• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2013.05a
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• pp.78-78
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• 2013

This study has investigated the nanotube morphology control of Ti-30Nb-xTa alloys by applied voltages. The morphology changed from small diameter to large diameter with increasing applied voltage, whereas, changed from large diameter to small diameter with decreasing applied voltage.

• Proceedings of the Korean Ceranic Society Conference
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• 2000.04a
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• pp.27.2-27.2
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• 2000

• Proceedings of the Korean Ceranic Society Conference
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• 2003.04a
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• pp.185.1-185
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• 2003

• Proceedings of the Korean Ceranic Society Conference
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• 2000.10a
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• pp.66.1-66
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• 2000

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2000.05a
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• pp.50-51
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• 2000

• Proceedings of the Korean Ceranic Society Conference
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• 2003.10a
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• pp.195.1-195
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• 2003

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2000.09a
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• pp.350-351
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• 2000

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.10a
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• pp.134-134
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• 2009

원자층 증착법을 이용하여 platinum group metal(Ru, Ir, Pt). metal nitride(TaN, TiN, AlN), 그리고 metal oxide($Al_2O_3$, $TiO_2$)을 증착하고, 미세구조와 공정 변수가 내산화성, 내부식성, 저항 및 온도저항계수에 미치는 영향을 연구하였다. proto-type의 전자저항막 제조를 통해 종래의 TaN 전자저항막에 비해 우수한 내부식성 및 내산화성을 가짐을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2006.06a
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• pp.323-324
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• 2006

저온동시 소결용 세라믹스, LTCC를 사용한 RF/MW용 고유전율 세라믹을 개발하기 위하여 300이상의 고유전율과 낮은 손실 계수를 가지는 것으로 알려진 $Ag(Nb_{1/4}Ta_{3/4})O_3$ 고용체와 $CaTiO_3$, $TiO_2$를 각각 혼합하여 공진주파수의 온도 계수가 0에 가까운 안정된 유전체 특성을 얻고자 하였다. 유전율의 온도 안정성을 도모하기 위해 음의 온도 계수를 갖는 $CaTiO_3$, $TiO_2$와 양의 온도계수를 갖는 $CaTiO_3$ 및 $TiO_2$를 일정 분율로 혼합한 복합체 구조의 시편을 제작하였다. LTCC 소자로의 적용을 위해 3wt.%의 CuO를 첨가하여 소결 온도를 낮추었으며, 소결 시편의 상 분석, 미세구조 및 전기적 특성을 조사하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 1999.05a
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• pp.509-512
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• 1999

Ferroelectric Sr$_2$(Nb, Ta)$_2$O$_{7}$(SNTO), La$_2$Ti$_2$O$_{7}$(LTO) thin films were prepared by sol-gel processes. SNTO, LTO thin films were spin-coated on Pt/TiO$_2$/SiO$_2$/Si(100). Pt/Ti/SiO$_2$/Si(100). PT/ZrO$_2$/SiO$_2$/Si(100) substrates. After multiple coating, dried thin films were heat-treated for decomposition of residual organics and crystallization. Dielectric and other relevant electrical properties were measured and the results showed a little possibility in ferroelectric gate random access memory devices.ces.