• 전자공학회논문지
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• 제51권1호
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• pp.79-89
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• 2014

최근 새롭게 보급되는 휴대기기(스마트폰, 울트라북, 태블릿 PC)로 인하여 고용량과 빠른 속도를 원하는 소비자가 증가하고 있다. 이에 따라 Flash Memory의 수요도 지속적으로 증가하고 있다. Flash Memory는 NAND형과 NOR형으로 구분되어 있다. NAND형 Flash Memory는 NOR형 Flash Memory에 비해 속도는 느리지만 가격이 저렴하다. 그렇기 때문에 NAND형 Flash Memory는 Mobile 시장에서 많이 사용되어지고 있다. 그래서 Flash Memory Test를 위한 Fault 검출은 메우 중요하다. 본 논문에서는 Fault 검출 향상을 위한 NAND형 Flash Memory의 Pattern Test를 위한 PMBIST를 제안한다.

• 전자공학회논문지
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• 제50권6호
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• pp.122-130
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• 2013

메모리반도체산업이 성장함에 따라 수요와 공급이 큰 폭으로 증가하고 있다. 그 중 플래시 메모리가 스마트폰, 테블릿PC, SoC(System on Chip)산업에 많이 사용되고 있다. 플래시 메모리는 NOR-형 플래시 메모리와 NAND-형 플래시 메모리로 나뉜다. NOR-형 플래시 메모리는 BIST(Built-In Self Test), BISR(Built-In Self Repair), BIRA(Built-In Redundancy Analysis) 등 많은 연구가 진행되었지만 NAND-형 플래시 메모리 BIST는 연구가 진행되지 않았다. 현재 NAND-형 플래시 메모리 패턴 테스트는 고가의 외부 테스트 장비를 사용하여 테스트를 수행하고 있다. NAND-형 플래시 메모리에서는 블록단위로 소거, 페이지 단위로 읽기, 쓰기 동작이 가능하기 때문에 자체 내장 테스트가 존재하지 않고 외부장비에 의존하고 있다. 고가의 외부 패턴 테스트 장비에 의존해서 테스트를 수행하던 NAND-형 플래시 메모리를 외부 패턴 테스트 장비 없이 패턴 테스트를 수행할 수 있도록 두 가지의 유한 상태 머신 기반 구조를 갖고 있는 BIST를 제안한다.

• 전자공학회논문지A
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• 제30A권1호
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• pp.8-15
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• 1993

A concrete disign of memory circuit is presented aiming at the application of sliding diagonal test patterns. A modification of sliding diagonal test pattern includes the complexity reduction from O(n$^{32}$) to O(n) using parallel test memory concept. The control circuit design was based on delay-element, and verified via logic and circuit simulation. Area overhead was evaluated based on physical layout using a 0.7 micron design rule resulting in about 1% area increase for a typical 16Mbit DRAM.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제17권1호
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• pp.147-155
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• 2017

A new endurance test-pattern generation on NAND-flash memory is proposed to improve test cost. We mainly focus on the correlation between the data-pattern and the device error-rate during endurance testing. The novelty is the development of testing method using quasi-random pattern based on device architectures in order to increase the test efficiency during time-consuming endurance testing. It has been proven by the experiments using the commercial 32 nm NAND flash-memory. Using the proposed method, the error-rate increases up to 18.6% compared to that of the conventional method which uses pseudo-random pattern. Endurance testing time using the proposed quasi-random pattern is faster than that of using the conventional pseudo-random pattern since it is possible to reach the target error rate quickly using the proposed one. Accordingly, the proposed method provides more low-cost testing solutions compared to the previous pseudo-random testing patterns.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2004년도 심포지엄 논문집 정보 및 제어부문
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• pp.153-155
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• 2004

In this paper, we design the memory tester chip playing an important role in the memory tester as central parts. Memory tester has the sixteen inner instructions to control the test sequence and the address and data signals to DUT. These instructions are saved in memory with each block such as sequencer and pattern generator. Sequencer controls the test sequence according to instructions saved in the memory. And Pattern generator generates the address and data signals according to instructions saved in the memory, too. We can use these chips for various functional test of memory.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제18권2호
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• pp.82-86
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• 2019

The reliability of 3D NAND flash memory cell is affected by the charge migration which can be divided into the vertical migration and the lateral migration. To clarify the difference of two migrations, the activation energy of the charge loss is extracted and compared in a conventional square device pattern and a new test pattern where the perimeter of the gate is exaggerated but the area is same. The charge loss is larger in the suggested test pattern and the activation energy is extracted to be 0.058 eV while the activation energy is 0.28 eV in the square pattern.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권9호
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• pp.33-40
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• 2008

메모리의 속도가 빠르게 향상됨에 따라, 고속 메모리를 테스트하기 위한 테스트 장비가 요구되고 있다. 특히 고속 메모리를 사용자가 원하는 명령어를 그대로 사용하여 효율적으로 테스트할 수 있도록 패턴을 만들어 내는 알고리즘 패턴 생성기(ALPG)가 필요하다. 본 논문에서는 고속 메모리 테스트를 위한 새로운 병렬 ALPG를 제안한다. 제안하는 ALPG는 명령어 분석기를 통해 사용자가 실행하고자 하는 명령어를 그대로 사용하여 고속 메모리 테스트를 위한 패턴을 생성할 수 있다.

• 한국통신학회논문지
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• 제19권6호
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• pp.1038-1045
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• 1994

본 논문에서는 CAM에서 발생하는 모든 PSF(Pattern Sensitive Fault)를 검사하기 위한 알고리즘과 테스트회로를 설계하였다. 즉, 짧은 시간에 최소의 부가회로를 이용하여 외부의 장비에 의존하지 않고 테스트하는 내장 테스트회로를 설계하였다. 부가적으로 첨가된 회로로는 병렬비교기와 오류검출기가 있고, 병렬테스팅을 위해서 수정된 디코더를 사용하였다. 또한, 효과적인 테스트패턴을 구하기 위해 Eulerian path의 구성방법에 대해서도 연구를 수행하였다. 결과적으로, 본 논문에서 사용한 알고리즘을 사용하면 워드수에 관계없이 324+2b(b:비트수) 만큼의 동작으로 CAM의 모든 내용을 테스트할 수 있다. 전체 회로중에서 테스트회로가 차지하는 면적은 약 7.5%정도가 된다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제10권4호
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• pp.349-354
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• 1997

This paper aims at studying the improvement of test method for t-weight sensitive fault (t-wsf) detect. The development of RAM fabrication technology results in not only the increase at device density on chips but also the decrease in line widths in VLSI. But, the chip size that was large and complex is shortened and simplified while the cost of chips remains at the present level, in many cases, even lowering. First of all, The testing patterns for RAM fault detect, which is apt to be complicated , need to be simplified. This new testing method made use of Local Lower Bound (L.L.B) which has the memory with the beginning pattern of 0(l) and the finishing pattern of 0(1). The proposed testing patterns can detect all of RAM faults which contain stuck-at faults, coupling faults. The number of operation is 6N at 1-weight sensitive fault, 9,5N at 2-weight sensitive fault, 7N at 3-weight sensitive fault, and 3N at 4-weight sensitive fault. This test techniques can reduce the number of test pattern in memory cells, saving much more time in test, This testing patterns can detect all static weight sensitive faults and pattern sensitive faults in RAM.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제14권3호
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• pp.139-147
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• 2009

메모리 기반 추론 기법은 단순히 학습패턴이나 대표패턴의 형태로 메모리에 저장하며 테스트 패턴과의 거리 계산을 통하여 분류한다. 이 기법의 가장 큰 문제점은 학습 패턴 전체를 메모리에 저장하거나 학습 패턴들을 대표 패턴으로 대체하는 방법을 사용함으로 다른 기계학습 방법에 비하여 많은 메모리 공간을 필요로 하며, 저장되는 학습패턴이 증가할수록 분류에 필요한 시간도 많이 소요된다는 단점을 갖는다. 본 논문은 효율적인 메모리 사용과 분류 성능의 향상을 위한 EAS 기법을 제안하였다. 즉, 학습패턴에 대해 분할공간을 생성한 후 생성된 각 분할공간을 MDL기법과 PM기법으로 평가하였다. 그리고 평가 결과 가장 우수한 분할공간만을 취하여 대표패턴으로 삼고 나머지는 다시 분할하여 평가를 반복하는 기법이다. UCI Machine Learning Repository에서 벤치마크 데이터를 발췌한 실험 자료를 사용하여 제안한 기법의 성능과 메모리 사용량에 있어 우수함을 입증하였다.