• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1998년도 제14회 학술발표회 논문개요집
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• pp.20-20
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• 1998

I Ion beam technology has recently attracted much interest because it has exciting t technological p아:ential for surface analysis, ion beam mixing, surface cleaning and etching i in thin film growth and semiconductor fabrication processes, etc. Es야~cially, ion beam s sputtering has been widely used for sputter depth profiling with x-photoelectron S spectroscopy (XPS) , Auger electron s$\pi$~troscopy(AES), and secondary-ion mass S야i따oscopy(SIMS). However, The problem of surface compositional ch없1ge due to ion b bombardment remains to be understo여 없ld solved. So far sputtering processes have been s studied by s따face an외ysis tools such as XPS, AES, and SIMS which use the sputtering p process again. It would be improbable to measure the modified surface composition profiles a accurately due to ion beam bombardment with surface analysis techniques based on sputter d depth profiling. However, recently Medium energy ion scattering spectroscopy(MEIS) has b been applied to study the sputtering of solid surface at ion bombardment and has been p proved that it has been extremely valuable in probing the surface composition 뻐d s structure nondestructively and quantita디vely with less than 1.0 nm depth resolution. To u understand the sputtering processes of solid surface at ion bombardment, The Molecular D Dynamics(MD) and Monte Carlo(MC) simulation has been used and give an intimate i insight into the sputtering processes of solid surfaces. In this presentation, the sputtering processes of alloys and compound samples at ion b bombardment will be reviewed and the MEIS results for the Ar+ sputter induced altered l layer of the TazOs thin film 뻐dd없nage profiling of Ar+ ion sputt얹"ed Si(100) surface will b be discussed with the results of MD and MC simulation.tion.

• 한국재료학회지
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• 제14권12호
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• pp.835-839
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• 2004

The diamond thin films was deposited on Si(100) substrate by Hot Filament Chemical Vapor Deposition (HFCVD) method using supplied the $CH_{3}OH/H_{2}O$ mixtured gas with excess H_{2} gas. The role of hydrogen ion as the growth mechanism of the diamond deposit was examined and compared the $CH_{3}OH/H_{2}O$ with the $CH_4/H_2$. Pressures in the range of $1.1\sim290{\times}10^2$ Pa were applied and using $3.4\sim4.4$ kw power. It was investigated by Scanning Electron Microscopy(SEM) and Raman spectroscopy The H ion was etching the graphite and restrained from $sp^3\;to\;sp^2$. But excess $H_2$ gas was not helped diamond deposit using $CH_{3}OH/H_{2}O$ mixtured gas. It was shown that the role of hydrogen ion of deposited diamond films using $CH_{3}OH/H_{2}O$ was different from $CH_4/H_2$.

• 구강회복응용과학지
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• 제22권3호
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• pp.211-220
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• 2006

Need of porcelain-repair system is largely demanding as dental porcelain restorations are increased in clinical dentistry. This study investigated shear bond strength of commercial porcelain-repair systems on dental porcelain and their reliability. Experimental groups were as follows; Group A Super Bond C&B, Group B Porcelain repair kit, Group C Ceramic repair, and Group D Spectrum system as a control. Porcelain disks were fired and embedded in epoxy resin. Porcelain surface were ground using 220 grit SiC disk, then cleaned in ultrasonic bath. Then porcelain specimens were treated with each repair system. A clear polystyrene cylinder 3.5 mm in internal diameter was filled with composite resin. Then the resin cylinder was polymerized with a visible light curing unit. Thirty one specimens at each group were prepared and stored at $37^{\circ}C$ distilled water for 48 h. Specimens were tested in an Instron testing machine according to ISO TR 11405. Mean shear bond strength and standard deviation of each group was $15.7{\pm}4.1MPa$ (Group A), $12.8{\pm}4.9MPa$ (Group B), $7.2{\pm}3.0MPa$ (Group C) and $9.6{\pm}2.2MPa$ (Group D). ANOVA and Tukey HSD post-hoc test showed that there were significant differences between groups (p<0.05). Data of bond strength were analyzed with two-parameter Weibull distribution. Confidence interval of Weibull modulus (m-parameter) at 95% of Group A (3.5-6.3) and Group D (3.6-6.0) were significantly higher than Group B (2.2-3.7) and Group C (2.0-3.4). There was little correlation between mean shear bond strength and Weibull modulus. Results indicated that acid-etching of porcelain surface increased porcelain-resin shear bonding strength.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.469-469
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• 2011

고효율 염료감응형 태양전지(DSSC, Dye-Sensitized Solar Cell)의 구현을 위해서 유용한 방법중 하나는 정렬된 기공 (pore)을 $TiO_2$막 내에 형성시키는 것이다. 메조포러스 (mesoporous) $TiO_2$막은 dip coating이나 spin coating과 같은 방법으로 주로 증착되고 있으며, P123이나 F127과 같은 amphiphilic triblock copolymer를 메조포러스 구조를 만들기 위한 뼈대로 사용하고 있다. 또한, 이렇게 생성된 구조에서 amphiphilic triblock copolymer는 열처리 공정을 통하여 쉽게 제거될 수 있다. 고효율 태양전지를 구현하는 또 다른 방법으로는 패턴 된 기판을 사용하는 것이다. 패턴 된 기판은 빛의 반사를 억제하여 흡수율을 높이는 역할을 한다. 그러나 패턴 된 기판 위에서 메조포러스 $TiO_2$막의 형성에 관한 연구는 부족한 실정이다. 본 연구에서는 spin coating 방법으로 패턴 된 Si (111) 기판 위에 메조포러스 $TiO_2$를 성장하고 그 미세구조를 분석하였다. 패턴 된 기판은 nanosphere lithography(NSL) 법으로 mask를 증착한 후 건식 식각 (dry etching) 공정을 통해서 제작되었으며, 마스크와 불순물 등 은 초음파 세척 등으로 제거되었다. 메조포러스 $TiO_2$막은 1-propanol, P123, titanium isopropoxide와 HCl을 섞어 만든 용액으로 1 cm${\times}$1 cm 기판 위에 3000 rpm과 4000 rpm으로 각각 증착하였으며, 5일 동안 4도에서 에이징한 후 350도에서 3시간 열처리하였다. 이렇게 형성한 메조포러스 막의 형상과 미세구조적 특성이 주사전자현미경(SEM, scanning electron microscope), X-선 회절(XRD, X-ray diffraction) 등을 이용하여 연구되었다. 특히, 증착 조건에 따른 메조포러스 $TiO_2$박막의 형성 기구에 관한 고찰이 진행되었다. 나아가, $TiO_2$박막과 패턴 사이에 형성되는 계면 구조에 관한 연구를 투과전자현미경을 이용하여 진행하였다.

• 한국재료학회지
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• 제19권7호
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• pp.349-355
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• 2009

Metal thin film patterns on a LTCC substrate, which was connected through inner via and metal paste for electrical signals, were formed by a screen printing process that used electric paste, such as silver and copper, in a conventional method. This method brought about many problems, such as non uniform thickness in printing, large line spaces, and non-clearance. As a result of these problems, it was very difficult to perform fine and high resolution for high frequency signals. In this study, the electric signal patterns were formed with the sputtered metal thin films (Ti, Cu) on an LTCC substrate that was coated with protective oxide layers, such as $TiO_2$ and $SiO_2$. These electric signal patterns' morphology, surface bonding strength, and effect on electro plating were also investigated. After putting a sold ball on the sputtered metal thin films, their adhesion strength on the LTCC substrate was also evaluated. The protective oxide layers were found to play important roles in creating a strong design for electric components and integrating circuit modules in high frequency ranges.

• 비파괴검사학회지
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• 제22권4호
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• pp.347-353
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• 2002

수용액에 포함된 수소이온$(H^+)$의 농도를 측정하는 유리 전극형 수소이용 농도(pH) 센서의 기본 구조를 bulk micromachining 기술로 구현하여 소형의 pH 센서를 제작하였다. 박막 증착이 가능한 경사 식각으로 개방된 2개의 기본 구조물을 형성하고, 일정 전위를 유지하기 위한 기준전극은 식각된 구조물 경사면에 박막형 Ag/AgCl으로 확보하였다. $H^+$과 교환 반응으로 전위를 발생시키는 감응부는 Na이 20%이상 포함된 glass로 $100{\mu}m$ 내외로 미세 연마하여 기본 구조물에 접합하여 완성하였다. 또한 외부 용액과 기준 용액의 혼합을 방지하면서 전류 도통 역할을 하는 액간 접촉부는 $50{\mu}m{\times}50{\mu}m$ 크기의 Si 이방성 식각 부분에 한천을 삽입하고 난 다음 기존의 구조물에 접합하여 형성하였다. 각 구조물을 완성한 다음 2M 농도의 KCI 기준 용액을 구조물에 채우고, 상용 에폭시로 센서 구조물을 밀봉하여 센서를 완성하였다. 제작된 pH 센서들은 표준 pH 용액에 대하여 약 90mV/pH의 전위값이 측정되었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권10호
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• pp.671-677
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• 2001

사파이어 기판 위에 성장된 GaN위에 RUO₂/GaN 쇼트키형 자외선 수광소자를 설계, 제작하였다. 자외선 빛의 흡수율을 높이기 위해, MOCVD 다층구조는 undoped GaN(0.5 ㎛)in￣-GaN(0.1 ㎛)/n＋-GaN(1.5 ㎛)로 성장하였다. 성장층은 3.8×10/sup 18/ cm￣³의 캐리어 농도와 283 ㎠/V· s의 이동도를 가진다. 500 ㎛내외의 직경을 가지는 메사구조를 형성하기 위해 ECR 식각한 후, n＋-GaN층위에 Al으로 저항성 접촉을 하였다. 저항성 및 쇼트키 접촉 사이에 Si₃/N₄ 박막으로 절연한 이후 undoped GaN 층위에 RuO₂ 쇼트키 접촉을 하였다. 제작된 쇼트키 다이오드는 1.15×10/sup -5/ ［Ω-㎠］의 접촉비저항을 가졌다. 제작된 다이오드는 역전압인 -5V에서 305pA의 낮은 누설전류를 확인하였는데, 이 값은 RuO₂ 쇼트키 금속증착에 의해 현저히 향상된 것이다. 광측정에서는 10/sup 5/의 자외선대가시광선 제거비와 365nm 파장에서 0.23A/W로 높은 응답도를 보인다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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• pp.319-322
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• 2003

To match the charge induced by the insulators $CeO_2$ with the remanent polarization of ferro electric SBT thin films, areas of Pt/SBT/Pt (MFM) and those of $Pt/CeO_2/Si$ (MIS) capacitors were ind ependently designed. The area $S_M$ of MIS capacitors to the area $S_F$ of MFM capacitors were varied from 1 to 10, 15, and 20. Top electrode Pt and SBT layers were etched with for various area ratios of $S_M\;/\;S_F$. Bottom electrode Pt and $CeO_2$ layers were respectively deposited by do and rf sputtering in-situ process. SBT thin film were prepared by the metal orgnic decomposition (MOD) technique. $Pt(100nm)/SBT(350nm)/Pt(300nm)/CeO_2(40nm)/p-Si$ (MFMIS) gate structures have been fabricated with the various $S_M\;/\;S_F$ ratios using inductively coupled plasma reactive ion etching (ICP-RIE). The leakage current density of MFMIS gate structures were improved to $6.32{\times}10^{-7}\;A/cm^2$ at the applied gate voltage of 10 V. It is shown that in the memory window increase with the area ratio $S_M\;/\;S_F$ of the MFMIS structures and a larger memory window of 3 V can be obtained for a voltage sweep of ${\pm}9\;V$ for MFMIS structures with an area ratio $S_M\;/\;S_F\;=\;6$ than that of 0.9 V of MFS at the same applied voltage. The maximum memory windows of MFMIS structures were 2.28 V, 3.35 V, and 3.7 V with the are a ratios 1, 2, and 6 at the applied gate voltage of 11 V, respectively. It is concluded that ferroelectric gate capacitors of MFMIS are good candidates for nondestructive readout-nonvolatile memories.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제12권2호
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• pp.111-119
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• 2005

직경 $75{\mu}m$ 높이 $90{\mu}m$및 $150{\mu}m$ 피치의 Cu via를 통한 삼차원 배선구조를 갖는 스택 시편을 deep RIE를 이용한 via hole 형성공정 , 펄스-역펄스 전기도금법에 의한 Cu via filling 공정, CMP를 이용한 Si thinning 공정, photholithography, 금속박막 스퍼터링, 전기도금법에 의한 Cu/Sn 범프 형성공정 및 플립칩 공정을 이용하여 제작하였다. Cu via를 갖는 daisy chain 시편에서 측정한 접속범프 개수에 따른 daisy chain의 저항 그래프의 기울기로부터 Cu/Sn 범프 접속저항과 Cu via 저항을 구하는 것이 가능하였다. $270^{\circ}C$에서 2분간 유지하여 플립칩 본딩시 $100{\times}100{\mu}m$크기의 Cu/Sn 범프 접속저항은 6.7 m$\Omega$이었으며, 직경 $75 {\mu}m$, 높이 $90{\mu}m$인 Cu via의 저항은 2.3m$\Omega$이었다.

• 한국지반공학회논문집
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• 제17권4호
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• pp.289-299
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• 2001

본 연구는 균질 및 2개층 비균질지반에서 사질토지반 상에 놓인 정방형 기초의 극한지지력과 침하에 대하여 고찰하였다. 본 연구는 얕은기초의 거동에 대한 정방형 기초의 크기, 지반 상대밀도, 기초 폭에 대한 상부층의 두께 비(H/B), 상부층 아래 경계면의 경사($\theta$) 그리고 지반강성비의 영향을 규명하기 위하여 모형실험을 수행하였다. 동일 상대밀도에서 지지력 계수($N_{{\gamma}}$)는 일정하지 않으며 기초 폭에 직접적으로 관련되며 지지력계수는 기초 폭이 증가함에 따라 감소하였다. 기초크기의 영향과 구속압력의 영향을 고려하는 Ueno 방법에 의한 극한지지력의 예측값은 고전적인 지지력 산정식보다 더 잘 일치하며 그 값은 실험값의 65% 이상으로 나타났다. $\theta$=$0^{\circ}$인 2개층 지반의 결과에 근거하여, 극한지지력에 대한 하부층 지반의 영향을 무시할 수 있는 한계 상부층 두께는 기초 폭의 2배로 결정되었다. 그러나, 73%의 상부층 상대밀도인 경우는 침하비($\delta$B) 0.05 이하에서만 이 결과가 유효하였다. 경계면이 경사진 2개층 지반의 결과에 근거하여, 상부층의 상대밀도가 느슨할수록 그리고 상부층의 두께가 클수록 극한지지력에 대한 경계면 경사의 영향은 크지 않는 것으로 나타났다. 경계면의 경사가 증가함에 따른 극한침하량의 변화는 경계면이 수평인 경우($\theta$=$0^{\circ}$)를 기준으로 0.82~1.2(상부층 $D_{r}$=73%인 경우) 그리고 0.9~1.07(상부층 $D_{r}$=50%인 경우) 정도로 나타났다.Markup Language 문서로부터 무선 마크업 언어 문서로 자동 변환된 텍스트를 인코딩하는 경우와 같이 특정한 응용 분야에서는 일반 문자열에 대한 확장 인코딩 기법을 적용할 필요가 있을 수 있다.mical etch-stop method for the etching of Si in TMAH:IPA;pyrazine solutions provides a powerful and versatile alternative process for fabricating high-yield Si micro-membranes. the RSC circle, but also to the logistics system in the SLC circle. Thus, the RSLC model can maximize combat synergy effects by integrating the RSC and the SLC. With a similar logic, this paper develops "A Revised System of Systems with Logistics (RSSL)" which combines "A New system of Systems" and logistics. These tow models proposed here help explain several issues such as logistics environment in future warfare, MOE(Measure of Effectiveness( on logistics performance, and COA(Course of Actions) for decreasing mass and increasing velocity. In particular, velocity in logistics is emphasized.