• 한국진공학회지
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• 제14권4호
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• pp.180-185
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• 2005

물의 증기압을 진공도 눈금으로 이용 할 수 있는지에 대한 가능성에 대하여 평가하였다. 실온($25^{\circ}C$)과 비등점 사이에서 물의 증기압은 3.3 kPa에서부터 101.3 Ha 사이의 압력을 나타낸다. 측정된 물의 증기압은 문헌값에 비해 $5\%$ 이내의 편차로 일치하였다. 이 결과는 물의 증기압이 진공도 눈금의 한 보조적 수단으로 사용될 수 있음을 보여준다. 더 나아가 삼중점이나 온도-압력곡선과 같은 물질의 고유한 열역학적 성질을 이용하면 해당 진공도 범위로 확장이 가능함을 보여준다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1998년도 제16회 학술발표회 논문개요집
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• pp.81-81
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• 1998

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1998년도 제16회 학술발표회 논문개요집
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• pp.82-82
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• 1998

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1998년도 제14회 학술발표회 논문개요집
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• pp.134-134
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• 1998

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1997년도 제13회 학술발표회 논문개요집
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• pp.135-135
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• 1997

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제10권4호
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• pp.260-264
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• 2010

In this paper, Ni silicide is formed on boron cluster ($B_{18}H_{22}$) implanted source/drains for shallow junctions of nano-scale CMOSFETs and its thermal stability is improved, using vacuum annealing. Although Ni silicide on $B_{18}H_{22}$ implanted Si substrate exhibited greater sheet resistance than on the $BF_2$ implanted one, its thermal stability was greatly improved using vacuum annealing. Moreover, the boron depth profile, using vacuum post-silicidation annealing, showed a shallower junction than that using $N_2$ annealing.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1996년도 제11회 학술발표회 논문개요집
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• pp.132-133
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• 1996

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2004년도 제26회 학술발표회 초록집
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• pp.90-90
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• 2004

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1998년도 제16회 학술발표회 논문개요집
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• pp.90-90
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• 1998

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2001년도 창립10주년 제20회 학술발표회
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• pp.51-51
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• 2001