Proceedings of the Korean Society of Agricultural Engineers Conference
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2002.10a
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pp.57-60
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2002
Developed power off automatic stanch that keep floodgate upper stream water level changelessly for curtailment of operation by manpower and electricity lead-in equal early investment expense that manual system floodgate and electric motion floodgate have. Human strength does not need in floodgate operation as that power off automatic floodgate open and close floodgate automatically by buoyancy and also, another thing power does not need. Before establish floodgate, effect that get to waterway when behaves repair calculation of correct waterway and decide size of floodgate accordingly and establish floodgate must do examination analysis fussily. power off automatic floodgate night soil that get between countermeasure is the urgentest low-down in reply because can do mistake in operation by phenomenon and so on about water resources by different plate shape change through a model experiment examine closely need to.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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v.35D
no.5
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pp.1-10
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1998
A GaAs MMIC composed of VCO (voltage controlled oscillator) and mixer for PCS receiver has been developed using 1.mu.m ion implanted GaAs MESFET process. The VCO consists of a colpitts-type oscillator with a dielectric resonator and the circuit configuration of the mixer is a dual-gate type with an asymmetric combination of LO and RF FETs for the improvement of intermodulation characteristics. The common-source self-biasing is used in all circuits including a buffer amplifier and mixer, achieving a single power supply (3V) operation. The total power dissipation is 78mW. The VCO chip shows a phase noise of-99 dBc/Hz at 100KHz offset. The combined VCO/mixer chip shows a flat conversion gain of 2dB, the frequency-tuning factor of 80MHz/volts in the varacter bias ranging from 0.5V to 0.5V , and output IP3 of dBm at varactor bias of 0V. The fabricated chip size is 2.5mm X 1.4mm.
In this study, $Al_2$O$_3$films have been deposited with Atomic Layer Deposition(ALD) for gate insulator for MPTMA and $H_2O$ at low temperature below 40$0^{\circ}C$ . Conventional methods of $Al_2$O$_3$thin film deposition have suffered from the poor step coverage due to reduction of device dimension and increasing contact/via hole aspect ratio. ALD is a self-limiting growth process with controlled surface reaction where the growth rate is only dependent on the number of growth cycle and the lattice parameter of materials. ALD growth process has many advantages including accurate thickness control, large area and large batch capability, good uniformity, and pinholes freeness.
We investigated a linear carbon nanotube motor serving as the key building block for nano-scale motion control by using molecular dynamics simulations. This linear nano-motor, is based on the electrostatically telescoping multi-walled carbon-nanotube with ultralow intershell sliding friction, is controlled by the gate potential with the capacitance feedback sensing. The resonant harmonic peaks are induced by the interference between the driving frequencies and its self-frequency. The temperature is very important factor to operate this nanomotor.
Proceedings of the Korean Society of Agricultural Engineers Conference
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2005.10a
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pp.85-90
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2005
A Water Level gauge which composes a water supply system for water demand, information transmission system and the solar storehouse electromotive floodgate, regarding the structure plan and a production of the nothing power automatic floodgate it described. The important point must solve but urgently will compare the water amount used from system establishment place or not one. and It must give proof the efficient characteristic of system, must solve the technical problem portion against revision of the accuracy of upper downstream canal which is information transmission system of the Self-controlled check gate. The solar floodgate is more economic with the base which will reach and the system construction which is accurate.
A CMOS device which has an extended heavily-doped amorphous silicon source/drain layer on the field oxide and an amorphous silicon local interconnection (ASLI) layer in the self-aligned source/drain region has been studied. The ASLI layer has some important roles of the local interconnections from the extended source/drain to the bulk source/drain and the path of the dopant diffusion sources to the bulk. The junction depth and the area of the source/drain can be controlled easily by the ASLI layer thickness. The device in this paper not only has very small area of source/drain junctions, but has very shallow junction depths than those of the conventional CMOS device. An operating speed, however, is enhanced significantly compared with the conventional ones, because the junction capacitance of the source/drain is reduced remarkably due to the very small area of source/drain junctions. For a 71-stage unloaded CMOS ring oscillator, 128 ps/gate has been obtained at power supply voltage of 3.3V. Utilizing this proposed structure, a buried channel PMOS device for the deep submicron regime, known to be difficult to implement, can be fabricated easily.
The filter bank multicarrier modulation (FBMC) technique is one of multicarrier modulation technique (MCM), which is mainly used to improve channel capacity of cognitive radio (CR) network and frequency spectrum access technique. The existing FBMC System contains serial to parallel converter, normal QAM modulation, Radix2 inverse FFT, parallel to serial converter and poly phase filter. It needs high area, delay and power consumption. To further reduce the area, delay and power of FBMC structure, a new clock gating technique is applied in the QAM modulation, radix2 multipath delay commutator (R2MDC) based inverse FFT and unified addition and subtraction (UAS) based FIR filter with parallel asynchronous self time adder (PASTA). The clock gating technique is mainly used to reduce the unwanted clock switching activity. The clock gating is nothing but clock signal of flip-flops is controlled by gate (i.e.) AND gate. Hence speed is high and power consumption is low. The comparison between existing QAM and proposed QAM with clock gating technique is carried out to analyze the results. Conversely, the proposed inverse R2MDC FFT with clock gating technique is compared with the existing radix2 inverse FFT. Also the comparison between existing poly phase filter and proposed UAS based FIR filter with PASTA adder is carried out to analyze the performance, area and power consumption individually. The proposed FBMC with clock gating technique offers low power and high speed than the existing FBMC structures.
Proceedings of the Korea Water Resources Association Conference
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2007.05a
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pp.2135-2139
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2007
현재 한국농촌공사에서는 농업용수의 효율적인 관리를 위하여 물관리자동화사업을 시행하고 약 8만ha를 대상으로 418개의 수리시설을 전동화하였다. 물관리자동화사업에서의 물관리는 공급자 위주로서 이미 결정되어진 물의 양을 시기에 따라 적절하게 공급하여 주며 이를 계측하고 제어하기 위한 시설이다. 그러나 현재 실제로 물관리가 일어나는 곳을 말단포장으로서 급수물꼬의 개폐에 따라 농업용수의 공급과 단절이 이루어지고 있다. 이러한 사실에 착안하여 본 연구에서는 급수물꼬를 논의 담수심에 따라 자동으로 개폐시키는 자동물꼬, 논의 담수심과 수로의 유황상황을 체크하여 정보전달을 수행하는 수로수위측정 및 담수심 측정장치, 상기의 논과 수로의 유황정보에 의하여 논에 물을 공급하는 태양광 전동수문, 수로의 수위증감에 따라서 수로의 수압을 일정하게 형성시켜 용수공급을 원활하게 해주며 또 기존의 제수문과는 다르게 항상 수위를 일정하게 유지하면서도 하류방향으로 물을 공급해주는 무동력 자동수문을 개발하여 시스템으로서 구성하여 설치하였다. 현재 담수심 측정 및 수로수위측정장치로부터의 정보전달은 무선으로 하며 이 정보를 기초로 하여 태양광 전동수문의 모터제어부에서 판단을 하여 수문의 개폐를 지시한다. 또한 무동력 자동수문의 경우에는 부력부가 별도로 설치되어 있어서 주수부를 통하여 수로내 수위와 같은 레벨로 물이 유입되고 이를 플로트가 감지하여 수문비 후방에 설치되어 있는 밸런스 웨이트를 제어하여 수문을 개폐한다. 본 무동력 자동수문은 수위를 유지하는 설정수심을 자유로이 변경할 수 있도록 주수부를 개량하였으며 부력부에 오물유입이 되지 않도록 스크린을 주수부의 물유입장소에 설치하였다. 현재까지 시스템의 작동상황에 대한 성능은 양호하다. 다만 향후의 문제점으로서 시스템이 설치된 지역과 설치되지 않은 지역과의 용수사용량을 비교분석하는 작업으로 본 시스템의 경제적 효과 및 효율성을 증명할 필요가 있으며 본 시스템의 실용화시 시스템 사용방안에 대해서는 대규모 평야부와 저수지 지구의 물공급특성이 다르기 때문에 이를 감안한 시스템 구성을 할필요가 있다.
The characteristics of polymeric thin-film transistors(TFTs) can be controlled by chemically modifying the surface of the gate dielectric prior to the organic semiconductor. The chemical treatment consists of derivative the tantalum pentoxide($Ta_2O_5$) surface with organic materials to form self-assembled monolayer(SAM). The deposition of an octadecyl-trichlorosilane(OTS), hexamethy-ldisilazone(HMDS), aminopropyltreithoxysilane(ATS) SAM leads to a mobility of $0.01\sim0.06cm2/V{\cdot}s$ in a poly-3-hexylthiophene(P3HT) conjugated polymer. The mobility enhancement mechanism is likely to involve molecular interactions between the polymer and SAM. These result can be used for polymer TFT's dielectric material.
Kim, Dae-Chul;Lee, Tae-Wan;Lee, Jung-Eun;Kim, Kyung-Hwan;Cho, Min-Ju;Choi, Dong-Hoon;Han, Yoon-Deok;Cho, Mi-Yeon;Joo, Jin-Soo
Macromolecular Research
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v.17
no.7
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pp.491-498
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2009
New $\pi$-conjugated multi-branched molecules were synthesized through the Homer-Emmons reaction using alkyl-substituted, 3,4-ethylenedioxythiophene-based, thiophenyl aldehydes and octaethyl benzene-l,2,4,5-tetrayltetrakis(methylene) tetraphosphonate as the core unit; these molecules have all been fully characterized. The two multi-branched conjugated molecules exhibited excellent solubility in common organic solvents and good self-film forming properties. The semiconducting properties of these multi-branched molecules were also evaluated in organic field-effect transistors (OFET). With octyltrichlorosilane (OTS) treatment of the surface of the $SiO_2$ gate insulator, two of the crystalline conjugated molecules, 7 and 8, exhibited carrier mobilities as high as $2.4({\pm}0.5){\times}10^{-3}$ and $1.3({\pm}0.5){\times}10^{-3}cm^2V^{-1}s^{-1}$, respectively. The mobility enhancement of OFET by light irradiation ($\lambda$ = 436 nm) supported the promising photo-controlled switching behavior for the drain current of the device.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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