Mixde-mode simulation을 이용한 4H-SiC DMOSFETs의 계면상태에서 포획된 전하에 따른 transient 특성 분석 (Mixed-mode simulation of transient characteristics of 4H-SiC DMOSFETs - Impact off the interface changes)
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- 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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- 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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- pp.55-55
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- 2009