• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.363-363
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• 2014

Ruthenium (Ru) has attractive material properties due to its promising characteristics such as a low resistivity ($7.1{\mu}{\Omega}{\cdot}cm$ in the bulk), a high work function of 4.7 eV, and feasibility for the dry etch process. These properties make Ru films appropriate for various applications in the state-of-art semiconductor device technologies. Thus, it has been widely investigated as an electrode for capacitor in the dynamic random access memory (DRAM), a metal gate for metal-oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), and a seed layer for Cu metallization. Due to the continuous shrinkage of microelectronic devices, better deposition processes for Ru thin films are critically required with excellent step coverages in high aspect ratio (AR) structures. In these respects, atomic layer deposition (ALD) is a viable solution for preparing Ru thin films because it enables atomic-scale control of the film thickness with excellent conformality. A recent investigation reported that the nucleation of ALD-Ru film was enhanced considerably by using a zero-valent metallorganic precursor, compared to the utilization of precursors with higher metal valences. In this study, we will present our research results on the synthesis and characterization of novel ruthenium complexes. The ruthenium compounds were easy synthesized by the reaction of ruthenium halide with appropriate organic ligands in protic solvent, and characterized by NMR, elemental analysis and thermogravimetric analysis. The molecular structures of the complexes were studied by single crystal diffraction. ALD of Ru film was demonstrated using the new Ru metallorganic precursor and O2 as the Ru source and reactant, respectively, at the deposition temperatures of $300-350^{\circ}C$. Self-limited reaction behavior was observed as increasing Ru precursor and O2 pulse time, suggesting that newly developed Ru precursor is applicable for ALD process. Detailed discussions on the chemical and structural properties of Ru thin films as well as its growth behavior using new Ru precursor will be also presented.

• 한국재료학회지
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• 제23권7호
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• pp.379-384
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• 2013

In order to produce size-controllable Ag nanoparticles and a nanomesh-patterned Si substrate, we introduce a rapid thermal annealing(RTA) method and a metal assisted chemical etching(MCE) process. Ag nanoparticles were self-organized from a thin Ag film on a Si substrate through the RTA process. The mean diameter of the nanoparticles was modulated by changing the thickness of the Ag film. Furthermore, we controlled the surface energy of the Si substrate by changing the Ar or $H_2$ ambient gas during the RTA process, and the modified surface energy was evaluated through water contact angle test. A smaller mean diameter of Ag nanoparticles was obtained under $H_2$ gas at RTA, compared to that under Ar, from the same thickness of Ag thin film. This result was observed by SEM and summarized by statistical analysis. The mechanism of this result was determined by the surface energy change caused by the chemical reaction between the Si substrate and $H_2$. The change of the surface energy affected on uniformity in the MCE process using Ag nanoparticles as catalyst. The nanoparticles formed under ambient Ar, having high surface energy, randomly moved in the lateral direction on the substrate even though the etching solution consisting of 10 % HF and 0.12 % $H_2O_2$ was cooled down to $-20^{\circ}C$ to minimize thermal energy, which could act as the driving force of movement. On the other hand, the nanoparticles thermally treated under ambient $H_2$ had low surface energy as the surface of the Si substrate reacted with $H_2$. That's why the Ag nanoparticles could keep their pattern and vertically etch the Si substrate during MCE.

• 한국광학회지
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• 제8권6호
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• pp.510-515
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• 1997

광모듈에서는 반도체소자와 광섬유간의 복잡한 정렬에 필요한 패키지비용이 제조단가의 많은 비중을 차지하고 있어 수동정렬방식으로 광정렬절차를 제거하여 패키지비용을 절감하는데 대한 많은 연구가 행해지고 있다. 본 연구에서는 단일 모드 광섬유와 레이저 및 광검출기를 수동적으로 광결합시킬 수 있는 실리콘 광학벤치를 제작하고 이를 사용하여 광송수신기용의 광부모듈을 제작하였다. 기판의 구조에 있어서 V-홈에 정렬된 광섬유와 플립칩 본딩되는 LD간의 위치 정밀도를 개선하기 위하여 V-홈 식각패턴과 자기정렬된 정렬마크와 솔더댐을 사용하고 레이저의 높이조절 및 열방출을 위하여 도금된 금 받침대를 도입하였다. 실리콘 광학벤치를 이용하여 수동정렬방식으로 조립된 송신기용 광부모듈은 평균 -11.75.+-.1,75 dB의 광결합효율을 나타내었고 수신기용 광부모듈은 평균 -35.0.+-.1.5 dBm의 수신감도를 나타내었다.

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제18권1호
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• pp.1-26
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• 1993

The purpose of this study was to investigate the effect of acid etching on the surface appearance and fracture toughness of five glass ionomer cements. Five kinds of commercially available glass ionomer cements including chemical curing filling type, chemical curing lining type, chemical curing metal reinforced type, light curing tilling type and light curing lining type were used for this study. The specimens for SEM study were fabricated by treating each glass ionomer cement with either visible light curing or self curing after being inserted into a rubber mold (diameter 4mm, depth 1mm). Some of the specimens were etched with 37% phosphoric acid for 0, 15, 30, 60, go seconds, at 5 minutes, 1 hour and 1 day after mixing of powder and liquid. Unetched ones comprised the control group and the others were the experimental groups. The surface texture was examined by using scanning electron microscope at 20 kV. (S-2300, Hitachi Co., Japan). The specimens for fracture toughness were fabricated by curing of each glass ionomer cement previously inserted into a metal mold for the single edge notch specimen according to the ASTME399. They were subjected to a three-point bend test after etching for 0, 30, 60, and 90 seconds at 5 minutes-, 1 hour-and 1 day-lapse after the fabrication of the specimens. The plane strain fracture toughness ($K_{IC}$) was determined by three-point bend test which was conducted with cross-head speed of 0.5 mm/min using Instron universal testing machine (Model No. 1122) following seven days storage of the etched specimens under $37^{\circ}C$, 100% humidity condition. Following conclusions were drawn. 1. In unetched control group, crack was present, but the surface was generally smooth. 2. Deterioration of the surface appearance such as serious dissolving of gel matrix and loss of glass particles occured as the etching time was increased beyond 15 s following Immediate etching of chemical curing type of glass ionomer cements. 3. Etching after 1 h, and 1 d reduced surface damage, 15 s, and 30s etch gave rough surface appearance without loss of glass particle of chemical curing type of glass ionomer cements. 4. Light curing type glass ionomer cement was etched by acid, but there was no difference in surface appearances according to various waiting periods. 5. It was found that the value of plane stram fracture toughness of glass ionomer cements was highest in the light curing filling type as $1.79\;MNm^{-1.5}$ followed by the light curing lining type, chemical curing metal reinforced type, chemical curing filling type and chemical curing lining type. 6. The value of plane stram fracture toughness of the chemical curing lining type glass ionomer cement etched after 5 minutes was lower than those of the cement etched after 1 hour or day or unetched (P < 0.05). 7. Light curing glass ionomer cement showed Irregular fractured surface and chemical curing cement showed smooth fractured surface.

• 한국진공학회지
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• 제12권4호
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• pp.263-268
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• 2003

차세대 반도체 및 디스플레이 소자에 적용되는 실리콘 질화막은 정확한 두께 제어와 우수한 물성을 필요로 한다. 본 연구에서는 우수한 특성의 실리콘 질화막을 형성하기 위해 Si 원료물질로 $SiC1_4$, N 원료물질로 $NH_3$을 사용하고 $500^{\circ}C$에서 $600^{\circ}C$ 온도구간에서 batch-type 장비를 이용하여 원자층 증착 방법으로 박막을 형성하고 증착된 박막의 특성을 살펴보았다. Batch-type 장비를 사용한 박막의 증착은 표면반응에 의한 균일한 원자층 증착임을 확인하였으며, 증착 cycle의 횟수를 조절하여 원하는 두께의 박막을 형성할 수 있었다. 원자층 증착된 박막의 조성, 굴절률 및 습식각 속도를 기존의 저압화학증착 방법에 의해 증착된 박막과 비교한 결과, 원자층 증착 방법을 사용하여 기존의 방법보다 증착온도를 $250^{\circ}C$ 이상 낮추면서도 유사한 물성을 가진 박막을 형성할 수 있음을 확인하였다. Pyridine을 촉매로 첨가하여 원자층 증착한 박막의 경우에는 증착속도를 50% 가량 향상시킬 수 있었으나 박막의 구조가 불안정하여 쉽게 산화되므로 반도체나 디스플레이 소자 제조에 적용하기에는 부적절한 것으로 판단된다.

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제36권1호
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• pp.50-58
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• 2011

연구목적: 이 연구는 2종의 전부식 접착제와 4종의 자가부식 접착제를 이용하여 유동성 레진을 법랑질에 접착할 경우, 접착제에 따른 미세전단 결합강도와 파절양상을 비교하기 위하여 시행하였다. 연구 재료 및 방법: 발거된 60개의 대구치 치관의 법랑질을 이용하였고, 사용된 접착시스템의 종류에 따라 6개의 군; OS 군(One-Step), SB 군(Single Bond), SE 군(Clearfil SE Bond), TY 군(Tyrian SPE와 One-Step Plus), AP 군(Adper prompt L-Pop), GB 군(G-Bond)으로 분류하였다. 각 군의 법랑질 표면에 배정된 접착시스템을 적용한 후, Tygon tube를 이용하여 법랑질 표면에 유동성 레진(Filtek Z 350 flowable resin)을 접착하였다. 각 군의 미세전단 결합강도를 측정한 후 주사전자현미경하에서 파절양상을 비교하였다. 결과: 1. SB 군의 결합강도는 다른 모든 군보다 통계학적으로 높게 나타났고, GB 군의 결합강도는 다른 모든 군의 결합강도 보다 통계학적으로 낮게 나타났다(p < 0.05). 2. OS 군과 SE 군 및 AP 군의 결합강도는 SB 군보다 낮게 나타났지만, TY 군과 GB 군보다 통계학적으로 높게 나타났다(p < 0.05). 3. TY 군의 결합강도는 GB 군보다 통계학적으로 높게 나타났다(p < 0.05). 4. 접착성 파절은 TY 군과 GB 군에서 가장 많이 나타났고, 혼합파절은 SB 군과 SE 군에서 가장 많이 나타났으며, 응집성 파절은 OS 군, SB 군, SE 군 및 AP 군에서 각각 1개씩 나타났다. 결론: 접착 단계가 같은 접착시스템이라 해도 법랑질에 대한 유동성 레진의 미세전단 결합강도는 서로 다르게 나타났다.

• 대한치과재료학회지
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• 제45권4호
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• pp.301-310
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• 2018

이 연구의 목적은 현재 쓰임이 증가하고 있는 여러 종류의 범용 상아질 접착제와 삼차 아민을 포함 혹은 포함하지 않는 레진시멘트 간의 호환성을 평가하기 위함이다. 총 80개의 사람 대구치를 선정해 레진 블럭에 매몰하여 상아질을 노출시키고 600-grit SiC paper로 연마한 후 3종류의 범용 상아질 접착제 Scotchbond universal (3M ESPE, pH 2.6), G-premio bond (GC, pH 1.5), All bond universal (Bisco, pH 3.2) 및 대조군으로 3-step etch and rinse system인 Scotchbond multipurpose (3M ESPE)를 제조사의 지시대로 적용한 후 광중합 시행하였다. 그 위에 직경 2 mm, 높이 3 mm의 몰드를 이용해 삼차아민을 포함한 레진 시멘트인 Calibra(Dentsply) 혹은 삼차 아민을 포함하지 않는 레진시멘트인 RelyX Ultimate (3M ESPE)를 적용하고 20초간 광중합하였다. 그 후 $37^{\circ}C$ 증류수에 7일간 보관 후 미세전단강도를 측정하였다. 각 결과값을 ANOVA와 Tukey test로 분석하였다. 실험 결과 Calibra를 사용한 경우 Scotchbond Multipurpose와 All bond Universal adhesive 적용시 G-premio bond 및 Scotchbond universal adhesive를 적용했을 때에 비해 유의하게 높은 미세전단강도를 나타냈다(p<0.05) RelyX Ultimate를 사용한 경우 adhesive간의 유의한 차이가 관찰되지 않았다(p>0.05).

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제36권5호
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• pp.409-418
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• 2011

연구목적: 이 연구는 상아질 표면에 Er:YAG 레이저를 조사하지 않는 군, 레이저를 조사한 군, 레이저를 조사한 후 부가적인 산처리를 한 군으로 분류하여 2단계 단일병 전부식 접착시스템과 자가부식 프라이머 접착시스템을 이용하여 복합레진을 접착하였을 때 이러한 표면처리가 복합레진의 미세전단 결합강도와 결합계면에 미치는 영향을 비교하기 위하여 시행하였다. 연구 재료 및 방법: 32개의 발거된 대구치의 교합면측 상아질을 이용하였고, 상아질의 표면처리는 1군과 4군에서 각각 인산과 자가부식 프라이머로 하였으며, 2군과 5군은 Er:YAG 레이저로 에칭처리하였고, 3군과 6군은 레이저로 에칭한 후 다시 각각 인산과 자가부식 프라이머로 하였다. 1군, 2군, 3군은 Single Bond 2와 Z 250 (3M ESPE)을 이용하였고, 4군, 5군, 6군은 Clearfil SE Bond와 Clearfil AP-Z (Kuraray)을 이용하여 상아질 면에 Tygon tube를 접착하였다. 각 군의 미세전단 결합강도를 측정한 후 통계 처리하였고, 또한 6개의 시편에서 복합레진과 상아질 계면을 주사전자현미경하에서 관찰하였다. 결과: Single Bond 2를 사용한 군에서 2군의 결합강도는 1군과 3군보다 통계학적으로 낮게 나타났으며, Clearfil SE Bond를 사용한 군에서 4군, 5군, 6군의 결합강도는 각각 통계학적으로 유의한 차이를 나타내었다(p < 0.05). 2군과 5군은 아주 짧고 가는 레진테그가 관찰되었고, 3군과 6군은 길고 가는 레진테그와 레진테그의 측지가 관찰되었다. 결론: 레이저로 에칭 처리한 상아질에 대한 부가적인 산 처리나 자가부식 프라이머의 처리는 상아질의 접착력을 향상시켰다.