• Progress in Superconductivity
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• 제9권1호
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• pp.115-118
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• 2007

This study investigated the effects of different kinds of seed crystals with miscut angles and pretreatment on the characteristics of a RE-123 superconductor processed by a top-seeded melt-growth (TSMG) method. When the seed crystal was heat-treated in an oxygen atmosphere, the surface structure was cleaned removing hydroxide. When the seed crystal had a miscut angle, in addition, the surface structure showed a well defined hill-and-valley structure after heat-treatment. A better microstructure, with a well-distributed small RE-123 phase, was obtained using a high miscut angle after heat-treatment in an oxygen atmosphere. As a result of the microstructure improvement, the magnetic characteristics also improved. The experimental result can be explained by reduction of nucleation activation energy.

• 한국결정성장학회지
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• 제7권1호
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• pp.18-26
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• 1997

소결조제로 Y 3Alo012를 첨가한 {3- SiC 분말에 seed로서 1 wt%의 a- SiC 분말을 첨 가한 시편과 첨가하지 않은 시편을 1950$^{\circ}$C, argon 분위기에서 0.5~4시간 동안 소결하였다. S Seed로써 1 wt% a-SiC 분말의 첨가는 소결 도중에 길게 자란 업자틀의 성장을 가속시켰고, a a- SiC seed를 첨가한 시편에서 더 조대한 미세구조가 얻어졌다 .. a-SiC seed를 첨가하여 4시간 동안 소결한 시편의 파괴인성은 7.5 MPa'ml/2이었고, seed를 첨가하지 않은 시편의 파괴인성은 6 6.1 MPa'm1/2이었다 .. Seed를 첨가한 시편의 높은 파괴인성은 조대한 미세구조에 포함된 길게 자란 입자들에 의한 균열가교 기구의 활발한 작용에 기인한다.

• 한국결정성장학회지
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• 제18권1호
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• pp.38-44
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• 2008

c-축 배향을 갖는 MFI 제올라이트 필름$(<35{\mu}m)$을 종자결정 성장법을 이용하여 실리카라이트-1 종자결정이 도포된 알루미나와 실리콘 지지체 위에 성장시켰다. 지지체 표변에서 성장된 필름은 전자현미경과 X- 회절 분석을 이용하여 조사하였다. 지지체 표면의 거친 정도에 따른 필름의 성장에 미치는 영향에 대해서 조사하였으며 c- 축 배향을 갖는 필름과 종자결정 성장법에서 나타나는 특징적인 돔 형태의 결함구조의 생성과 반응기구에 대해서 설명하였다. 지지체 표면의 거친 정도가 c- 축 배향에 중요한 역할을 하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제23권6호
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• pp.291-295
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• 2013

산화 및 수소 분위기 열처리를 통한 화학적 표면 개질로 나노다이아몬드 seed 입자의 응집성 완화 및 초미세나노결정질 다이아몬드 (UNCD) 박막 증착을 위한 핵형성 밀도 향상을 확보하였다. 열처리에 의해 나노다이아몬드 seed 입자표면 작용기가 개질되었고, 제타 전위도 증가하였다. 또한, 응집체 평균 크기가 약 $2{\mu}m$에서 ~55 nm로 크게 감소하였다. $600^{\circ}C$, 수소 열처리된 seed 입자로 seeding 한 Si 기판으로부터 열처리하지 않은 seed 입자에 비해 현저하게 향상된 ${\sim}2.7{\times}10^{11}cm^{-2}$의 매우 높은 핵형성 밀도를 확보하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제5권1호
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• pp.50-59
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• 1995

자체 제작된 승화법에 의한 결정성장 장치를 이용하여, 6H-SiC 단결정을 성장하였다. Acheson 법으로 얻어진 6H 결정을 seed substrate로 사용하였으며, SiC source 로부터 분해된 승화 증기가 seed상에서 육성되도록 흑연 도가니내의 온도구배 및 성장온도와 압력을 유기적으로 조절하였다. 성장 전 graphite 도가니 구성부와 SiC 원료에 대한 purification을 행함으로써 성장결정 내부로의 불순물 혼입이 억제되도록 하엿다. 결정 성장시의 육성조건으로 도가니 바닥의 온도는 $2300~2400^{\circ}C$였으며, 성장로 내부의 분위기 압력은 200~400 torr에서 양질의 단결정을 얻을 수 있었다. 성장된 결정을 두께 1.5 mm의 wafer로 제작하여 XRD와 optical microscope로 관찰하였고, FT-IR spectrum으로 분석하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제21권9호
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• pp.795-800
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• 2008

A sublimation method using the SiC seed crystal and SiC powder as the source material is commonly adopted to grow SiC bulk single crystal. However, it has proved to be difficult to achieve the high quality crystal and the process reliability because SiC single crystal should be grown at very high temperature in closed system. The present research was focused to improve SiC crystal quality grown by PVT method through using the new inner guide tube. The new inner guide tube was designed to prevent the enlargement of polycrystalline region into single crystalline region and to enlarge the diameter of SiC single crystal. The 6H-SiC crystals were grown by conventional PVT process. The seed adhered on seed holder and the high purity SiC source materials are placed on opposite side in sealed graphite crucible surrounded by graphite insulation. The SiC bulk growth was conducted around 2300 $^{\circ}C$ of growth temperature and 50 mbar in an argon atmosphere of growth pressure. The axial thermal gradient across the SiC crystal during the growth was estimated in the range of 15${\sim}$20 $^{\circ}C$/cm.

• 한국세라믹학회지
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• 제36권10호
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• pp.1048-1055
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• 1999

• 한국결정성장학회지
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• 제14권1호
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• pp.12-16
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• 2004

본 실험은 대형의 고품질 DAST 결정을 위한 결정안정성과 재현성의 향상에 관하여 연구하였다. DAST 결정은 냉각법에 의한 메탄을 포화용액에서 성장시켰으며, 4-methyl-n-methyl pyridinum tosylate의 축합상태로 합성하였다. DAST 분말은 piperidine이 존재한 상태에서 r-picoline. methyl p-tolune sulfonate 그리고 P-dimethylaminobenzaldehyde로부터 제조하였다. 이때 DAST $H_2O$의 생성을 피하기 위하여 dry Argon분위기에서 합성하였다. 이것은 DAST분자가 습한 분위기에서 결정화될 경우 결정구조는 중심 대칭이 되고 그러한 경우에 DAST 미세결정이 습기를 함유하면 2차 비선형 광학특성은 사라지기 때문이다. 우리는 성장방향을 (001)면으로 고정시켰다. 성장조건은 $H_2O$/day로 서냉시켰으며 기간은 4일 동안이었다. seed 결정의 크기는 $2.5\times 3.6\times0.4\textrm{mm}^3$이며 $10\times 10.5\times3.0\textrm{mm}^3$의 DAST 결정을 제조했다. 육성된 DAST는 빨간색이며 메탈릭그린처림 보이는 표면특성을 나타내였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제29권6호
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• pp.294-297
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• 2019

New insights about macro-step formation has been investigated. The phenomena of surface instability caused by the interaction between step flow and fluid flow was describe in mechanical way. The rotation of the seed crystal in a clockwise direction was applied with a speed varied from 30 to 200 rpm during the TSSG process on the Si- and C-faces 4H-SiC. The macro-steps were formed along the two specific directions at different locations on the crystal for each, i.e., [10-10] or [01-10] directions or both. From the results, it is suggested that the macro-steps were generated from the micro-steps by interaction between step flow and fluid flow during the rotation of seed crystal. Furthermore, The fluid flow could be effective to control the micro- and/or macro-step behavior during solution growth.

• 한국결정성장학회지
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• 제29권6호
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• pp.239-244
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• 2019

수소 분위기 열처리 및 수소 플라즈마 처리의 두 가지 수소화 표면개질을통해 나노다이아몬드 seed 입자의 분산 향상 및 평탄한 초미세 나노결정질 다이아몬드 박막증착을 위한 핵형성 밀도 향상을 확보하였다. 수소화 처리 이후 나노다이아몬드 입자 표면의 탄소-산소 및 산소-수소 결합기가 탄소-수소 결합기로 전환되는 화학적 표면개질이 진행되었고 Zeta 전위가 증가하였다. 분산도 향상에 따라 나노다이아몬드 응집체 크기가 현저하게 감소하였고 핵형성 밀도는 크게 증가하였다. 600℃, 수소분위기에서 열처리 이후 나노다이아몬드 평균 입자 크기가 3.5 ㎛에서 34.5 nm로 크게 감소하였고, seeding 된 Si 기판 표면에서 ~3.9 × 10¹¹ nuclei/㎠의 매우 높은 핵형성 밀도를 확보하였다.