as well as quantum nucleation bubble in liquid helium under negative pressure was investigated theoretically. The energy barrier against nucleation was estimated by molecular interaction due to the Londom dispersion force. It is shown that the phase transition from liquid to vapor in is possible due to the quantum tunneling below 0.2 K for Helium-4 and 0.1 K for Helium-3, at negative pressures close to the ideal tensile strength at which every liquid molecules become bubbles simultaneously.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제28권1호
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• pp.108-114
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• 2007

The lyotropic behaviors to form the structure of distearoylphosphatidylcholine (DSPC)-based liquid crystal (LC) hydrated by only propylene glycol (PG) without water were examined by differential scanning calorimetry (DSC), X-ray diffractions (XRD), polarized microscope (PM) and transmission electron microscope (TEM). By increasing the amount of PG instead of water, it showed the phase transition to be gradually changed from anisotropic structures to other structures more close to isotropic ones and their appearance to be changed from solid-like states to liquid-like ones with more fluidity. Below 50% w/w PG, the mixtures of DSPC and PG resulted in no direct observation of LC structure through PM because they were very close to solid-states. From 55% w/w to 90% w/w of PG, the dense lamella crystalline structures were observed through PM, and their thickness and area decreased as the content of PG increased. Measured by DSC with heating process, the main phase transition from α -lamella phase to isotropic phase appeared from 52.89 °C to 47.41 °C to show linearly decreasing behaviors because PG affects the hydrophobic region of DSPC-based lamella phase. The repeating distance of the lamella phase and the interlayer distance between bilayers were calculated with XRDs and the average number of bilayers related to the thickness in LC structure was approximately estimated by combining with TEM results. The WAXS and DSC measurements showed that all of PG molecules contributed to swelling both the lipid layer in the edge region of lamella phase close to phosphate groups and the interlayer between bilayers below 90% w/w of PG. The phase and thermal behaviors were found to depend on the amount of PG used by means of dissolving DSPC as a phospholipid and rearranging its structure. Instead of water, the inducement of PG as a polar solvent in solid-lamella phase is discussed in terms of the swelling effect of PG for DSPC-based lamella membrane.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제17권9호
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• pp.502-507
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• 2016

이산화바나듐은 섭씨 68도에서 금속-절연체 상전이 특성을 나타내는 써모크로믹(thermochromic) 소재로서, 상전이 현상이 일어날 때 광학적, 전기적 성질이 급격히 변화하며, 이러한 상전이 현상은 가역적인 특성을 가지고 있다. 이산화바나듐의 금속-절연체 상전이 현상을 응용하기 위하여 상전이 온도를 상온 부근으로 낮추고자하는 많은 시도들이 있었으며, 직경 100 nm의 1차원 나노구조를 갖는 이산화바나듐 나노와이어의 경우 $29^{\circ}C$ 근처에서 상전이 현상이 일어남이 보고되었다. 본 연구에서는 기상 수송 방법(vapor transport method)을 사용하여 1차원 또는 2차원 나노구조를 갖는 이산화바나듐을 성장시켰다. 특히 동일한 성장 조건에서도 기판에 따라 다른 형태로 이산화바나듐이 성장하는 것을 확인하였다. 즉 Si 기판($Si{\setminus}SiO_2$(300 nm) 위에서는 1차원 나노와이어 형태의 이산화바나듐이 성장하였고, 그래핀 나노시트 위에서 합성된 이산화바나듐은 2차원 또는 3차원 나노구조를 가지고 성장하였다. 바나듐 옥사이드 나노구조체의 성장에 사용된 Si 웨이퍼 위에 박리-전사된 그래핀 나노시트 기판과 thermal CVD 시스템으로 성장된 1D 또는 2D & 3D 나노 구조를 갖는 $VO_2$의 결정학적 특성을 Raman 분광학으로 분석하였다. Raman 분석결과 성장된 바나듐 옥사이드는 $VO_2$ 상을 갖는 것을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.144-145
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• 2007

Phase change random access memory is one of the most promising candidates for next generation non-volatile memories. However, the high reset current is one major obstacle to develop a high density PRAM. One way of the reset current reduction is to develop the new phase change material. In this paper, to reduce the reset current for phase transition, we have investigated the effect of phase change material parameters using finite element analysis.

• 한국추진공학회지
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• 제10권4호
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• pp.19-25
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• 2006

STS 304 발열선과 $Zr-KCIO_4$ 기폭화약을 사용한 전기식 착화기에 대한 열전이 특성을 시험하고 Fitted Wire Model로 분석한 결과, 약 $300^{\circ}C$ 부근에서 기폭화약과 관련된 열전이 특성 파라미터가 급격하게 변화되었다. 이 현상은 기폭화약에 사용된 $KCIO_4$의 상변화로 인한 흡열반응에 의해 발생된 것으로 판단된다.

• 대한화학회지
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• 제20권2호
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• pp.118-128
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• 1976

액체에 대한 significant structure theory 와 상의 전이에 대한 Bragg-Williams근사를 사용하여 액정 화합물인 p-azoxyanisole의 열역학적 성질을 nematic phase와 isotropic phase의 온도범위에 걸쳐 계산하였다. Isotropic phase는 일반적인 액체로 보았으며 nematic phase는 액체적인 성질외에도 분자쌍극자의 배열에 의한 영향도 고려하였다. p-Azoxyanisole의 액체적인 성질은 significant structure theory로 기술하였으며 분자쌍극과 배열에 의한 영향은 Bragg-Williams 근사로써 고려하였다. 부피, 증기압, 정압비열, 열팽창계수, nematic-isotropic 전이점에서의 엔트로피 엔탈피 변화, 절대엔트로피, Helmholtz free energy등을 계산하여 실험치와 비교하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제8권2호
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• pp.278-285
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• 1998

$(A_{1-x}A^'_x)_2ZnCl_4$혼정에서 C-IC 상전이가 A' ions의 pinning 효과에 의해 x의 증가에 따라 사라지는 것은 알려져 왔다. 본 연구에서 우리는 C상에서 polarization 방향이 파괴되지 않고 IC상에서 long range ordering을 유지하는 새로운 혼정인 $K_2Zn_{1-X}Co_XCl_4$결정을 소개한다. 우리는 Czochralski법으로 여러비율에 대한 (x=0, 0.001, 0.005, 0.01, 0.1, 0.3, 0.5, 0.7, 1) $K_2Zn_{1-X}Co_XCl_4$혼정을 육성하였으며 육성된 결정의 성분분석, 열적분석 및 x에 따른 C-IC 상전이의 존재를 확인하였다.