Lee Seung Ryul;Kim Jong-Yul;Choi Heung-Kwan;Yoon Jae Young
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers A
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v.53
no.12
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pp.661-669
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2004
As the load density of KEPCO system is higher, the fault current can be much higher than SCC(Short Circuit Capacity) of circuit breaker. Fault current exceeding the rating of circuit breaker is a very serious problem in high density load area, which can threaten the stability of whole power system. Even though there are several alternatives to reduce fault current, as the superconductivity technology has been developed, the HTS-FCL (High Temperature Superconductivity Fault Current Limiter) can be one of the attractive alternatives to solve the fault current problem. This study presents the application plication of 154kV HTS-FCL in Korean power system.
The effects of Ge composition variation in $a-Si_{1-x}Ge_x:H$ alloy p-i-n solar cells on the physical properties and current density-voltage characteristics are analyzed by a new simulation modelling based on the update published experimental datas. The simulation modelling includes newly formulated density of gap density spectrum corresponding to Ge composition variation and utilizes the newly derived generation rate formulars which include the reflection coefficients and can apply to multijunction structures as well as single junction structure. The effects in $a-Si_{1-x}Ge_x:H$ single junction are analyzed through the efficiency, fill factor, open circuit voltage, short circuit current density, free carriers, trap carriers, electric field, generation rate and recombination rate. Based on the results analyzed in single junction structure, the applications to multiple junction structures are discussed and the optimal conditions reaching to a high performance are investigated.
For MHz-class high frequency inverter in wireless power transfer applications, the voltage/current surges can be occurred in power stage when driving on the inverter. And also, the high-frequency oscillations can be produced at a high switching frequency due to the parasitic elements. The voltage and current stresses of the switching devices lead to the switching losses. The efficiency of the high frequency inverter will be reduced. And the inverter circuit with the sudden voltage and current fluctuations also generates the noise such as the EMI. Zero voltage, zero current switching technique can be used to reduce the switching loss and the noise. The high power density and high efficiency can be obtained. In this paper, the high-frequency inverter for short-range wireless power transfer applications was discussed. The feasible inverter circuit is analyzed in the circuit operating characteristics and the results are verified by the simulation.
Kim, Min-Seok;Oh, Sea-Hwa;Park, Yong-Gul;Lee, Jong-Woo
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.60
no.3
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pp.552-559
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2011
There is a method for offering continuous information by AF track circuits. Magnetic fields are formed by current through rails in the AF track circuit systems. So, the continuous information is received by the magnetic fields on a on-board antenna. Coating materials of spray on rails are researched to decrease defects such as head check, shelling, corrugation, squats and so on in Germany. Currently, a coating method of rail construction is proposed by using the ceramics in Korea. When deciding physical characteristic of the coating material of spray, researches are required about variation of flux density and resistivity by using the coating material of spray. In case that the flux density is much lower than existing value, the information for train control is not transmitted to the on-board antenna. In this paper, inductance on rails is calculated and a model is presented about variation of the magnetic field intensity and resistivity in the AF track circuit. Standard permeability of the coating material of spray is proposed. Also, standard resistivity of the coating material of spray is presented by analyzing short current.
In commercial solar cells, the pattern of the front electrode is critical to effectively assemble the photo generated current. The power loss in solar cells caused by the front electrode was categorized as four types. First, losses due to the metallic resistance of the electrode. Second, losses due to the contact resistance of the electrode and emitter. Third, losses due to the emitter resistance when current flows through the emitter. Fourth, losses due to the shading effect of the front metal electrode, which has a high reflectance. In this paper, optimizing the number of finger on a $4{\times}4$ solar cell is demonstrated with known theory. We compared the short circuit current density and fill factor to evaluate the power loss from the front metal contact calculation result. By experiment, the short circuit current density($J_{sc}$), taken in each pattern as 37.61, 37.53, and $37.38mA/cm^2$ decreased as the number of fingers increased. The fill factor(FF), measured in each pattern as 0.7745, 0.7782 and 0.7843 increased as number of fingers increased. The results suggested that the efficiency(Eff) was measured in each pattern as 17.51, 17.81, and 17.84 %. Throughout this study, the short-circuit current densities($J_{sc}$) and fill factor(FF) varied according to the number of fingers in the front metal pattern. The effects on the efficiency of the two factors were also investigated.
Polycrystalline CdTe thin films have been studied for photovoltaic application because of their high absorption coefficient and optimal band energy(1.45 eV) for solar energy conversion. In this study CdTe thin films were deposited on CdS(chemical bath deposition)/ITO(indium tin oxide) substrate by rf-magnetron sputtering under various conditions. Structural optical and electrical properties are investigated with XRD UV-Visible spectrophotometer SEM and solar simulator respectively. The fabricated CdTe/CdS solar cell exhibited open circuit voltage( $V_{oc}$ ) of 610 mV short circuit current density( $J_{sc}$ ) of 17.2 mA/c $m^2$and conversion efficiency of about 5% at optimal sputtering conditions.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.6
no.3
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pp.115-118
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2005
Organic photovoltaic properties were studied in $CuPc/C_{60}$ and $ZnPc/C_{60}$ heterojunction structure by varying the organic layer thicknesses. Current density-voltage characteristics of organic photovoltaic cells were measured using Keithley 236 source-measure unit and a 500 W xenon lamp (ORIEL 66021) for a light source. From the analyses of current-voltage characteristics such as short-circuit current density, open-circuit voltage and power conversion efficiency, optimum thickness of the organic layer were obtained.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.394-394
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2009
Owing to the increasing number of intelligent homes(or called Smart home), the corresponding cost is much higher. Low voltage circuit breakers are widely used in the intelligent homes to interrupt fault current rapidly and to assure the reliability of the power supply. The distribution of magnetic field induced by arc current in the contact system of molded case circuit breaker(hereafter MCCB) depends on the shape, arrangement, and kinds of material of arc runner. This paper is focused on understanding the interrupting capability, more specifically of the arc runner, based on the shape of the contact system in the current MCCB. The magnetic driving force was calculated by using the flux densities induced by the arc current, which are obtained by three-dimensional finite element method. There is a need to assure that the optimum design required to analyze the electromagnetic forces of the contact system generated by current and the flux density be present. This is paper present our computational analysis on contact system in MCCB.
Organic photovoltaics (OPVs) have attracted significant interest in an interdisciplinary research field for the decades as a next-generation photovoltaic device due to their unique advantages. One of requirements for OPVs having high power conversion efficiency is the favorable energy level alignment between the electrode/organic and organic/organic interfaces to manage the exciton dissociation and improve the charge transport. In this review, strategies to enhance the OPV performance by controlling the energy level alignment are discussed. The insertion of an exciton blocking layer leads to the efficient dissociation of photogenerated excitons at the donor/acceptor interface enhancing the short-circuit current density. The choice of a donor having a high ionization energy and an acceptor having a low electron affinity increases the open-circuit voltage. The insertion of an appropriate work function modifier which reduces the charge injection barrier removes the S-kink in current density-voltage characteristics of OPVs and improves the fill factor. This review would give a valuable guide to design the efficient OPV structure.
ITO(Indium Tin Oxide) film with thickness of 1500.angs. was prepared by an e-beam evaporator onto a glass and a p-type InP wafer (100) LEC grown Zn-doped p=2.3*10$\^$16/cm$\^$-3/), in which the components of ITO used for evaporation source were hot pressed pellets 1 mole% ln$\_$2/O$\_$3/+9 mole% SnO$\_$2/, and evaporated in O$\_$2/ ambient. The optimum conditions to preparation of ITO thin film were the substrate temperature of 350.deg. C, the injected oxygen pressure of 2*10$\^$-4/ torr, and the evaporation speed of 0.2-0.3.angs./sec, respectively. In these optimum conditions, the resistivity and the carrier concentration were 5.3*10$\^$-3/ .ohm.-cm, 6.5*10$\^$20/cm$\^$-3/, and the transmittance was over 80%. From the results of J-V measurements in ITO/p-InP structure solar cells, the higher pressure of injected oxygen, the more open circuit voltage. The efficiency of ITO/p-InP solar cell without the grid line contact, prepared by the optimum evaporation conditions, was 7.19%. By using the grid line contact, the efficiency, the open circuit voltage, the short circuit current density, the fill factor, the series resistance, and the shunt resistance were 8.5%, 0.47V, 29.48 mAcm$\^$-2/ , 61.35%, 3.ohm., and 26.6k.ohm., respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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