• 제목/요약/키워드: Sn-Bi alloy

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Sn-3.5Ag-Bi 솔더의 크리프 특성 (Creep Properties of Sn-3.5Ag-xBi Solders)

  • 신승우;유진
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제8권4호
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    • pp.25-33
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    • 2001
  • Bi(0, 2.5, 4.8, 7.5, 10 wt%)가 첨가된 Sn-3.5Ag-xBi 합금을 주조 및 압연을 거쳐 준비하였다. 그 후, dog-bone형상의 시편의 안정한 미세 조직을 위해 열처리를 거친 후, 일정하중에 크리프 실험을 수행하였다. 2.5%Bi 첨가 합금의 경우, 크리프 저항성이 가장 우수하였으며, Bi가 더 첨가됨에 따라 크리프 저항성은 감소하였다. 합금의 응력 지수는 전형전인 전위 크리프에 의한 4를 나타내었으며, 10%Bi 시편의 경우, 입계 미끄러짐에 의한 2를 나타내었다. 0%Bi 합금의 경우, 연성 파괴 양상을 보인 반면, Bi 첨가 합금의 경우, 약간의 단면적 감소를 보이는 취성 파괴 양상을 보여주었다. 파단 시편의 미세 조직 관찰 결과, 응력축에 수직한 방향으로 기공이 관찰되었으며, 상당량의 입계 미끄러짐이 관찰되었다.

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Sn-Ag-Bi/Cu 솔더 조인트의 aging시 금속간화합물 성장 거동 (Growth Behavior of Intermetallic Compounds in Sn-Ag-Bi/Cu Solder Joints during Aging)

  • 한상욱;박창용;허주열
    • 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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    • 한국마이크로전자및패키징학회 2003년도 기술심포지움 논문집
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    • pp.133-137
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    • 2003
  • The effect of Bi additions to the eutectic Sn-3.5Ag solder alloy on the growth kinetics of the intermetallic compound (IMC) layers during solid-state aging of Sn-Ag-Bi/Cu solder joints has been Investigated. The Bi additions enhanced the growth rate of the total IMC layer comprising of $Cu_6Sn_5$ and $Cu_3Sn$ sublayers. This enhanced IMC growth rate was primarily due to the rapid increase In the growth rate of $Cu_6Sn_5$ sublayer. The growth rate of $Cu_3Sn$ sublayers was little influenced and appeared to be retarded by the Bi additions. The observed growth behavior of $Cu_6Sn_5$ and $Cu_3Sn$ sublayers could be understood if the interfacial reaction barrier at the $Cu_6Sn_5/solder$ interface were reduced by the segregation of Bi at the interface.

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Ni-Cr-Sn-Bi합금의 anti-galling 특성에 미치는 Te의 영향 (Effects of Te on the Anti-Galling Properties of Ni-Cr-Sn-Bi Alloy)

  • 하헌필;김경탁;심재동;김용규
    • 한국재료학회지
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    • 제15권1호
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    • pp.14-18
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    • 2005
  • Ni-Cr-Sn-Bi alloys were prepared by air melting and sand casting method and their anti-galling behaviors were examined. Anti-galling properties were dominantly influenced by Bi-rich low temperature precipitates. Alloying effects on the anti-galling properties were investigated for several alloying elements to improve anti-galling properties of the alloy. An alloy with $1-3wt\%$ of Te showed markedly improved anti-galling properties. Metallographic and tribological tests were carried out to find out reasons for excellent properties. It was found that Te containing alloy has finely distributed precipitates of Bi-rich phase. The addition of Te changed the morphology of the Ni-rich primary phase from globular to fine dendritic. As a result, the anti-galling phase precipitated between dendrite arms with fine distribution showed excellent anti-galling properties.

Wettability Analysis of Liquid Phase in Partial Melted Solders Using Wetting Balance

  • Park, J.Y.;Ha, J.S.;Kang, C.S.;Kim, M.I.;Shin, K.S.;Jung, J.P.
    • 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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    • 한국마이크로전자및패키징학회 2000년도 Proceedings of 5th International Joint Symposium on Microeletronics and Packaging
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    • pp.81-86
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    • 2000
  • To evaluate the possibility of the partial melting soldering. wettability of partial melted solders was measured using wetting balance. Off eutectic Sn-Pb allows are wettable in their partial melting zone. Especially, Pb rich alloys showed excellent wettability while wettability of Sn rich alloys were adequate or poor. It is found that wettability increases over $200^{\circ}C$ regardless of composition liquid fraction and phases of the original alloy Sn-7Ag alloy showed good wettability in their partial melting zone, while Sn-65Bi alloy was non-wettable under their melting points.

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Ni 캡의 전기도금 및 SnBi 솔더 Debonding을 이용한 웨이퍼 레벨 MEMS Capping 공정 (Wafer-Level MEMS Capping Process using Electrodeposition of Ni Cap and Debonding with SnBi Solder Layer)

  • 최정열;이종현;문종태;오태성
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제16권4호
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    • pp.23-28
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    • 2009
  • Si 기판의 캐비티 형성이 불필요한 웨이퍼-레벨 MEMS capping 공정을 연구하였다. 4인치 Si 웨이퍼에 Ni 캡을 전기도금으로 형성하고 Ni 캡 rim을 Si 하부기판의 Cu rim에 에폭시 본딩한 후, SnBi debonding 층을 이용하여 상부기판을 Ni 캡 구조물로부터 debonding 하였다. 진공증착법으로 형성한 SnBi debonding 층은 Bi와 Sn 사이의 심한 증기압 차이에 의해 Bi/Sn의 2층 구조로 이루어져 있었다. SnBi 증착 층을 $150^{\circ}C$에서 15초 이상 유지시에는 Sn과 Bi 사이의 상호 확산에 의해 eutectic 상과 Bi-rich $\beta$상으로 이루어진 SnBi 합금이 형성되었다. $150^{\circ}C$에서 유지시 SnBi의 용융에 의해 Si 기판과 Ni 캡 구조물 사이의 debonding이 가능하였다.

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