The surface-enhanced Raman scattering(SERS) of benzylcyanide in a silver sol was investigated. It was concluded that the molecule adsorbed onto the silver surface via the ${\pi}$ system of the CN group. The molecule was assumed to coordinate with either a single atom or two silver atoms. According to the SERS selection rule, the benzene ring of the adsorbed species seemed to assume a flat stance with respect to the silver surface.
We have studied the effect of speed of deposited atom on morphology evolution during Glancing Angle Deposition (GLAD). Using Kinetic Monte Carlo simulation that incorporate molecular dynamics simulations, we have shown that the rough surface morphology became smoother as the speed of deposited atom is increased. The growth exponent ${\beta}$ change from 0.97 to 0.67 as the speed increase from ${\upsilon}_0$ to $10{\upsilon}_0$ in the case of GLAD. We also examined the effect of speed of deposited atom for the case of chemical vapor deposition (CVD) simulation. Compared to GLAD, the variation in scaling exponent ${\beta}$ is small but the speed of deposited atom also have considerable effect on growth morpholgy in the case of CVD.
Using scanning tunneling microscopy (STM) measurements, we studied the adsorption of hydrogen on the Si(111)$4{\times}1$-In surface at room temperature. The H atom features are found to be located between the two protrusions in one side of the $4{\times}1$ chain. The adsorbed H preferentially occupies one of the two zigzag In subchains, suggesting that the adsorption of H is influenced by the subsurface structure. The adsorbed H atom induces not only a localized distortion but also perturbs the distant region and results in a period-doubling modulations in the STM images. This H-induced perturbation differs from the Na-Induced perturbation on the same surface.
The theory of the reflow applied to metallization process was studied, and the factors affecting the reflow and the relation between the reflow and the grain growth were investigated. The driving force for the metal reflow is the difference in chemical potentials along the metal surface, and it causes the atom movement. On condition that metal interconnect is fabricated for semiconductor devices, surface diffusion is the primary atom movement mechanism. The metal reflow is influenced by reflow temperature, reflow time, reflow ambient, thin film thickness, thin film material, underlayer material, pattern size, and aspect ratio. It is supposed that the reflow characteristic varies according to the grain growth during the reflow, so the effect of the grain growth on the reflow should be considered.
Park, Jeong-Eun;Jung, Da-Un;Lee, Jae-Woong;Kim, Sam-Soo
Proceedings of the Korean Society of Dyers and Finishers Conference
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2009.03a
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pp.110-111
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2009
A solution containing 3-Mercaptopropyltr-imethoxysilane(MPTMS) was employed to modify surface of cotton fabrics with a silver colloid. Silver nanoparticles were applied on cotton fabrics via treatment with 3-MPTMS. The rate of silver nanoparticles on the fabric surface were measured with Energy Dispersive Spectroscopy(EDS). EDS results confirm the silver atom on the cotton surface.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.89-89
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2010
The atomic structure of Sb/Si(5 5 12)-$2{\times}1$ surface, deposited at room temperature (RT) and post-annealed, has been identified by scanning tunneling microscopy and the corresponding interface has been studied by synchrotron core-level photoemission spectroscopy. With 0.3-nm Sb deposition at RT and postannealing at $600^{\circ}C$, the surface has been facetted to (225)-$2{\times}1$ and (112)-$1{\times}1$, and its Si 2p has shown that all the Si 2p surface components have disappeared, while the single Sb-Si interfacial component has appeared. Such results indicate that all of surface Si atoms are replaced by Sb atoms and the charge is transferred from Si to passivating Sb-atoms at the top layer. With subsequent postannealing up to $700^{\circ}C$, the surface has been facetted to (113)-$2{\times}2$ and (335)-$4{\times}2$, still having Sb-Si interfacial component and partially re-exposed Si surface components. From the present study, the role of surfactant atom, Sb, as well as the thermal-stabilization of Sb-passivated high-index Si surface will be exposed. Especially, the key role of the Sb/Si(113)-$2{\times}2$, composed of Rebonded-Dimer-Rebonded atom 1D structures, for stabilization will be discussed.
Physical and chemical survey on western channel of the Korea Strait was made using oceanographic data from July 25 to July 31, 1983. Four water types were distinguished at western channel: runoff of the Nakdong River, Tsushima Current Waters, Keoje Coastal Waters, and Ulsan Coastal Waters. Influence of the Nakdong River was greater at Southern East Coast near Yeong-Do Island in Pusan than at Keoje Coast. General characteristics of these four water types were as follows : For runoff of the Nakdong River, transparency was within 3 m, water colour chinese yellow (number 11), surface temperature $18{\sim}19^{\circ}C$, salinity less than $31\%0$, surface dissolved oxygen (D.O.) $4.5{\sim}5.0ml/l$, contents of phosphate $0.25{\sim}0.5{\mu}g-at./l$ ; these values were the highest among these four water types. For Tsushima Current waters, transparency was greater than 15 m, waters color blue (number $2{\sim}4$), surface temperature about $23^{\circ}C$, salinity $32{\sim}33\%0$, and surface D.O. greater than 5,0 ml/l. Phosphate, nitrate and silicate were less than 0.25, 2.0, and $2.5{\mu}g-at./l$, respectively; these values were the lowest among these four water types. Keoje Coastal Waters had low temperature ranging $20{\sim}21^{\circ}C$ at surface, and high salinity greater than $33\%0$. D.O. was less than 5.0 ml/l, phoshpate, $0.5{\mu}g-at./l$ nitrate and silicate were less than $3.5{\mu}g-at./l$. Ulsan Coastal Waters had the lowest surface temperature among these four types; surface temperature was less than $16^{\circ}C$, salinity greater than $33.5\%0$, and D.O., phosphate and nitrate had very high values. It seems that these high values resulted from upwelling phenomena.
In this study, the Ar plasma treatment was used to improve the surface roughness of Poly-Si1-xGex thin film deposited by RTCVD. The surface roughness and the resistivity of Si1-xGex thin film were investigated with variation of Ar plasma treatment parameters (electrode distance, working pressure, time, substrate temperature and R.F power). When the Ar plasma treatment was used, the cluster size decreased by the surface etching effect due to the increasing surface collision energy of particles (ion, neutral atom) in plasma under the conditions of decreasing electrode distance and increasing pressure, time, temperature, and R. F power. Although the surface roughness value decreased by the reduction of the cluster size due to surface etching effect, however, the resistivity increased. This may be due to the surface damage caused by the increasing surface collision energy. It was concluded that the surface roughness could be improved by the Ar plasma treatment, while the resistivity was increased by the surface damage on the substrate.
The half-metallicity and magnetism of the (001) surfaces of $(AlP)_1/(CrP)_1$ superlattice were investigated by means of FLAPW (Full-potential Liniarized Augmented Plane Wave) method. We considered four types of (001) surface termination, i.e., Al(S)-, Cr(S)-, P(S)Al(S-1)- and P(S)Cr(S-1)-term systems. We found that only Cr(S)-term system maintains the half-metallicity at the surface as only this system has the calculated magnetic moment of integer number of bohr magnetons. The magnetic moment of Cr(S) atom in the system was $3.02{\mu}_B$ which was increased from the bulk value by the effects of band narrowing and increased spin-splitting at the surface. The electronic density of states of the P(S) atom in the P(S)Al(S-1)-term showed very sharp surface states due to the broken $p_z$ bonds at the surface. We found there is still a strong p-d hybridization between the P(S) and Cr(S-1) layers in the P(S)Cr(S-1)-term which causes a considerable increase of magnetic moment of P(S) atom.
A molecular orbital analysis based on the extended Huckel calculations has been carried out to study the OH bond activation of water on the $TiO_2$(110) surface. $H_2O$ binds with its axis perpendicular to the surfac on top of the five-coordinate $Ti^{4+}$ atom via its $3a_1$ orbital. In this bonding situation, the two-coordinated bridging $O^{2-}$ atom ($O_b$, basic site) on $TiO_2$(110) is too distant from an H atom of water to form hydrogen-bondig interactions with water that facilitate O-H bond cleavage. It has been elucidated that the O-H bond is appreciably weakened when the water molecule is tilted to give a hydrogen bond with the $O_b$ atom. This mechanism includes mutual transfer of electron density from the $3a_1$ orbital of the water molecule to the $Ti^{4+} 3d_{z2}$ orbital and from the $O_b$ P orbitals to the $2b_1$ of the adsorbed water molecule This should result in lengthening of the O-H bond in the surface complex and the subsequent dissociation into the fragments OH and H.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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