• 한국전자파학회논문지
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• 제29권12호
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• pp.915-923
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• 2018

본 논문은 ISM 대역인 902~928 MHz에서 건물의 내구성을 진단하기 위한 콘크리트 매립형 안테나 설계에 관하여 서술한다. 이에 안테나가 매립되는 환경에서도 콘크리트 매질 특성에 의해 임피던스 변화가 크지 않는 이중 슬롯 패치 안테나를 제안하였다. 함수율에 따라 변하는 콘크리트 매질에 의한 성능 열화를 최소화하기 위해 제안하는 안테나는 기생 패치를 이용하여 대역폭을 확장하였다. 제작된 안테나는 전 대역에서 VSWR 2 : 1 이하 특성을 만족하며, 빔 폭은 80도 정도이며, 7 dBi 이상을 만족하는 이득을 가진다. 제안한 안테나는 직사각형 콘크리트 블록에 장착하여 측정하였으며, 모의실험과 실제 측정을 통해 함수율 변화에 따른 반사손실 및 이득을 확인하였다.

• 한국항행학회논문지
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• 제4권1호
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• pp.23-35
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• 2000

본 논문에서는 적층된 구조에 의한 광대역 방법을 사용하여 PCS 기지국용 안테나 설계를 연구하였다. 적층된 구간의 마이크로스트립 안테나의 특성변화에 민감한 파라미터들 즉, 기생소자의 크기, 상하패치 사이의 공기층 높이, 급전점 변화 등을 각각 분류하고 시뮬레이션을 통하여 특성을 고찰하였다. 설계된 안테나는 임피던스 대역폭이 257.5MHz(VSWR${\leq}$2), 수평빔폭 $64.1^{\circ}$, 이득 14.7dBi인 비교적 양호한 특성을 확인하였다. 본 논문에서 연구한 적층된 마이크로스트립 안테나의 설계를 통하여 국내 PCS 기지국용 안테나로의 이용 가능성을 고찰하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제13권4호
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• pp.366-372
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• 2002

L-스트립 급전선에 의해서 급전되는 광대역 적층 패치 안테나를 실험적으로 연구하였다. 본 논문의 목표는 PCS와 IMT-2000 서비스를 위한 소형 광대역 안테나를 설계하는데 있다. 실험결과에서 704.7 MHz(35.95 %)의 임피던스 대역폭(VSWR$\leq$2)이 PCS와 IMT-2000 주파수 대역에서 얻어지는 것을 확인하였다. 연구된 안테나는 단순한 구조 때문에 어레이 확장이 쉽게 설계될 수 있다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제10권5호
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• pp.688-693
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• 1999

본 논문에서는 공기 절연 적층형 마이크로스트립 구조의 새로운 MMIC 3dB 커플러를 제안하였다. 제안된 커플러의 제작은 아주 간단하며, 유전체 공정을 필요로 하지 않는다. 제안된 커플러의 구조 해석을 위해서 HP-Momentum을 이용하였으며, 이를 통해 제안된 커플러의 구조를 최적화 하였다. 제작된 커플러는 22 GHz대역폭(23~GHz~45GHz)을 갖고 있었다. 또한, 제안된 커플러를 이용하여 Ka-Band용 평형 2단 증폭기를 성공적으로 제작하였다.

• Current Applied Physics
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• 제18권11호
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• pp.1393-1398
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• 2018

We have investigated Bernal-stacked tetralayer graphene as a function of interlayer distance and perpendicular electric field by using density functional theory calculations. The low-energy band structure was found to be very sensitive to the interlayer distance, undergoing a metal-insulator transition. It can be attributed to the nearest-layer coupling that is more sensitive to the interlayer distance than are the next-nearest-layer couplings. Under a perpendicular electric field above a critical field, six electric-field-induced Dirac cones with mass gaps predicted in tight-binding models were confirmed, however, our density functional theory calculations demonstrate a phase transition to a quantum valley Hall insulator, contrasting to the tight-binding model prediction of an ordinary insulator.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제37회 하계학술대회 초록집
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• pp.225-225
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• 2009

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.433.1-433.1
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• 2014

The research of graphene, a monolayer of carbon atoms with honeycomb lattice structure, has explosively increased after appeared in 2004. As a result, its high transmittance, mobility, thermal conductivity, and outstanding mechanical and chemical stability have been proved. Especially, many researches were executed about the field of transparent electrode highlighting material of substituting the indium tin oxide (ITO). In addition, qualitative and quantitative improvements have been achieved due to many synthesis methods were discovered. Among them, mostly used method is chemical vapour deposition of graphene grown on copper or nickel. The transmittance, mobility, sheet resistance, and other many properties are completely changed according to these two types of synthesis method of graphene. In this research, considering the difference of characteristics as the synthesis method of graphene, what types of graphene should be used and how to use it were studied. The stacked graphene harvested on copper and multi-layer graphene harvested on nickel were compared and analyzed, as a result, the transmittance of 90% and the sheet resistance of $70{\Omega}{\square}$ was showed even though stacked graphene layers were 4 layers. The reason that could bring these results is lowered sheet resistance due to stacked monolayer graphenes. Moreover, light output power of the three stacked graphene spreading layer shows the highest value, but light-emitting diode with multi-layer graphene died out from 12mA due to also its high sheet resistance. Therefore, we need to clarify about what types of graphene and how to use the graphene in use.

• 한국진공학회지
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• 제10권2호
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• pp.189-193
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• 2001

TiN을 불소의 확산 방지막으로 사용한 W-TiN 복층 게이트 소자의 물리적.전기적 특성 변화를 살펴보았다. TiN 스퍼터링 증착시 $N_2$/Ar 가스 비율이 증가할수록 TiN 박막은 N-과다막이 되어 비저항이 증가하였으나, W-TiN복층 구조에서는 $N_2$/Ar가스 비율이 증가할수록 상부 텅스텐 박막의 결정화가 증가하여 비저항이 감소하였다. 한편, 같은 $N_2$/Ar 비율의 경우, TiN 박막 열처리 온도 변화(600~$800^{\circ}C$)에 무관하게 W(110) 방향으로 우선 배향된 결정 구조를 보였다. 누설 전류 특성은 TiN증착시 $N_2$/Ar 비율 변화에 무관하게 우수하였으며, TiN을 확산 방지막으로 사용함으로서 순수 텅스텐 전극만을 적용시 나타나는 초기 저전계 누설 특성을 향상시킬 수 있음을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.157-157
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• 2008

As the minimum feature size of semiconductor devices scales down to nano-scale regime, ultra shallow junction is highly necessary to suppress short channel effect. At the same time, Ni-silicide has attracted a lot of attention because silicide can improve device performance by reducing the parasitic resistance of source/drain region. Recently, further improvement of device performance by reducing silicide to source/drain region or tuning the work function of silicide closer to the band edge has been studied extensively. Rare earth elements, such as Er and Yb, and Pd or Pt elements are interesting for n-type and p-type devices, respectively, because work function of those materials is closer to the conduction and valance band, respectively. In this paper, we increased the work function between Ni-silicide and source/drain by using Pd stacked structure (Pd/Ni/TiN) for high performance PMOSFET. We demonstrated that it is possible to control the barrier height of Ni-silicide by adjusting the thickness of Pd layer. Therefore, the Ni-silicide using the Pd stacked structure could be applied for high performance PMOSFET.

• 한국전자파학회논문지
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• 제18권3호
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• pp.323-333
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• 2007

본 논문에서는 구형 빔 패턴을 효율적으로 형성하기 위한 새로운 MDAS-DR 안테나 구조를 제안하였다. 안테나 구조는 크게 스택 마이크로스트립 패치 여기 소자, 다층 원형 도체 배열 소자들과 그 주위를 에워싸고 있는 유전체 링으로 구성된다. 다층 원형 도체 배열 구조는 스택 마이크로스트립 패치 여기 소자에 의해 방사 전력을 공급 받아 그 주변의 유전체 링과의 전기적 상호 결합 작용에 의해 원거리에서 구형 빔 방사 패턴을 형성할 수 있다. 유전체 링 구조의 설계 변수는 다층 원형 도체 배열 구조의 설계 변수와 더불어 구형 빔 패턴 형성에 중요한 설계 변수들로서 구형 빔 안테나를 위해 12개의 다층 원형 도체 배열과 유전율이 2.05인 테프론 유전체가 사용되었다. 제안된 안테나 구조의 유효성을 검증하기 위하여 10 GHz 대역$(9.6\sim10.4\;GHz)$에서 동작하는 안테 나를 설계하였으며, 시뮬레이션에는 삼차원 안테나 구조 해석에 적합한 상용 CST Microwave $Studio^{TM}$ 시뮬레이터가 사용되었다. 또한, 안테나 시제품을 제작한 후 무반사실 안테나 챔버에서 전기적 특성들을 측정하였다. 구형 빔 패턴 형성을 갖는 안테나 시제품의 측정 결과들은 시뮬레이션 결과들과 잘 일치하였으며, 측정 결과들로부터 MDAS-DR 안테나의 10 GHz에서의 측정 이득은 11.18 dBi이었으며, 최소한 8.0 % 대역 폭 내에서 약 $40^{\circ}$의 양호한 구형 빔 패턴을 형성함을 확인할 수 있었다.