LCL filters installed at converter outputs offer a higher harmonic attenuation than L filters. However, as a three order resonant circuit, it is difficult to stabilize and has a risk of oscillating with the power grid. Therefore, careful design is required to damp LCL resonance. Compared to a passive damping method, an active damping method is a more attractive solution for this problem, since it avoids extra power losses. In this paper, the damping capabilities of capacitor current, capacitor voltage, and grid-side current feedback methods, are analyzed under the discrete-time state-space model. Theoretical analysis shows that the grid-side current feedback method is more suitable for use in active power filters, because it can damp LCL resonance more effectively than the other two methods when the ratio of the resonance and the control frequency is between 0.225 and 0.325. Furthermore, since there is no need for extra sensors for additional states measurements, this method provides a cost-efficient solution. To support the theoretical analysis, the proposed method is tested on a 7-kVA single-phase shunt active power filter.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.24
no.6
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pp.586-594
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2013
This paper proposes a new coupling element of microwave slot coupler for designing waveguide slot array which can reduce the effect of undesired higher order mode coupling between coupling and radiating slots in the branch waveguide. The proposed device is composed of a centered longitudinal shunt-series coupling slot at the center of broad wall shared by two crossed rectangular waveguides and an asymmetric compound iris that excites the coupling slot. We first have obtained scattering parameters for the proposed coupler by use of EM S/W tool HFSS and then extracted the parameters of T- network equivalent circuit for the coupling slot. We also have analyzed the resonant properties such as resonant length and normalized admittance by changing the geometrical dimensions. The measured results for the fabricated coupler with short-circuited block ${\lambda}_g/4$ away from the coupling slot are well agreed with the simulated ones.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.56
no.2
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pp.277-281
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2007
We investigated fault current limitation characteristics of the resistive superconducting fault current limiter (SFCL) which consisted of a Bi-2212 bulk coil and a shunt coil. The Bi-2212 bulk coil and the shunt coil were connected in parallel. The Bi-2212 bulk coil was placed inside the shunt coil to induce field-assisted quench. The fault test was conducted at an input voltage of $200V_{rms}$ and fault current of $12kA_{rms}\;and\;25kA_{rms}$. The fault conditions were asymmetric and symmetric, and the fault period was 5 cycles. The test results show that the SFCL successfully limited the fault current of $12kA_{rms}\;and\;25kA_{rms}$ to below $5.5{\sim}6.9kA_{peak}\;within\;0.64{\sim}2.17$ msec after the fault occurred. Limitation was faster under symmetric fault test condition due to the larger change rate of current. We concluded that the speed of fault current limitation was determined by the speed of current rise rather than the amplitude of a short circuit current. These results show that the Bi-2212 bulk coil is suitable for distribution-class SFCLS.
We investigated fault current limitation characteristics of the resistive superconducting fault current limiter(SFCL) which consisted of a Bi-2212 bulk coil and a shunt coil. The Bi-2212 bulk coil and the shunt coil were connected in parallel. The Bi-2212 bulk coil was placed inside the shunt coil to induce field-assisted quench. The fault test was conducted at an input voltage of 200 $V_{rms}$ and fault current of 12 $kA_{rms}$ and 25 $kA_{rms}$. The fault conditions were asymmetric and symmetric, and the fault period was 5 cycles. The test results show that the SFCL successfully limited the fault current of 12 $kA_{rms}$ and 25 $kA_{rms}$ to below $5.5{\sim}6.9kA_{peak}$ within $0.64{\sim}2.17$ msec after the fault occurred. Limitation was faster under symmetric fault test condition due to the larger change rate of current. We concluded that the speed of fault current limitation was determined by the speed of current rise rather than the amplitude of a short circuit current. These results show that the Bi-2212 bulk coil is suitable for distribution-class SFCLs.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.14
no.1
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pp.100-108
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2014
Low noise amplifier (LNA) is an integral component of RF receiver and frequently required to operate at wide frequency bands for various wireless system applications. For wideband operation, important performance metrics such as voltage gain, return loss, noise figure and linearity have been carefully investigated and characterized for the proposed LNA. An inductive shunt feedback configuration is successfully employed in the input stage of the proposed LNA which incorporates cascaded networks with a peaking inductor in the buffer stage. Design equations for obtaining low and high impedance-matching frequencies are easily derived, leading to a relatively simple method for circuit implementation. Careful theoretical analysis explains that input impedance can be described in the form of second-order frequency response, where poles and zeros are characterized and utilized for realizing the wideband response. Linearity is significantly improved because the inductor located between the gate and the drain decreases the third-order harmonics at the output. Fabricated in $0.18{\mu}m$ CMOS process, the chip area of this wideband LNA is $0.202mm^2$, including pads. Measurement results illustrate that the input return loss shows less than -7 dB, voltage gain greater than 8 dB, and a little high noise figure around 6-8 dB over 1.5 - 13 GHz. In addition, good linearity (IIP3) of 2.5 dBm is achieved at 8 GHz and 14 mA of current is consumed from a 1.8 V supply.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.20
no.10
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pp.1091-1096
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2009
Some closed-form expressions for circuit parameters are derived based on the equivalent circuits for the resonant MTM-TL(open and short). The lumped series resistance and shunt conductance, which explain radiation effects of a unit cell may be found by |$S_{11}$|(simulated or measured) with open and short terminations, respectively. The EM-simulated results, circuit-simulated results(obtained using extracted circuit parameters) and measurement results are shown to be in good agreement.
An ultra-wideband microwave monolithic integrated circuit high-power amplifier with excellent input and output return losses for phased array jammer applications was designed and fabricated using commercial $0.25-{\mu}m$ AlGaN/GaN technology. To improve the wideband performance, resistive matching and a shunt feedback circuit are employed. The input and output return losses were improved through a balanced design using Lange-couplers. This three-stage amplifier can achieve an average saturated output power of 15 W, and power added efficiency of 10% to 28%, in a continuous wave operation over a frequency range of 6 GHz to 18 GHz. The input and output return losses were demonstrated to be lower than -15 dB over a wide frequency range.
The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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v.27
no.2
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pp.85-91
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2022
This study proposes a high efficiency bridgeless Power Factor Correction (PFC) converter with improved common mode noise characteristics. Conventional PFC has limitations due to low efficiency and enlarged heat sink from considerable conduction loss of bridge diode. By applying a Common Mode (CM) coupled inductor, the proposed bridgeless PFC converter generates less conduction loss as only a small magnetizing current of the CM coupled inductor flows through the input diode, thereby reducing or removing heat sink. The input diode is alternately conducted every half cycle of 60 Hz AC input voltage while a negative node of AC input voltage is always connected to the ground, thus improving common mode noise characteristics. With the aim to improve switching loss and reverse recovery of output diode, the proposed circuit employs Critical Conduction Mode (CrM) operation and it features a simple Zero Current Detection (ZCD) circuit for the CrM. In addition, the input current sensing is possible with the shunt resistor instead of the expensive current sensor. Experimental results through 480 W prototype are presented to verify the validity of the proposed circuit.
ITO(Indium Tin Oxide) film with thickness of 1500.angs. was prepared by an e-beam evaporator onto a glass and a p-type InP wafer (100) LEC grown Zn-doped p=2.3*10$\^$16/cm$\^$-3/), in which the components of ITO used for evaporation source were hot pressed pellets 1 mole% ln$\_$2/O$\_$3/+9 mole% SnO$\_$2/, and evaporated in O$\_$2/ ambient. The optimum conditions to preparation of ITO thin film were the substrate temperature of 350.deg. C, the injected oxygen pressure of 2*10$\^$-4/ torr, and the evaporation speed of 0.2-0.3.angs./sec, respectively. In these optimum conditions, the resistivity and the carrier concentration were 5.3*10$\^$-3/ .ohm.-cm, 6.5*10$\^$20/cm$\^$-3/, and the transmittance was over 80%. From the results of J-V measurements in ITO/p-InP structure solar cells, the higher pressure of injected oxygen, the more open circuit voltage. The efficiency of ITO/p-InP solar cell without the grid line contact, prepared by the optimum evaporation conditions, was 7.19%. By using the grid line contact, the efficiency, the open circuit voltage, the short circuit current density, the fill factor, the series resistance, and the shunt resistance were 8.5%, 0.47V, 29.48 mAcm$\^$-2/ , 61.35%, 3.ohm., and 26.6k.ohm., respectively.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.19
no.2
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pp.214-222
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2008
The equivalent circuit for the RLH-TL is proposed considering radiation effects due to the inclusion of a series capacitor and shunt inductor in a unit cell for the right/left-handed transmission line(RLH-TL). The design equations to realize a specific phase shift at a given frequency is also provided. The S-parameters for unit cells with N=1, 3, 5, and 10 are analyzed in various aspects based on the EM and circuit simulations especially for the purpose of controlling radiation along RLH-TL's. A modification formula for the radiation rate per unit cell is also proposed for good agreement between the EM and circuit simulation results.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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