Stainless steels (AISI 316L) are carburized by Inductively coupled plasma using $CH_4$ and Ar gas. The ${\gamma}_c$ phase(S-phase) is formed on the surface of stainless steel after carburizing process. The XRD peak of carburized samples is shifted to lower diffracting angle due to lattice expansion. Overall, the thickness of ${\gamma}_c$ phase showed a linear dependence with respect to increasing temperature due to the faster rate of diffusion of carbon. However, at temperatures above 500, the thickness data deviated from the linear trend. It is expected that the deviation was caused from atomic diffusion as well as other reactions that occurred at high temperatures. The interfacial contact resistance (ICR) and corrosion resistance are measured in a simulated proton exchange membrane fuel cell (PEMFC) environment. The ICR value of the carburized samples decreased from 130 $m{\Omega}cm^2$ (AISI 316L) to about 20 $m{\Omega}cm^2$. The sample carburized at 200 showed the best corrosion current density (6 ${\mu}Acm^{-2}$).
In this study, the effect of Au-Sn alloy coating on reliability of electrical contacts was investigated via comparison with Au-Co alloy coating. The results show that Au-Sn alloy exhibited lower contact resistance and higher solder spreadability than those of Au-Co alloy after thermal aging. In the case of Au-Co alloy plating, the underlying Ni element diffused into Au-Co layer to form Ni oxides on surface during thermal aging, leading to increased contact resistance and decreased solder spreadability. Meanwhile, for Au-Sn alloy plating, Au-Ni-Sn metallic compound was formed at the interface between Au-Sn layer and underlying Ni layer. This compound acted as a diffusion barrier, thereby inhibiting the diffusion of Ni to Au-Sn layer during thermal aging. Consequently, Au-Sn alloy layer showed better contact reliability than that of Au-Co alloy layer.
In this study, new morphology of NCA cathode material for lithium ion batteries was obtained through the electrospinning method. The prepared NCA nanofibers formed a nano-bush structure, and the primary particles were formed on the surface of the nanofibers. The embossing primary particles increased the surface area thus increasing the reactivity of lithium ions. The nano-bush structure could shorten the Li+ diffusion path and improve the Li+ diffusion coefficient. Scanning electron microscopy (SEM) revealed that the synthesized material consisted of nanofibers. The surface area of the nanofibers increased by primary particles was measured using atomic force microscopy (AFM). X-ray diffraction (XRD) analysis was carried out to determine the structure of the NCA nanofibers.
두께가 서로 다른 $C_3$ 식물의 잎은 단위엽면적당 광합성 능력에 있어서도 차이가 나는 바 잎의 내부구조와 기체교환 사이의 관계를 바탕으로 그 원인을 구명하였다. 광합성의 2대 제한요인으로 기체확산과 생화학적 과정의 상대적인 중요도를 결정하기 위해 중엽세포의 표면은 기체확산 저항의, 그리고 세포의 체적은 탄소고정 능력의 지표로 가정하였다. 즉 세포의 표면적이 증가하면 이산화탄소의 액상확산 저항이 감소하며 체적이 증대되면 carboxylation, oxygenation, 그리고 dark respiration 반응속도가 증가한다고 간주하였다. 이러한 개념을 함축하는 광합성 모형을 작성하고 이 가설의 검증을 위해 대두 품종 Amsoy잎을 이용한 실험을 수행하였다. 생장조절실내에서 200, 400, 600$\mu$mol photons m$^{-2}$ s$^{-1}$ PAR을 공급하여 서로 다른 두께의 잎을 준비하였으며 제3 및 4본엽에 대해 1,000 $\mu$mol photons m$^{-2}$ s$^{-1}$ PAR 및 28 기온 환경하에서 이산화탄소 흡수속도를 측정한 결과 세포의 체적과 표면적의 영향을 동시에 고려한 광합성 모형이 세포 표면적만을 고려한 경우 보다 실측치에 가까운 예측치를 산출하였다. 이로 미루어 세포의 표면적과 체적은 잎의 두께 및 그에 따른 광합성 능력의 예측에 적절한 변수로 간주된다.
흙냄새 혹은 곰팡이 냄새 등을 야기시키는 MIB는 남조류나 방선균등에 의해 생성되는 2차 대사산물이다. MIB는 일반적인 정수공정(응집, 침전, 여과)에 의해서는 쉽게 제거가 되지 않을 뿐만 아니라, 수돗물에 수 ng/L정도만 존재하더라도 소비자에게 심미적인 불쾌감을 유발시킬 수 있다. 일반적으로 MIB는 정확한 양의 PAC가 투입될 때 효과적으로 제거될 수 있으나, 대부분 정수장 운전자들은 PAC를 적당히 투입한 다음 처리 후 직접적인 관찰(냄새감지)에 근거하여 투입량을 조절함으로써 과잉투입 혹은 과소투입과 같은 결과를 야기하고 있는 실정이다. 이와 같은 배경을 바탕으로 본 연구에서는 $^{14}C$-radiolabled MIB을 이용한 등온흡착 및 흡착동역학 실험을 수행하여 HSDM에 필요한 물질전달계수와 표면확산계수를 결정하였다. HSDM은 실제 실험을 잘 모의하였으며, 실험 결과 또한 정확히 예측하였다. HSDM 결과에 근거하여 저자들은 Excel spreadsheet을 이용하여 최적 PAC 투입량 예측프로그램을 개발하였다. 개발된 프로그램을 실제 2개의 정수장에 적용한 결과 정수장 운전자의 경험에 의해 구해진 실제 PAC 투입량과 새롭게 개발된 프로그램에 의해 구해진 PAC 투입량 사이에 많은 차이를 보였다. 만약 정수장 운전자가 최적 PAC 투입량 예측프로그램을 이용하여 PAC 투입량을 결정한다면, 이 문제는 충분히 해결될 수 있을 것으로 판단된다.
반도체 소자의 소형화, 고집적화로 박막의 다층화 및 선폭 감소로 인한 실리콘 웨이퍼와 금속 박막 사이의 확산을 방지하기 위한 많은 연구가 이루어지고 있다. 본 연구는 tungsten (W)을 주 물질로 증착시 nitrogen (N)의 유량을 2.5~10 sccm으로 변화시키며 증착된 확산방지막의 nano-mechanics 특성에 대해 연구하였다. 증착률, 비저항 및 결정학적 특성을 ${\beta}$-ray backscattering spectroscopy, 4-point probe, X-ray diffraction (XRD)을 이용하여 측정한 후 Nano-indenter를 사용하여 nano-mechanics 특성을 조사하였다. 그 결과 질소 가스 유량이 5 sccm 포함된 박막에서 표면 경도(surface hardness)는 10.07 에서 15.55 GPa로 급격하게 증가하였다. 이후 질소가스의 유량이 7.5 및 10 sccm에서는 표면 경도가 각각 12.65와 12.77 GPa로 질소 가스 유량이 5 sccm인 박막보다 표면경도가 상대적으로 감소하였다. 이는 박막 내 결정질과 비정질의 W과 N의 결합 비율의 차이에 의한 영향으로 생각되며, 또한 압축응력에 기인한 스트레스 증가가 원인으로 판단된다.
The morphology of deposits on $15-{\mu}m$ thin SiC filaments has been investigated with SEM and compared with UV-excited laser induced broadband fluorescences in co-flowing, propane laminar diffusion flames in a reduced oxidizer environment. The homogeneous morphology of droplet-like deposits inner flame zone and the agglomeration of condensed-phase deposits and the transition to soots from grown up droplet-like precursors with approaching the flame surface can be observed in a barely sooting flame. The average size of the mature soots deposited in the luminous flame edge is scarcely dependent on their axial position in a confined flame under reduced oxidizer condition. A double structure of PAH fluorescence is observed in near-extinction flames with further decreasing of oxidizer. A comparison of the PAH fluorescence with the morphologies of deposits indicates that appearance of the "dark" hollow zone is caused by a decreased number density of developed liquid-phase large molecules and the outer weak fluorescence zone is caused by the diffusion of gas-phase small molecules.
Vertical mixing in the ocean affects the formation of water masses as well as the vertical distribution of nutrients and dissolved substances. this study is to investigate the effect of stability on the intensity of vertical transfer in the case of shallow and straitfied channel. It is found that the relation of the stability and vertical turbulent diffusion is given by K$\sub$z/ = -${\beta}$-(c+${\beta}$) / ${\alpha}$(E-1/${\alpha}$) where K$\sub$z/ and E denotes the vertical turbulent diffusion coefficient and stability, respectively. The empirical coefficients ${\alpha}$, ${\beta}$ and c depend on the magnitude of vertical components and stability, i.e., through thermocline intensity. The study indicates that the diffusivity of the surface mixed layer is (K$\sub$z/)=300∼1,200$\textrm{cm}^2$/sec, the thermocline layer is (K$\sub$z/)= 50∼200$\textrm{cm}^2$/sec and the cold layer is (K$\sub$z/)=200∼600$\textrm{cm}^2$/sec based on near- minimum least-squares error estimates from the regression analysis. An important result of our study comes out that the model is in accordance with the general trends of the effect of stability on the vertical turbulent diffusion coefficients in the case of shallow and strongly stratified channel.
We analyze piecewise homogenization with flux-weighted cross sections and preservation of averaged currents at the boundary of the homogenized domain. Introduction of a set of flux discontinuity ratios (FDR) that preserve reference interface currents leads to preservation of averaged region reaction rates and fluxes. We consider the class of numerical discretizations with one degree of freedom per volume and per surface and prove that when the homogenization and computing meshes are equal there is a unique solution for the FDRs which exactly preserve interface currents. For diffusion submeshing we introduce a Jacobian-Free Newton-Krylov method and for all cases considered obtain an 'exact' numerical solution (eight digits for the interface currents). The homogenization is completed by extending the familiar full assembly homogenization via flux discontinuity factors to the sides of regions laying on the boundary of the piecewise homogenized domain. Finally, for the familiar nodal discretization we numerically find that the FDRs obtained with no submesh (nearly at no cost) can be effectively used for whole-core diffusion calculations with submesh. This is not the case, however, for cell-centered finite differences.
The concentration profiles of deep energy levels($E_c$ -0.23e V, $E_v$+0.36e V and $E_c$ -0.23e V) in platinum-diffused silicon have generally a sharp gradient in the vicinity of the surface of the silicon wafer. In this work two efficient methods are proposed to obtain the uniform concentration profiles throughout the silicon wafer. One is that the platinum diffusion is carried out at $1000^{\circ}C$ for 1h in oxygen atmosphere. In this case the values of obtained uniform concentration, $1{\times}10^{15}cm^{-3}$ for the $E_c$ -0.23e V level, and 1{\times}10^{14}cm^{-3}$ for the $E_c$ -0.52e V level, are very restricted, respectively. The other is two-step annealing process. The platinum diffusion is carried out at $850{\sim}1100^{\circ}C$ in a nitrogen ambient for 1h and then the annealing is performed at $1000^{\circ}C$ in oxygen ambient after removing platinum-source from the platinum diffused samples. The advantage of this method is that the uniform concentration of these levels required power devices can be controlled by setting the desired temperatures when the platinum diffusion is carried out in nitrogen ambient.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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