Green $BaSi_2O_2N_2:0.02Eu^{2+}$ phosphor is synthesized through a two-step solid state reaction method. The first firing is for crystallization, and the second firing is for reduction of $Eu^{3+}$ into $Eu^{2+}$ and growth of crystal grains. By thermal analysis, the three-time endothermic reaction is confirmed: pyrolysis reaction of $BaCO_3$ at $900^{\circ}C$ and phase transitions at $1,300^{\circ}C$ and $1,400^{\circ}C$. By structural analysis, it is confirmed that single phase [$BaSi_2O_2N_2$] is obtained with Cmcm space group of orthorhombic structure. After the first firing the morphology is rod-like type and, after the second firing, the morphology becomes round. Our phosphor shows a green emission with a peak position of 495 nm and a peak width of 32 nm due to the $4f^65d^1{\rightarrow}4f^7$ transition of $Eu^{2+}$ ion. An LED package (chip size $5.6{\times}3.0mm$) is fabricated with a mixture of our green $BaSi_2O_2N_2$, and yellow $Y_3Al_5O_{12}$ and red $Sr_2Si_5N_8$ phosphors. The color rendering index (90) is higher than that of the mixture without our green phosphor (82), which indicates that this is an excellent green candidate for white LEDs with a deluxe color rendering index.
MDF was treated on the surface of MDF with fire retardant lacquer, water-soluble flame retardant coat and water-soluble wood cover on the MDF wood, and the pyrolysis characteristics and the atmospheric noxious gas generation characteristics were investigated by using the large capacity thermal analyzer. As a result of investigating pyrolysis and combustion gas generation characteristics after treatment of 0.11 / 11.55 g in terms of mass ratio, it was found that combustion starting time was slightly longer than that of pure MDF in the case of treatment with fire retardant lacquer. The combustion temperature was increased from $340^{\circ}C$ to $450^{\circ}C$. The pyrolysis and combustion gas generation characteristics of the MDF wood treated with the aqueous flame retardant coat showed the changes in combustion starting time and temperature from $260^{\circ}C$ to $542^{\circ}C$ for about 26 minutes at the mass ratio of 0.13 / 11g. Also, when the commercially available waterproof wood cover was treated with 0.13 / 11.55 g of MDF, the sudden weight change tended to increase from $300^{\circ}C$ to $370^{\circ}C$ and showed a second change at approximately $500^{\circ}C$.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.20
no.4
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pp.458-463
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2019
Palladium (Pd) is widely used as a catalyst and noxious gas sensing materials. Especially, various researches of Pd based hydrogen gas sensor have been studied due to the noble property, Pd can be adsorbed hydrogen up to 900 times its own volume. In this study, palladium oxide (PdO) nanostructures were grown on Si substrate ($SiO_2(300nm)/Si$) for 3 to 5 hours at $230^{\circ}C{\sim}440^{\circ}C$ using thermal chemical vapor deposition system. Pd powder (source material) was vaporized at $950^{\circ}C$ and high purity Ar gas (carrier gas) was flown with the 200 sccm. The surface morphology of as-grown PdO nanostructures were characterized by field-emission scanning electron microscopy(FE-SEM). The crystallographic properties were confirmed by Raman spectroscopy. As the results, the as-grown nanostructures exhibit PdO phase. The nano-cube structures of PdO were synthesized at specific substrate temperatures and specific growth duration. Especially, PdO nano-cube structrures were uniformly grown at $370^{\circ}C$ for growth duration of 5 hours. The PdO nano-cube structures are attributed to vapor-liquid-solid process. The nano-cube structures of PdO on graphene nanosheet can be applied to fabricate of high sensitivity hydrogen gas sensor.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.20
no.5
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pp.81-86
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2019
Metal oxide/graphene composites have been known as promising functional materials for advanced applications such as high sensitivity gas sensor, and high capacitive secondary battery. In this study, tin dioxide ($SnO_2$) nanostructures were grown on chemically synthesized graphene nanosheets using a two-zone horizontal furnace system. The large area graphene nanosheets were synthesized on Cu foil by thermal chemical vapor deposition system with the methane and hydrogen gas. Chemically synthesized graphene nanosheets were transferred on cleaned $SiO_2$(300 nm)/Si substrate using the PMMA. The $SnO_2$ nanostuctures were grown on graphene nanosheets at $424^{\circ}C$ under 3.1 Torr for 3 hours. Raman spectroscopy was used to estimate the quality of as-synthesized graphene nanosheets and to confirm the phase of as-grown $SnO_2$ nanostructures. The surface morphology of as-grown $SnO_2$ nanostructures on graphene nanosheets was characterized by field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM). As the results, the synthesized graphene nanosheets are bi-layers graphene nanosheets, and as-grown tin oxide nanostructures exhibit tin dioxide phase. The morphology of $SnO_2$ nanostructures on graphene nanosheets exhibits complex nanostructures, whereas the surface morphology of $SnO_2$ nanostructures on $SiO_2$(300 nm)/Si substrate exhibits simply nano-dots. The complex nanostructures of $SnO_2$ on graphene nanosheets are attributed to functional groups on graphene surface.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.22
no.6
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pp.75-82
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2021
Low-temperature combustion (LTC) strategies, such as HCCI (Homogeneous Charge Compression Ignition), PCCI (Premixed Charge Compression Ignition), and RCCI (Reactivity Controlled Compression Ignition), have been developed to effectively reduce NOx and PM while increasing the thermal efficiency of diesel engines. Through numerical analysis, this study examined the effects of the injection timing and two-stage injection ratio of diesel fuel, a highly reactive fuel, on the performance and exhaust gas of RCCI engines using gasoline as the low reactive fuel and diesel as the highly reactive fuel. In the case of two-stage injection, combustion slows down if the first injection timing is too advanced. The combustion temperature decreases, resulting in lower combustion performance and an increase in HC and CO. The injection timing of approximately -60°ATDC is considered the optimal injection timing considering the combustion performance, exhaust gas, and maximum pressure rise rate. When the second injection timing was changed during the two-stage injection, considering the combustion performance, exhaust gas, and the maximum pressure increase rate, it was judged to be optimal around -30°ATDC. In the case of two-stage injection, the optimal result was obtained when the first injection amount was set to approximately 60%. Finally, a two-stage injection rather than a single injection was considered more effective on the combustion performance and exhaust gas.
Cho, Se Ho;Bai, Byong Chol;Yu, Hye-Ryeon;Lee, Young-Seak
Applied Chemistry for Engineering
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v.22
no.4
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pp.343-347
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2011
Due to the strong dependence on fossil fuels within the history of human progress, it leads to disaster of the whole world like flood, shortage of water and extinction of the species. In order to curb carbon dioxide emissions, many technologies are being developed. Among them, porous carbon materials have important advantages over other absorbent, such as high surface area, thermal and chemical resistance, low cost, various pore distribution and low energy requirement for their regeneration. Carbon capture and storage (CCS) has attracted the significant research efforts for reducing green house gas emission using several absorbent and process. Moreover, the absorbent are used for the separation of bio mass gas that contains methane which is considered a promising fuel as new green energy resource. In this review, we summarized the recent studies and trend about the porous carbon materials for CCS as well as separation from the biogas.
Kim, Jongryul;Choi, Youngyoun;Park, Jongsung;Song, Ohsung
Korean Journal of Metals and Materials
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v.46
no.11
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pp.762-769
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2008
Hydrogenated amorphous silicon(a-Si : H) layers, 120 nm and 50 nm in thickness, were deposited on 200 $nm-SiO_2$/single-Si substrates by inductively coupled plasma chemical vapor deposition(ICP-CVD). Subsequently, 30 nm-Ni layers were deposited by E-beam evaporation. Finally, 30 nm-Ni/120 nm a-Si : H/200 $nm-SiO_2$/single-Si and 30 nm-Ni/50 nm a-Si:H/200 $nm-SiO_2$/single-Si were prepared. The prepared samples were annealed by rapid thermal annealing(RTA) from $200^{\circ}C$ to $500^{\circ}C$ in $50^{\circ}C$ increments for 30 minute. A four-point tester, high resolution X-ray diffraction(HRXRD), field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), transmission electron microscopy (TEM), and scanning probe microscopy(SPM) were used to examine the sheet resistance, phase transformation, in-plane microstructure, cross-sectional microstructure, and surface roughness, respectively. The nickel silicide on the 120 nm a-Si:H substrate showed high sheet resistance($470{\Omega}/{\Box}$) at T(temperature) < $450^{\circ}C$ and low sheet resistance ($70{\Omega}/{\Box}$) at T > $450^{\circ}C$. The high and low resistive regions contained ${\zeta}-Ni_2Si$ and NiSi, respectively. In case of microstructure showed mixed phase of nickel silicide and a-Si:H on the residual a-Si:H layer at T < $450^{\circ}C$ but no mixed phase and a residual a-Si:H layer at T > $450^{\circ}C$. The surface roughness matched the phase transformation according to the silicidation temperature. The nickel silicide on the 50 nm a-Si:H substrate had high sheet resistance(${\sim}1k{\Omega}/{\Box}$) at T < $400^{\circ}C$ and low sheet resistance ($100{\Omega}/{\Box}$) at T > $400^{\circ}C$. This was attributed to the formation of ${\delta}-Ni_2Si$ at T > $400^{\circ}C$ regardless of the siliciation temperature. An examination of the microstructure showed a region of nickel silicide at T < $400^{\circ}C$ that consisted of a mixed phase of nickel silicide and a-Si:H without a residual a-Si:H layer. The region at T > $400^{\circ}C$ showed crystalline nickel silicide without a mixed phase. The surface roughness remained constant regardless of the silicidation temperature. Our results suggest that a 50 nm a-Si:H nickel silicide layer is advantageous of the active layer of a thin film transistor(TFT) when applying a nano-thick layer with a constant sheet resistance, surface roughness, and ${\delta}-Ni_2Si$ temperatures > $400^{\circ}C$.
Park, Cheol-Woong;Kim, Chang-gi;Oh, Se-Chul;Lee, Jang-Hee
Journal of the Korean Institute of Gas
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v.25
no.2
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pp.34-41
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2021
In order to cope with the problems that may occur when the natural gas used in Korea becomes low in calories, the problems that may have to the domestic industrial gas equipment must be identified in advance, and based on this, countermeasures for efficient use of energy must be preceded. In this study, in order to solve the problem of deterioration of engine output performance and efficiency due to the introduction of low calorific gas when using a lean-burning natural gas engine that complies with the EURO-6 regulation, specific control plans and results based on the experiment are intended to be presented. In order to identify the improvement effect by the control variable represented by the ignition timing under the full load condition at the engine speed of 1,400 rpm and 550 Nm, 2,100 rpm, which is the engine speed at the rated operation condition, the thermal efficiency and exhaust gas characteristics were identified and optimized by changing the ignition timing for each gas fuel. In the case of pure methane, which shows the lowest value based on the torque under the full load condition, if the ignition timing is advanced by about 2 CAD from the reference ignition timing, the torque can be compensated without a large increase in NOx emission.
MILD(Moderate or Intense Low-oxygen Dilution) combustion has attracted attention as the clean thermal energy technology due to the lower emissions of unburnt carbon and NOx. MILD combustion aims to enlarge the combustion reaction zone using the spontaneous ignition phenomenon of the reactants. In this study, the ignition delay time of CH4 according to the initial temperature of reactants and the addition of CO, H2 was investigated using a numerical approach. Ignition delay time became shorter as the increases of initial temperature and H2 addition. But, CO addition to the fuel increase the ignition delay time. In case of H2 addition to the fuel, the ignition delay time decreased because the higher fraction of HO2 promotes the decomposition of methyl radical(CH3) and produce OH radical. However, in case of CO addition to the fuel, ignition delay time inceased because a high proportion of HCO consumes H radical. There was no significant effect of HCO on the reduction of ignition delay time. Also, the increase rates of NO emissions by the addition of CO and H2 were approximately 7% and 1%, respectively. A high proportion of NCO affects the increase in NO production rate.
Kim, Hongrae;Jeong, Sungjin;Cho, Jaewoong;Kim, Sungheon;Han, Seungyong;Dhungel, Suresh Kumar;Yi, Junsin
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.35
no.6
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pp.603-609
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2022
Passivation quality is mainly governed by epitaxial growth of crystalline silicon wafer surface. Void-rich intrinsic a-Si:H interfacial layer could offer higher resistivity of the c-Si surface and hence a better device efficiency as well. To reduce the resistivity of the contact area, a modification of void-rich intrinsic layer of a-Si:H towards more ordered state with a higher density is adopted by adapting its thickness and reducing its series resistance significantly, but it slightly decreases passivation quality. Higher resistance is not dominated by asymmetric effects like different band offsets for electrons or holes. In this study, multilayer of intrinsic a-Si:H layers were used. The first one with a void-rich was a-Si:H(I1) and the next one a-SiOx:H(I2) were used, where a-SiOx:H(I2) had relatively larger band gap of ~2.07 eV than that of a-Si:H (I1). Using a-SiOx:H as I2 layer was expected to increase transparency, which could lead to an easy carrier transport. Also, higher implied voltage than the conventional structure was expected. This means that the a-SiOx:H could be a promising material for a high-quality passivation of c-Si. In addition, the i-a-SiOx:H microstructure can help the carrier transportation through tunneling and thermal emission.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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