Carbazole(electron donor)그룹과 dinitrobenzene(electron acceptor)그룹을 이용하여 전하 이동 작용이 실세스퀴옥산/고분자 하이브리드의 형성 메커니즘으로서 작용할 수 있는지 살펴보는 연구를 진행하였다. 하이브리드 실험은 새롭게 합성된 Poly(carbazole-styrene) (PS/D)와 dinitrobenzyl silsesquioxane (Cube/A)의 톨루엔 용액을 혼합/캐스팅을 하여 만들어진 필름을 이용하였으며 상분리가 없는 투명한 하이브리드 필름이 일부 조건에서 얻어졌다. PS/D및 Cube/A의 $^1H-NMR$분석, 그리고 하이브리드 필름들의 UV 흡수 실험은 실세스퀴옥산에 의한 입체 장애 효과가 없는 조건에서는 acceptor와 donor가 1:1로 전하 이동 착물을 형성할 수 있지만, 상분리가 없는 투명한 실세스퀴옥산 하이브리드는 acceptor/donor의 비율이 0.7 : 1 이하에서 형성된다는 것을 보여주었다. 이 결과들은 또 실세스퀴옥산 한 분자 당 평균 4개의 전하 이동 착물이 형성된다는 하이브리드 나노 구조에 대한 정보도 제공하였다.
유무기 하이브리드 나노 물질인 polyhedral oligomeric silsesquioxane(POSS)를 첨가한 diglycidyl ether of bisphenol A(DGEBA) 에폭시/방향족 아민계를 다양한 경화온도에서 등온으로 반응시킨 후 유리전이온도($T_g$)와 전환율(${\alpha}$)을 DSC를 이용하여 측정하였다. 등온 경화시간에 따른 $T_g$의 변화 데이터를 임의로 설정된 기준 온도에서 수평 이동시켜 반응초기에 해당하는 속도우세 구간에서 서로 겹치게 하여 이때 필요한 이동 인자를 구하였으며, 이를 이용하여 활성화 에너지를 결정하였다. 또한 POSS가 $T_g$ 및 ${\alpha}$에 미치는 영향을 조사하였으며 이들의 관계를 알기위하여 DiBenedetto식을 이용하여 분석하였다.
한국고분자학회 2006년도 IUPAC International Symposium on Advanced Polymers for Emerging Technologies
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pp.204-204
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2006
The interfacial interaction along with microstructure and some properties of the polyimide(PI)/silica or polyimide/silsesquioxane hybrid nanocomposites will be discussed with reviewing recent publications including our own works. Poly(vinyl silsesquioxane) (PVSSQ), aminosilane (APS), and titania can effectively play vital roles to compatibilize the PI/silica hybrid composites by enhancing interfacial interaction or reducing agglomeration of large domains, which helps the formation of nanocomposites for the PI/silica hybrid system.
다면체 올리고머 실세스퀴옥산 (POSS) 중 케이지 형태 8개의 아크릴레이트 그룹을 포함하는 POSS가 에틸렌-프로필렌-디엔고무 (EPDM) 과산화물 가교에서의 가교 거동, 기계적 특성에 미치는 영향 및 열 안정성 등을 조사하였다. 고무 100 phr당 0~12 phr의 POSS를 함량 별로 혼합하고 과산화물 가교제를 첨가하여 EPDM/POSS 복합재료를 만들었다. 가교 특성 결과 POSS의 아크릴레이트 그룹이 과산화물에 의해 활성화 되었고, 과산화물 가교 효율을 향상시키는 것으로 나타났다. EPDM/POSS 복합재료에서 POSS의 분산안정성은 떨어졌지만, 복합재료의 파단 강도, 신장률 및 열 안정성은 향상되었다.
1,2-propanediol isobutyl polyhedral silsesquioxane 올리고머(POSS)를 사용하여 폴리우레탄 나노 복합 발포체를 제조하고, 유리전이온도, 난연성 등과 같은 열적 성질과 흡음 특성에 대해 고찰하였다. 소량의 POSS 입자 첨가 시에도 발포 폴리우레탄의 흡음 성능이 강화되는 것으로 나타났다.
Silicate-silsesquioxane or siloxane-silsesquioxane hybrid thin films are strong candidates as matrix materials for ultra low dielectric constant (low-k) thin films. We synthesized the silicate-silsesquioxane hybrid resins from tetraethoxyorthosilicate (TEOS) and methyltrimethoxysilane (MTMS) through hydrolysis and condensation polymerization by changing their molar ratios ([TEOS]:[MTMS] = 7:3, 5:5, and 3:7), spin-coating on Si(100) wafers. In the case of [TEOS]:[MTMS] 7:3, the dielectric permittivity value of the resultant thin film was measured at 4.30, exceeding that of the thermal oxide (3.9). This high value was thought to be due to Si-OH groups inside the film and more extensive studies were performed in terms of electronic, ionic, and orientational polarizations using Debye equation. The relationship between the mechanical properties and the synthetic conditions of the silicate-silsesquioxane precursors was also investigated. The synthetic conditions of the low-k films have to be chosen to meet both the low orientational polarization and high mechanical properties requirements. In addition, we have investigated a new solution-based approach to the synthesis of semiconducting chalcogenide films for use in thin-film transistor (TFT) devices, in an attempt to develop a simple and robust solution process for the synthesis of inorganic semiconductors. Our material design strategy is to use a sol-gel reaction to carry out the deposition of a spin-coated CdS film, which can then be converted to a xerogel material. These devices were found to exhibit n-channel TFT characteristics with an excellent field-effect mobility (a saturation mobility of ${\sim}\;48\;cm^2V^{-1}s^{-1}$) and low voltage operation (< 5 V). These results show that these semiconducting thin film materials can be used in low-cost and high-performance printable electronics.
Hydrogen silsesquioxane (HSQ)는 spin-on glass (SOG)의 일종으로 spin-coating이 가능하며 $400^{\circ}C$ 이상의 고온에서의 어닐링을 통해 silica로 변환되는 물질이다. 이 물질은 가시광선 영역에서 95% 이상의 높은 투과도를 나타내며 산화물로의 변환 공정이 간단하며 표면 개질이 용이하기 때문에 나노 바이오, 반도체, 광전자 소자 등의 다양한 분야로의 적용이 기대되는 물질이다. 최근 나노 기술의 발전에 따라 다양한 나노 구조물을 이용하여 소자들의 효율을 향상시키는 연구가 활발하게 진행되고 있다. 따라서 HSQ를 이용하는 소자의 효율을 높이기 위해서는 쉽고 간단하면서 생산성이 높은 HSQ 나노 구조물 제작 기술에 대한 연구가 필요하다. 현재 개발된 대면적 HSQ 나노 구조물 제작 기술로는 e-beam lithography, x-ray lithography, room temperature nanoimprint lithography 등이 있다. 하지만 이와 같은 나노 패터닝 기술들은 생산성이 낮거나 공정이 복잡한 단점이 있다. 본 연구에서는 poly(dimethylsiloxane) (PDMS) mold를 이용한 직접 printing 기술을 통해 HSQ 나노 구조물을 제작하는 기술을 개발하였다. 이 기술은 대면적에 간단한 기술로 HSQ 나노 패턴을 제작할 수 있으며 master mold의 패턴이 그대로 HSQ layer로 전사되기 때문에 제작이 까다로운 아날로그 패턴도 손쉽게 제작할 수 있는 장점을 가지고 있다. 따라서 이와 같은 HSQ 직접 printing 기술을 이용하여 HSQ 아날로그 나노 패턴을 제작하고 이의 응용기술에 대한 연구를 진행하였다.
The Langmuir-Blodgett (LB) method has been one of the most suitable techniques for fabricating organic thin films with well-controlled structures, compositions and thickness at the molecular level. We investigated the surface activity of dendrimer films at air-water interface by $\pi$-A isotherm. Also, we attempted to fabricate a G3-9Ph dendritic silsequioxane LB films. And their surface morphologies were observed by atomic force microscopy (AFM).
Polyhedral oligomeric silsesquioxane (POSS) is an important inorganic-organic hybrid material with a three-dimensional structure. Polyurethane (PU) is a widely applied polymer that has versatile properties with the change of two phase structure. When POSS is incorporated into PU by physical or chemical methods, many properties can be greatly improved, such as mechanical properties, thermal stability, biodegradation resistance, and water resistance. This paper reviews the recent progress in preparation, structure, and performance of POSS-modified polyurethane from the viewpoint of physical blending and chemical modification.
The Langmuir-Blodgett (LB) method has been one of the most suitable techniques for fabricating organic thin films with well-controlled structures, compositions and thickness at the molecular level. We investigated the surface activity of dendrimer films at air-water interface by ${\pi}$-A isotherm. Also, we attempted to fabricate a 1G(4,3)-chloride dendrimer LB films. And their surface morphologies were observed by atomic force microscopy (AFM).
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[게시일 2004년 10월 1일]
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