Gallium Oxide (Ga2O3) is preferred as a material for next generation power semiconductors. The Ga2O3 should solve the disadvantages of low thermal resistance characteristics and difficulty in forming an inversion layer through p-type ion implantation. However, Ga2O3 is difficult to inject p-type ions, so it is being studied in a heterojunction structure using p-type oxides, such as NiO, SnO, and Cu2O. Research the lateral-type FET structure of NiO/Ga2O3 heterojunction under the Gate contact using the Sentaurus TCAD simulation. At this time, the VG-ID and VD-ID curves were identified by the thickness of the Epi-region (channel) and the doping concentration of NiO of 1×1017 to 1×1019 cm-3. The increase in Epi region thickness has a lower threshold voltage from -4.4 V to -9.3 V at ID = 1×10-8 mA/mm, as current does not flow only when the depletion of the PN junction extends to the Epi/Sub interface. As an increase of NiO doping concentration, increases the depletion area in Ga2O3 region and a high electric field distribution on PN junction, and thus the breakdown voltage increases from 512 V to 636 V at ID =1×10-3 A/mm.
Park, Deog-Su;Jabbar, Md. Abdul;Park, Hyun;Lee, Hak-Myoung;Shin, Sung-Chul;Shim, Yoon-Bo
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제28권11호
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pp.1996-2002
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2007
The redox behavior of a [Ni6(μ3-Se)2(μ4-Se)3(Fe(η 5-C5H4P-Ph2)2)3] (= [Ni-Se-dppf], dppf = 1,1-bis(diphenylphosphino) ferrocene) cluster was studied using platinum (Pt) and glassy carbon electrodes (GCE) in nonaqueous media. The cluster showed electrochemical activity at the potential range between +1.6 and ?1.6 V. In the negative region (0 to ?1.6 V), the cluster exhibited two-step reductions. The first step was one-electron reversible, while the second step was a five-electron quasi-reversible process. On the other hand, in the positive region (0 to +1.6 V), the first step involved one-electron quasi-reversible process. The applicability of the cluster was found towards the electrocatalytic reduction of CO2 and was evaluated by experiments using rotating ring disc electrode (RRDE). RRDE experiments demonstrated that two electrons were involved in the electrocatalytic reduction of CO2 to CO at the Se-Ni-dppf-modified electrode.
This study calculates agglomeration indices of manufacturing specialization and diversification in different regions of South Korea. Two types of agglomeration indices are introduced into the spatial durbin model (SDM) to analyzes the effects of manufacturing agglomeration in Korea on CO2 emission intensity. The subjects of this study are 17 regions of South Korea , and the research period is from 2013 to 2019. This study also uses partial differential to analyze the direct and spillover effect of specialization and diversification agglomeration on CO2 emission intensity. From the perspective of direct effect, the results reveal that specialization agglomeration is an important factor contributing to Korea's CO2 emissions. However, diversification agglomeration has an obvious CO2 emission reduction effect. From the perspective of spillover effect, this study finds that specialization agglomeration in one region can also contribute to CO2 emissions in nearby regions. However, the development of diversification agglomeration in one region can have CO2 emission reduction spillover effect on neighboring regions.
The $CH_3OH$$4_2-5_1$ E transition was observed toward the Sgr B2 region, including the Principal Cloud and its surroundings. This methanol transition shows an extended emission along the 2'N cloud, which is believed to be colliding with the Principal Cloud and may trigger the massive star formation in this cloud. This extended methanol emission may also suggest that the 2'N cloud is under shocks. We derive total methanol column density $N(CH_3OH)\;=\;2.9{\pm}0.3{\times}10^{14}\;cm^{-2}$ toward the peak position of the extended emission. The fractional abundance of methanol is about 10.9, relative to the estimated total $H_2$ abundance, which is similar to the methanol abundances in quiet gas phase.
The masses of supermassive black holes in active galactic nuclei (AGN) can be derived spectroscopically via virial mass estimators based on selected broad optical/ultraviolet emission lines. These estimates commonly use the line width as a proxy for the gas speed and the monochromatic continuum luminosity, λLλ, as a proxy for the radius of the broad line region. However, if the size of the broad line region scales with the bolometric AGN luminosity rather than λLλ, mass estimates based on different emission lines will show a systematic discrepancy which is a function of the color of the AGN continuum. This has actually been observed in mass estimates based on Hα/Hβ and CIV lines, indicating that AGN broad line regions indeed scale with bolometric luminosity. Given that this effect seems to have been overlooked as yet, currently used single-epoch mass estimates are likely to be biased.
In this study, FT-IR analysis was performed by exposing cement paste to high temperature in order to characterize the change of hydration behavior of concrete structure damaged by fire accident. As the holding time increased, the Al-O vibration region increased due to the increase of Si-O symmetric Ca2(SiO4) and Brownilerite, and the OH stretching region tended to increase due to thermal decomposition of Ca(OH)2.
Densities (ρ) for binary mixtures of ethanol (1) + diisopropyl ether (DIPE) or cyclohexane or alkane (C6-C9) (2) were measured at 298.15 K, 308.15 K and 318.15 K. The excess molar volume (VEm) of binary mixtures was calculated using ρ data and correlated with Redlich-Kister polynomial equation. The VEm values for binary mixtures of ethanol (1) + cyclohexane or n-alkane (C6-C9) (2) were positive, whereas for ethanol (1) + DIPE (2) these were negative. The magnitude of VEm values follows the order: cyclohexane > n-nonane > n-octane > n-heptane > n-hexane > DIPE. The VEm values have been interpreted qualitatively and also quantitatively in terms of Flory-Treszczanowicz-Benson (FTB) model and Prigogine-Flory-Patterson (PFP) theory. The values VEm predicted using FTB model agree well with experimental VEm values at all mole fractions. But the PFP theory describes well VEm data in ethanol-rich region (x1 > 0.5) for all binary mixtures and is able to predict the sign of VEm vs x1 curve for ethanol-lean region (x1 < 0.5) except for ethanol (1) + nonane (2) mixtures.
The actual magnetic induction waveform of cores in electrical machines is not sinusoidal i.e. higher harmonics are always included. Thus the core loss in actual electrical machines is different from the core loss which is measured by the standard method, because the waveform of magnetic induction should be sinusoidal in the standard testing method. Core loss analysis under higher harmonic induction is always important in electric machine design. In this works we measured the core loss when a hysteresis loop has only one period of an ac minor loop of higher harmonic frequency, depending on the position of the ac minor loop of relative to the fundamental harmonic frequency. From this experiment, the core loss P(B/sub 0/f/sub 0/, B/sub h/, nf/sub 0/)) under a higher harmonic magnetic induction B/sub h/ could be expressed by the linear combination the core loss at fundamental harmonic frequency P/sub c/(B/sub 0/, f/sub 0/), the core loss of ac minor loop at zero induction region of the major hysteresis loop P/sub cL/ (B/sub h/, nf/sub 0/), and the core loss of an ac minor loop in the high induction region of the major hysteresis loop P/sub cH/ (B/sub h/, nf/sub 0/) i.e., P/sub c/, (B/sub 0/, f/sub 0/, B/sub h/, nf/sub 0/)=P/sub c/ (B/sub 0/, f/sub 0/,)+(n-1)[k₁(B/sub 0/) P/sub cL/ (B/sub h/, nf/sub 0/)+(1-k₁(B/sub 0/)) P/sub cH/ (B/sub h/, nf/sub 0/)]. This will be useful formula for electrical machine designers and one of effective methods to predict core loss including higher harmonic induction.
Orthorhombic DyMnO3 films are fabricated epitaxially on Nb-1.0 wt%-doped SrTiO3 single crystal substrates using pulsed laser deposition technique. The structure of the deposited DyMnO3 films is studied by X-ray diffraction, and the epitaxial relationship between the film and the substrate is determined. The electrical transport properties reveal the diodelike rectifying behaviors in the all-perovskite oxide junctions over a wide temperature range (100 ~ 340 K). The forward current is exponentially related to the forward bias voltage, and the extracted ideality factors show distinct transport mechanisms in high and low positive regions. The leakage current increases with increasing reverse bias voltage, and the breakdown voltage decreases with decrease temperature, a consequence of tunneling effects because the leakage current at low temperature is larger than that at high temperature. The determined built-in potentials are 0.37 V in the low bias region, and 0.11 V in the high bias region, respectively. The results show the importance of temperature and applied bias in determining the electrical transport characteristics of all-perovskite oxide heterostructures.
In order to understand the difference in SiC deposition between the $CH_3SiCl_3-H_2$ and $C_3H_8-SiCl_4-H_2$ systems, we calculate the phase stability among ${\beta}$-SiC, graphite and silicon. We constructed the phase-diagram of ${\beta}$-SiC over graphite and silicon via computational thermodynamic calculation considering pressure (P), temperature (T) and gas composition (C) as variables. Both P-T-C diagrams showed a very steep phase boundary between the SiC+C and SiC region perpendicular to the H/Si axis, and also showed an SiC+Si region with a H/Si value of up to 6700 in the $C_3H_8-SiCl_4-H_2$, and 5000 in the $CH_3SiCl_3-H_2$ system. This difference in phase boundaries is explained by the ratio of Cl to Si, which is 4 for the $C_3H_8-SiCl_4-H_2$ system and 3 for the $C_3H_8-SiCl_4-H_2$ system. Because the C/Si ratio is fixed at 1 in the $CH_3SiCl_3-H_2$ system while it can be variable in the $C_3H_8-SiCl_4-H_2$ system, the functionally graded material is applicable for better mechanical bonding during SiC coating on graphite substrate in the $C_3H_8-SiCl_4-H_2$ system.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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