This paper explores the relationships between technological acquisition strategies of small firms and innovation in the Korean Electronics industry. Its thesis is that small firms' technology strategies and their effects on the rate of innovation differ according to the new and traditional technology settings. A primary finding of this study is that in-house R & D and technical linkages with buyers and suppliers have stronger effects on the radical innovation in the new technology setting rather than in the traditional technology setting. The findings of the study provides insight for interpreting inconsistent results of recent research for the importance of external linkages to innovation. They also suggest some implications of small firms' strategies and public policies for accelerating technological innovation.
혁신에 대한 연구는 다양한 학문 분야에서 오랫동안 이루어져 왔다. 경영정보학에서도 정보기술의 도입과 활용 현상을 설명하기 위해 기존의 혁신 연구 이론과 결과를 수용하고 있다. 그러나 기존의 혁신 이론은 정보기술 혁신을 설명하는데 있어 한계가 있고 정보기술 혁신의 특성을 제대로 반영하지 못한다는 비판을 받아왔다. 본 연구는 이러한 문제점을 바탕으로 기존의 정보기술 혁신 연구 결과를 종합하여 정보 기술 혁신 특성을 제시하고 경영자를 대상으로 그 특성에 대한 인식을 조사하였다. 분석결과는 일반 혁신보다는 정보기술 혁신에 있어 지식장애 요인이 강하게 나타났으며 혁신 도입 결정요인은 일반 혁신과 정보기술 혁신상의 차이를 발견할 수 없었다.
This paper reviews the most central analytical and methodological issues that arise in developing national STI strategies. First, an outline of the relationship between national innovation systems and the strategic dimension is presented. The paper shows that science, technology and innovation strategy are often used in different forms and that there is no common understanding yet of the actual meaning and coverage of these strategies. The paper develops the terminology from a discussion of different approaches towards company innovation processes analyzing their evolution in different socioeconomic environments and the role and impact of science, technology and innovation policy on company innovation processes. Based on this conceptual understanding the paper defines national science, technology, innovation, and STI strategy and explains the basic terminology. From these definitions, the strategic dimension including the impact on the stakeholders is discussed. It is shown that a major success factor for STI strategy development is the involvement of stakeholders to vary and extend their use of their portfolio of instruments. Moreover it becomes evident that stakeholders follow their own interests which aren't necessarily in the interest of the national STI strategies. The analysis shows advantages and disadvantages as well as potentials and limitations of different approaches to develop STI strategies in their ability to describe the reality of innovation processes and to allow conclusions about the relationship between innovation policy and the innovation processes implemented by companies. It is shown that knowledge of these limitations is an important factor to consider in designing consistent and coherent national STI policy which aims at supporting innovation eventually. Finally the paper concludes that the STI policy mix concept needs a more systemic development approach which is integrated in the national STI strategy development and implementation.
The purpose of this research was to test the effects of technological innovation capability and technology commercialization capability on new product performance of the companies in electronics industry and the moderating role of perceived usefulness of government R&D support. For this study, Research data were collected through questionnaire instruments from the sample of 346 employees in 17 electronics companies of metropolitan area. The 305 sample was selected and analyzed by hierarchical regression technique. The results showed that technological innovation capability and technology commercialization capability had a positive effect on new product performance. And also found out perceived usefulness of government R&D support had the moderate roles between only technical innovation system our of three technological innovation capability factors and new product performance, and also between only manufacturing capability our of three technological commercialization capability factors and new product performance. With the research results, the implications for electronics company were discussed, and the directions for future research were suggested.
This paper summarizes the research results on the structural characteristics of the Korean innovation system. The Korean NIS has functioned well in the foreign technology imitation stage. However, there are many drawbacks to advancing to the stage of technological innovation. Weak infrastructure and linkages among technological institutions are detrimental factors that affect technological innovation. The immobility of professional manpower is a serious bottleneck to knowledge diffusion. Especially, the inactivity of university research prevents universities from being able to play a relevant role in the national innovation system. The drawbacks of the Korean innovation system are mainly associated with the public sector and social culture. Weak linkages among organizations are due to the lack of trust among people and organizations, and absence of demand-oriented management in public institutes. Weaknesses in technological infrastructure, university research and the social and cultural environment are tile result of the lack of government will. However, the private sector was evaluated as being relatively active in innovation. Particularly, Chaebols deployed aggressive strategies to acquire their own technological capabilities. The findings of this study suggest that to strengthen the Korean innovation system, the government continues to be important, as in the past, in order to shape social institutions and a culture that is learning friendly, diffusion friendly and, consequently, innovation friendly.
본 논문에서는 테라헤르츠 시스템에 적용 가능한 쇼트키 다이오드를 이종 레지스트 패터닝 기술을 이용하여 제작 하였다. 제작된 쇼트키 다이오드는 전자선묘화공정(electron beam lithography)과 포토리소그래피(photolithography)를 사용하여 양극 및 양극 패드의 연결을 동시에 패터닝 하여 공정을 단순화 시켰다. 측정결과 제작된 쇼트키 다이오드의 직렬 저항은 $11.2{\Omega}$, 접합용량은 25.96 fF, 이상 계수(ideality factor)는 1.25를 얻었으며, 차단 주파수는 547.6 GHz를 얻었다.
본 논문에서는 200 GHz 대역의 시스템에 응용이 가능한 구형도파관 전송선로와 평면 구조인 마이크로스트립 전송선로 구조의 부품들의 상호 신호전달을 위해 프로브 구조의 변환기를 설계하였다. 설계된 변환기는 프로브, 임피던스 변화를 위한 테이퍼구조와 마이크로스트립 구조의 전송선로로 구성된다. Ansoft사의 HFSS 시뮬레이션 툴을 이용하여 프로브의 크기 및 테이퍼의 길이를 변경하여 주파수 특성 변화를 확인하였으며 최적화하였다. 변환기는 특성 검증을 위해 back-to-back 구조로 설계되었으며, 시뮬레이션 결과 186 GHz ~ 210 GHz의 대역폭을 갖으며 전 대역에서 - 0.81 dB 이하의 삽입손실과 -10 dB 이상의 반사손실을 확인하였다.
본 연구는 과학기술정책 연구의 정체성 파악과 개념 정립을 위해 과학기술정책 연구가 무엇을 연구하는 학문인가에 대한 해답을 구하고자 하였다. 따라서, 그 동안의 과학기술정책 연구가 어떻게 이루어졌는가에 대한 내용분석을 통한 연구현황과 네트워크 분석을 통한 과학기술정책 연구의 지식구조 및 지식흐름을 파악하고자 하였다. 이를 위해 1993년부터 2016년까지의 기술혁신학회지 및 기술혁신연구에 게재된 논문들의 데이터셋을 구축하고 실증분석하였다. 분석결과, 지금까지의 과학기술정책 연구는 서울 대전 지역, 대학 출연(연)에서 대부분의 연구가 수행되어, 특정 지역이나 연구수행 주체에 편중되기보다는 다양화된 형태로 수행되어야 할 것이다. 연구범위별로는 연구관리 및 기술혁신 분야에서 70% 이상을 차지하고 있어, 향후 '과학기술 공공관리' 및 '과학기술 정책과정' 등에서 더 많은 연구가 수행되어 균형 있는 학문 분야로 성장해 나아가야 할 것이다. 한편 과학기술정책 연구의 지식구조를 파악하기 위해 주제어를 활용한 네트워크 분석결과, 연구관리, 기술혁신, 과학기술 공공관리 및 정책과정 등으로 군집화되어 이찬구 김은미 오현정(2016)이 제시한 지식구조와 크게 다르지 않았음을 재확인할 수 있었다. 지식흐름을 파악하기 위해 정권별로 구분하여 시기별 분석을 수행한 결과, 초기 과학기술정책 연구는 연구자, 연구개발투자 등 일반적인 주제로부터 시작하여 최근 기술혁신체제, 연구성과 활용 등 다양화되고 세분화된 연구가 진행되고 있는 것으로 분석되었다. 따라서 향후 과학기술정책연구는 과학기술 정책과정, 과학기술 공공관리, 연구관리, 기술혁신 측면에서 더욱 확대되어야 하며 체계적인 지식구조를 형성해 나아가야 할 것으로 판단된다.
In this paper, a high gain-broad bandwidth MMIC distributed amplifier was designed using cascaded single section distributed amplifier configuration. The PHEMT for this studies was fabricated at our lab The PHEMT has a 0.2 $\mu\textrm{m}$ gate length. a 80 $\mu\textrm{m}$ unit gate width and 4 gate fingers. A designed MMIC amplifier have higher S$\sub$21/ gain than the common distributed amplifier using the same number of active devices. From the simulated result, we obtained that the S$\sub$21/ gain of DC ∼ 20 GHz bandwidth was 15.6 dB and flatness was ${\pm}$0.9 dB, and input and output reflection coefficient were lower than -8 dB. The simulated gain shows an improvement 7.3 dB compared with those of conventional distributed amplifier. And the chip size is 2.0 ${\times}$ 1.2 $\textrm{mm}^2$.
Kim, Sung-Chan;Kim, Jin-Sung;Kim, Byeong-Ok;Shin, Dong-Hoon;Rhee, Jin-Koo;Kim, Do-Hyun
대한전자공학회:학술대회논문집
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대한전자공학회 2002년도 ITC-CSCC -2
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pp.1062-1065
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2002
We demonstrate the MMIC(monolithic microwave integrated circuit) frequency doublers generating stable and low-cost 29 ㎓ local oscillator signals from 14.5 ㎓ input signals. These devices were designed and fabricated by using the MMIC integration process of 0.1 $\mu\textrm{m}$ gate-length PHEMTs (pseudomorphic high electron mobility transistors). The measurements showed S$\_$11/ of -9.2 dB at 14.5 ㎓, S/sub22/ of -18.6 dB at 29 ㎓ and a minimum conversion loss of 18.2 dB at 14.5 ㎓ with an input power of 6 dBm. The fundamental signal of 14.5㎓ was suppressed below 15.2 dBc compared with the second harmonic signal at the output port, and the isolation characteristics of the fundamental signal between the input and the output port were maintained above 30 dB in the frequency range of 10.5 ㎓ to 18.5 ㎓.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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