$YBa_2Cu_3O_{7-x}$ 초전도 필름을 초음파에 의한 aerosol spray 법을 이용하여 YSZ (yttria stabilized zirconia) 및 SrTi$O_3$의 (100) 결정면 위에 만들었다. 초전도상은 세 단계의 과정을 거쳐서 형성되었다 : (가) 이트륨, 바륨, 구리의 질산염을 화학 양론비로 섞어 만든 용액을 250$^{\circ}C$로 가열된 기질에 분무하여, (나) 형성된 필름을 공기 중에서 550$^{\circ}C$로 예열하고, (다) 흐르는 산소 분위기에서 950$^{\circ}C$로 소결한 뒤 노냉하였다. 필름의 저하을 dc four-point probe 법으로 측정하여 액체질소 온도 이상에서 초전도성을 확인하였다.
YBCO coated conductor, also called the 2nd generation high temperature superconducting wire, consists of oxide multi-layer hetero-epitaxial thin films. Pulsed laser deposition (PLD) is one of many film deposition methods used to make coated conductor, and is the one known to be the best to make superconducting layer so far. As a part of the effort to make long length coated conductor, the optimum deposition condition of YBCO film on single crystal substrate (SrTiO3) was investigated using PLD. Substrate temperature, oxygen partial pressure, and laser fluence were varied to find the best combination to grow high quality YBCO film.
We present terahertz optical properties of $GdBa_2Cu_3O_{7-x}$ (GdBCO) superconducting thin films. GdBCO films with a thickness of about 105 nm were grown on a $LaAlO_3$ (LAO) single crystal substrate using a conventional pulsed laser deposition (PLD) technique. Using an Ar ion milling system, the thickness of the GdBCO film was reduced to 58 nm, and its surface was also smoothened. Terahertz (THz) transmission spectra through two different GdBCO films are measured over the range between 0.2 and 1.5 THz using THz time domain spectroscopy. Interestingly, the THz transmission of the thinner GdBCO film has been increased to six times larger than that of the thicker one, while the thinner film is still maintaining its superconducting property at below 90 K.
The ceramic high transition temperature superconducting materials present many interesting characteristics that will be analysed from two points of view: physical behavior, and chemical aspects. From the first point of view, these materials display an enormous variety of different physical properties. At low doping levels the normal state shows antiferromagnetism and insulating behavior. At intermediate doping levels, an anomalous metallic state appears and, the optimum Tc in the superconducting state is generated. With increasing doping a normal metallic state develops and superconductivity starts to disappear. Many of the physical phenomena that describe the overall behavior when doping levels are changed will be discussed. From the poing of view of the chemical aspects. we well discuss some of the problems involved in the methods of preparation with particular emphasis on defects, crystal structures, critical currrents, and applications in technology.
Bi based superconducting thin films were fabricated by 4-target RF magnetron sputtering using the method of controlling the on-off time. These thin films showed better crystal structures. The ratio of Cu/Bi decreased but the critical temperature increased with increasing the temperature of the substrate. High temperature phase low temperature of the substrate. High temperature phase low temperature phase and semiconducting phase can be formed by controlling the on-off time of the shutter respectively.
We have synthesized La doped $CaFe_2As_2$ single crystals with Sn flux in an evacuated quartz ampule. Doping and pressure effects on the magnetic and superconducting properties of the under-doped $Ca_{1-x}La_xFe_2As_2$ (x=0.08, 0.1) were studied by measuring electrical resistivity under quasi-hydrostatic pressure up to 21 kbar. Magnetic transition temperatures for all studied concentrations were sharply suppressed with slight amplitude of pressure, less than 3 kbar, while superconducting transition temperatures were robust against pressure. In this communication, we report temperature-pressure phase diagram for the La-doped $CaFe_2As_2$ single crystals.
At recent time, superconducting technology makes it possible to develop various devices using strong magnetic fields. As increasing with devices using high magnetic fields, magnetic shielding technology is essential in order to get high efficiency. Therefore it is necessary to establish production method and clear characteristics of suitable shielding materials. Usually, ferromagnetic metal has been used for shielding of high magnetic fields up to the present time. Instead of heavy ferromagnetic metal, we can acquire better upgraded shielding system by using of very light superconducting thin film that has a perfect diamagnetism. We would like to study basic characteristics of NbTi thin film produced by RF sputtering, investigated morphology and crystal structure of NbTi thin film by SEM and XRD, identified superconductivity measuring by critical current.
$YBa_2Cu_3O_x$ 고온 초전도체 상을 MgO 단결정위에 증착시키기 위하여 액상의 에어로 졸 입자를 저온 플라즈마의 화학증기 증착로안에 유입하였다. 플라즈마의 분포를 조절하기 위한 반응로의 설계에 따라 초전도체상의 미세구조가 변화하는 양상을 관찰하였으며, 이때 증착 기판 위에서 관찰되는 입자들의 생성원인에 대하여 고찰하였다. 입자생성의 주된 원인으로는 불안정한 플라즈마의 분포와 출발원료의 낮은 기화속도에 기인하는 것으로 나타났다. 또한 증착속도는 출발원료가 기화되는 곳으로부터 멀어질수록 급격히 감소하는 것으로 밝혀졌다.
한국결정성장학회 1999년도 PROCEEDINGS OF 99 INTERNATIONAL CONFERENCE OF THE KACG AND 6TH KOREA·JAPAN EMG SYMPOSIUM (ELECTRONIC MATERIALS GROWTH SYMPOSIUM), HANYANG UNIVERSITY, SEOUL, 06월 09일 JUNE 1999
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pp.389-402
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1999
Single crystal of Li2Cu1-xMxO4 (M=Ni, Zn) are promising as a substrate to realize superconducting electronic devices. The distribution coefficients of Ni and Zn to the Cu site in La2CuO4 (LCO) were estimated by the zone melting technique to grow high quality single crystals of La2Cu1-xMxO4(M=Ni, Zn). The distribution coefficient value of Ni was estimated to be 4.2 and that of Zn was estimated to be 0.66, respectively. Suitable solvent compositions were determined using these values to grow single crystals by he traveling floating zone (TSFZ) method. Single crystal of LCO, La2Cu1-xMxO4(M=Ni(x=0.01, 0.02, 0.03, 0.04), Zn(x=0.01, 0.02, 0.03) of high homogeneity were grown. The behaviors of the magnetization of these as-grown crystals do not indicate superconductivity except LCO. Ni or Zn substitution can make LCO non superconductor. This fact suggest that single crystals substituted by Ni or Zn are useful as substrate crystals.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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