GaInP/AlGaInP 이종접합 구조를 제안하고 집광 조건에서 가장 높은 효율을 달성한 III-V 화합물 반도체 다중접합 태양전지의 맨 위 subcell에 주로 사용되는 GaInP 동종접합 구조를 대체해 이종접합 구조가 응용될 가능성에 대하여 조사하였다. $2^{\circ}$ off 된 웨이퍼와 $10^{\circ}$ off 된 서로 다른 off-cut 방향을 갖는 두 종류의 GaAs 기판 위에 성장된 태양전지의 특성을 집광 조건에서 측정하고 비교하였다. $10^{\circ}$ off 된 태양전지에서 더 높은 단락전류와 변환효율을 얻었다. 1 sun 조건에서 $10^{\circ}$ off 된 기판 위에 제작된 $2{\times}2mm^2$ 면적의 태양전지에서 $9.21mA/cm^2$의 단락전류밀도와 1.38 V의 개방 전압이 측정되었다. $10^{\circ}$ off 기판 위에 제작된 $5{\times}5mm^2$ 태양전지에서 집광도 증가에 따라 곡선인자(fiill factor)가 감소하여 변환효율은 6.03% (1 sun)에서 5.28% (20 sun)로 측정되었다.
Tandem or multijunction solar cells (MJSCs) can convert sunlight into electricity with higher efficiency (η) than single junction solar cells (SJSCs) by dividing the solar irradiance over sub-cells having distinct bandgaps. The efficiencies of various common SJSC materials are close to the edge of their theoretical efficiency and hence there is a tremendous growing interest in utilizing the tandem/multijunction technique. Recently, III-V materials integration on a silicon substrate has been broadly investigated in the development of III-V on Si tandem solar cells. Numerous growth techniques such as heteroepitaxial growth, wafer bonding, and mechanical stacking are crucial for better understanding of high-quality III-V epitaxial layers on Si. As the choice of growth method and substrate selection can significantly impact the quality and performance of the resulting tandem cell and the terminal configuration exhibit a vital role in the overall proficiency. Parallel and Series-connected configurations have been studied, each with its advantage and disadvantages depending on the application and cell configuration. The optimization of both growth mechanisms and terminal configurations is necessary to further improve efficiency and lessen the cost of III-V on Si tandem solar cells. In this review article, we present an overview of the growth mechanisms and terminal configurations with the areas of research that are crucial for the commercialization of III-V on Si tandem solar cells.
The dependence of substrate on the Ag photodoping phenomenon into amonhous $({\alpha}-)$ GeSe thin film has been investigated using holographic method. A 442 nm HeCd laser was utilized as a light source for the holographic exposure and a 632.8 nm HeNe laser to measure the variation of diffraction efficiency $(\eta)$ in real time. The films (Ag and ${\alpha}-GeSe$) were thermally deposited on the substrates, i.e. p-type Si(100), n-type Si(100) and slide glass. The sample structures prepared were two types: type I (Ag/${\alpha}$-SeGe/substrate) and type II (${\alpha}$-SeGe/Ag/substrate). The $\eta$ kinetics comprised to be three steps in which $\eta$ initially increases, is saturated to be maximized $(\eta_M)$, and then decreases relatively gradually. For the same substrate, the $\eta_M$ values of the type II were higher than those of type I. In addition, the type II exhibited the highest $\eta_M$ for p-type Si substrate, while that in type I was observed for n-type Si substrate. These tendency is explained by the diffusion of minority carrier in the films and the change of magnitude and direction in internal fields generated at the film interfaces. Atomic-force-microscope (AFM) was used to observe relief-type grating patterns.
Background: The black soldier fly (Hermetia illucens) is gaining attention as an efficient decomposer of food waste. However, recalcitrant compounds such as plastics mixed into food waste may have negative effects on its growth and survival. Moreover, its efficiency of food waste degradation may also be affected by plastics. In addition, salt (NaCl) can also be present in high concentrations, which also reduces the efficiency of H. illucens-mediated food waste treatment. In this study, we assessed the growth of black soldier fly larvae (BSFL) reared on food waste containing polyethylene (PE) and polystyrene (PS) and NaCl. The weight of BSFL was measured every 2-4 days. Survival and substrate reduction rates and pupation ratio were determined at the end of the experiment. Results: The total larval weight of Hermetia illucens reared on food waste containing PS was greater than that of the control on days 20 and 24. However, the survival rate was lower in the group treated with 5% PS, as was substrate reduction in all PS-treated groups. The weight of BSFL reared on food waste containing PE was lower than that of the control on day 6. PE in food waste did not affect the survival rate, but the pupation ratio increased and substrate consumption decreased with increasing PE concentrations. Regardless of the plastic type, the addition of NaCl resulted in decreased larval weight and pupation ratio. Conclusions: Larval growth of black soldier fly was inhibited not by plastics but by substrate salinity. Additional safety assessments of larvae reared on food waste containing impurities are needed to enable wider application of BSFL in vermicomposting.
보리와 밀 맥아의 ${\alpha}-amylase$와${\beta}-amylase$의 대한 찹쌀과 멥쌀 전분에 대한 반응속도론적 연구를 수행하였다. 보리와 밀의 발아 과정에서 ATP 함량은 발아 2일 후에 급격하게 증가하여 5일 후에는 감소하였으며, 건조 중량은 3일 후부터 감소하였다. 보리맥아와 밀 맥아의 ${\alpha}-amylase$와$\;{\beta}-amylase$ 모두 6일째에 최대의 활성을 나타내었다. ${\alpha}-amylase$의 경우, 보리맥아에 존재하는 ${\alpha}-amylase$가 멥쌀 전분에서 친화력이 크게 나타났으며, $V_{max}$값은 보리 맥아의 경우 멥쌀 전분에서 밀 맥아의 경우 멥쌀과 찹쌀 전분에서 높게 나타났다. ${\beta}-amylase$의 경우는 보리 맥아의 효소가 찹쌀 전분에 대해 친화력이 크게 나타났으며, $V_{max}$값은 밀 맥아의 효소가 찹쌀 전분에서 높게 나타났다. 또한 기질 효율성은 보리 맥아에서 추출한 ${\beta}-amylase$가 멥쌀 전분에서 가장 우수하였다.
The structural, optical and electrical properties of sputter-deposited CIGS films were directly influenced by the sputtering process parameters such as substrate temperature, working pressure, RF power and distance between target and substrate. CIGS thin films deposited by using a quaternary target revealed to be Se deficient due to Se low vapor pressure. This Se deficiency affected the overall stoichiometry of the films, causing the films to be Cu-rich. Current tends to pass through the Cu-Se channels which act as the shunting path increasing the film conductivity. The crystal structure of CIGS thin films depends on the substrate orientation due to the influence of surface morphology, grain size and stress of Mo substrate. The excess of Cu was removed from the CIGS films by KCN treatment, achieving a suitable Cu concentration (referred as Cu-poor) for the fabrication of solar cell. Due to high Cu concentrations on the CIGS film surface induced by Cu-Se phases after CIGS film deposition, KCN treatment proved to be necessary for the fabrication of high efficiency solar cells. Also during KCN treatment, dislocation density and lattice parameter decreased as excess Cu was removed, resulting in increase of bandgap and the decrease of conductivity of CIGS films. It was revealed that Cu-Se secondary phase could be removed by KCN wet etching of CIGS films, allowing the fabrication of high efficiency absorber layer.
GSV (Granule Spray in Vacuum)는 상온의 진공하에서 나노 크기의 치밀한 세라믹 코팅층을 형성하는 방법이다. 일반적으로, 단사정의 지르코니아는 1150℃에서 정방정으로 변태하며, 이때 6.5 %의 체적변화를 일으켜 치밀한 단사정의 지르코니아를 만들기 어렵다. 본 연구에서는 코팅 효율에 대한 두 가지 처리 변수의 효과를 조사하는 데 중점을 두었다. 아울러, 특별한 가열과정 없이 형성된 필름의 미세구조에 관찰하였다. 샘플 기판에 증착된 지르코니아 필름에 대한 X-ray diffractometer (XRD) 분석은 단사정 지르코니아 필름이 성공적으로 증착되었음을 보여주었다.
염색가공 폐수 중 난분해성 물질이 PYA를 처리 하기 위하여, 한천-acrylamide를 이용한 bead를 제 조한 후 air-lift 반응기에서 연속실험을 행하였다. 합성폐수의 PYA놓도가 $3,100mg/\ell$. 체류시간 24hr일 때 유출수의 농도는 $4500mg/\ell$ 이며, 제거효율은 85% 이상을 나타내었다. 실제 호발폐수의 경우 PYA 및 COD농도가 $3,253mg/\ell$, $4,500mg/\ell$일 때, 체류시간 24hr에서 유출수의 농도는 $840mg/\ell, 480mg/\ell$이며, 제거효 율은 81.3%와 85.2%로 각각 나타났다. bead의 지름이 lmm일 때는 내부의 미생물 성장 이 양호하였으나 bead의 지름이 2mm일 때는 기질 과 산소전달저항에 의하여 반지름의 48% 이상은 미 생물의 성장이 저해를 받았다. 고정화 반응기에서 전체 기질 제거속도 중 bead 내 고정화 cell의 제거 분율은 평균 70%로 나타났다. 현탁 반응기에서 희석율 $0.083hr^{-1}$ 이상에서는 기질 이용속도가 감소하였으나 고정화 반응기에서는 희석율 $0.125hr^{-1}$까지 거의 선형척으로 증가하였다. PYA 제거속도식에서 포화상수 $K_s=6.60(g PVA/\ell)$와 최대 비기질 이용속도 k=0.175(g PVA/g cell.hr)를 얻었다.
Ni-5%Al alloy powder is widely used as the bond coating powder to improve the adhesive strength between the substrate and coating. The important properties in the bond coating are the deposition efficiency and surface roughness. In this study, it was tried to optimize the plasma spray parameters to maximize the deposition efficiency and surface roughness. In the first step, spray current and hydrogen gas flow rate were optimized in order to increase the deposition efficiency. In the next step, the seven plasma spray variables were selected and optimized to improve both the deposition efficiency and surface roughness using the Taguchi experimental method. By these optimization, the deposition efficiency was improved from about 10 % at the frist time to 51.2 % by the optimization of spray current and hydrogen gas flow rate and finally to 65.2 % by the Taguchi experimental method. The average surface roughness was increased from about $12.9\mu\textrm{m}$ to $15.4\mu\textrm{m}$.
This paper demonstrates the performance of a metal-substrate power module with multiple fabricated chips for a high current electrical application, and evaluates the proposed module using a 1.5-kW sinusoidal brushless direct current (BLDC) motor. Specifically, the power module has a hybrid structure employing a single-layer heat-sink extensible metal board (Al board). A fabricated motor driver IC and trench gate DMOSFET (TDMOSFET) are implemented on the Al board, and the proper heat-sink size was designed under the operating conditions. The fabricated motor driver IC mainly operates as a speed controller under various load conditions, and as a multi-phase gate driver using an N-ch silicon MOSFET high-side drive scheme. A fabricated power TDMOSFET is also included in the fabricated power module for three-phase inverter operation. Using this proposed module, a BLDC motor is operated and evaluated under various pulse load tests, and our module is compared with a commercial MOSFET module in terms of the system efficiency and input current.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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