본 연구에서는 <1.55um 대역의 편광비의존성을 가지는 반도체 광증폭기를 제작하기 위하여 InGaAsP/InP 이중이종접합 웨이퍼를 이용하여 정방매립형 반도체 광증폭기(SOA)를 제작하였다. 제작된 반도체 광증폭기의 특성을 측정한 결과 3㏈대역폭은 35nm이었으며, 3dB포화출력은 4dBm이었다. ISOmA의 CW구동에서 최대이득은 19.4dB이었다. 반도체 광증폭기의 ASE power를 ASE측정시스템을 이용하여 TE, TM모드에 대하여 측정한 결과 최대이득을 나타내는 영역부근에서 TE 및 TM모드의 분포가 거의 일치하였다. 따라서 본 연구에서 제작된 반도체 광증폭기는 비편광의존성 SOA임을 실험적으로 확인하였다.
접지된 유전체 슬랩 위에 주기적으로 스트립이 놓여 있는 격자구조에 대한 전자파 산란 특성을 TM편파의 경우에 대하여 반사격자(reflection grating)관점과 누설파안테나(leaky wave antenna)관점에서 조사하였다. 수치해석 결과로 Bragg blazing 현상을 두가지 형태(공진형과 비공진형)로 구분하였으며 그 특성(복소전파상수, 산란특성, 전류밀도분포)에 대하여 논의하였다. 특히, 본 연구구조의 TE 및 TM편파 경우에서 확인한 Bragg blazing 현상에 관하여 상세히 기술하였다.
금속박막이 포함된 측면 연마 광섬유 결합기의 편광 선택적 결합 특성에 관한 이론적 연구 결과를 보고한다. 직교 모드이론을 이용하여 다양한 구조 조건에서 소자의 결합 특성을 분석하였다. 금속 박막의 두께가 증가함에 따라 TE 모드사이의 결합의 세기는 급격히 약해지는 반면에 TM 모드의 결합의 세기는 커짐을 보였다. 높은 편광 소멸비와 낮은 삽입 손실을 가지는 편광 분리기의 설계 조건을 제시하였다.
임의의 편파로서 비스듬한 각도록 입사하는 전자파의경우에 대한 접지돈 유전체층 위에 놓여있는 주기적인 스트립격자 구조에서의 특이한 희절현상을 샘플링 정리와 파수영역 방법을 사용하여 해석하였다. 수치적 결과는 임의의 편파와 TE 및 TM편파가 입사되는 경우에 대하여 각각 Bragg 및 Off-Bragg blazing현상을 확인하고 이에 관하여 논의하였다.
등각변환 해석법과 종방향 모드 전송선로 이론을 이용하여 이중 샌드위치 Rib-형 도파로에 기초한 곡면형 편광 무의존성 방향성 결합기(PI-CDC)의 편광특성을 자세하게 탐구하였다. 제안한 곡면형 방향성 결합기의 편광 무의존성 조건을 얻기 위하여 곡면의 내부 반경 크기에 따라 변하는 quasi-TE 모드와 quasi-TM 모드의 결합길이와 결합효율을 분석하였다. 수치해석 결과, 수 마이크로미터 크기의 곡면형 편광 무의존성 방향성 결합기는 이중 샌드위치 층의 구조적, 물질적 변수들과 곡률반경을 잘 선택함으로써 구현할 수 있음을 보였다. 또한, 곡면형 편광 무의존성 방향성 결합기에서 전파하는 quasi-TE/TM 모드들의 분포 프로필을 분석하였고, 그 분석을 통하여 곡면이 전파특성에 어떤 영향을 미치는지에 대하여 조사하였다.
InGaAsP/InP 격자도움형 방향성 결합기(GACC)필터를 제작하고, 필터의 도파로 구조에 대해서 중심파장, 파장대역폭, TE/TM 편광의존성 그리고 파장가변특성 등을 측정하였다. 필터가 좁은 파장대역폭을 갖도록 도파로의 구조를 설계하였다. 균일한 두께와 폭을 갖는 도파로를 제작하기 위해 reactive ion etching 방법을 이용하였다. 제작된 InGaAsP/InP GACC 필터의 출력 스펙트럼은 TM편광에서 1494.0 nm의 중심파장과 1.3 mn의 파장대역폭을 가졌고, TE편광에서는 1530.6 nm의 중심파장과 1.5 nm의 파장대역폭을 보였다. 이 파장대역폭은 지금까지 보고된 1.5mu.m파장대역 부근에서 GACC필터가 갖는 대역폭 중 가장 좁은 것이다. 또한 100 mA의 전류인가에 대한 8 nm정도의 중심파장 이동을 관찰하였다. 그리고 제작된 여러 가지 도파로 구조에 대해 측정한 GACC필터의 동작특성과 계산한 결과가 잘 일치함을 보였다.
모드 전송선로 이론을 이용하여 불연속 입력경계면을 갖는 TE-TM 모드 광 편파기의 편파특성을 정확하게 분석하였다. 제안한 해석법의 타당성 및 정확성을 분석하기 위하여 새로운 편파조건을 정의하였으며, 기존에 널리 사용하여 왔던 결합모드 이론 의 편파조건과 비교 분석하였다. 분석 결과, 불연속 입력경계면의 분연속 특성은 광 편파기의 편파조건에 영향을 주지 않았으나, 결합특성이 약하고 전송구조가 비 대칭 구조인 경우 근사적 해석법인 결합 모드 이론의 편파조건이 부정확함을 알 수 있었다.
등가 전송선로에 기초한 모드 전송선로 이론 (Modal Transmission-Line Theory: MTLT)을 이용하여 이중 샌드위치 Rib-형 층으로 구성된 나노 크기의 격자 구조형 편광 무의존성 결합기 (Grating-Assisted Polarization-Insensitive Coupler: GA-PIC)의 편광특성을 자세하게 분석하였다. 제안한 나노 크기의 GA-PIC의 편광 무의존성 조건을 얻기 위하여 샌드위치 rib형 층의 굴절률과 두께에 따라 변하는 quasi-TE 모드와 quasi-TM 모드의 결합길이를 분석하였으며, 격자구조의 광학적 변수들인 격자두께와 격자주기에 따른 결합길이의 영향도 분석하였다. 수치해석 결과, 수백 나노미터 크기의 GA-PIC는 이중 샌드위치 층과 격자구조의 구조적, 물질적 변수들을 잘 선택함으로써 구현할 수 있음을 보였다.
종방향 모드 전송선로 이론을 이용하여 이중 샌드위치 Rib-형 도파로에 기초한 초소형 편광 무의존성 방향성 결합기 (PIDC)의 편광특성을 자세하게 탐구하였다. 제안한 초소형 방향성 결합기의 편광 무의존성 조건을 얻기 위하여 샌드위치 rib형 도파로의 굴절률과 두께에 때라 변하는 quasi-TE 모드와 quasi-TM 모드의 결합길이와 결합효율을 분석하였다. 수치해석 결과, 수백 마이크로미터 크기의 초소형 편광 무의존성 방향성 결합기는 이중 샌드위치 층의 구조적, 물질적 변수들을 잘 선택함으로써 구현할 수 있음을 보였다. 또한, 이중 샌드위치 rib형 도파로에 분포하는 기본 모드의 프로필이 방향성 결합기의 성능에 어떤 영향을 미치는지에 대하여 조사하였다.
2개의 플라즈마 다중모드 간섭 결합기 (P-MMIC)와 DFB 전송구조를 결합하여 하나의 새로운 초소형 광 편향기를 구현하였다. $2{\times}1$과 $1{\times}2$ P-MMIC를 연결하는 내부 DFB 구조로부터 반사되거나 투과되는 TE, TM 모드들의 편향된 전력들을 P-MMIC를 통하여 출력되도록 설계하였다. 수치해석 결과 설계된 DFB 구조형 플라즈마 다중모드 간섭 결합기의 크기는 약 $75{\mu}m$로 매우 작았으며, 낮은 삽입손실과 높은 분리비율을 보였다. 더욱이, DFB 전송구조의 대역폭은 약 20 nm로 광대역 특성을 나타내었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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