• 제목/요약/키워드: SU-8 Photoresist

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SU-8 포토레지스트와 표면 소수처리를 이용한 전기 수력학 노즐 제작 (Fabrication of EHD(Electrohydrodynamic) nozzle using surface hydrophobic coating and SU-8 photoresist)

  • 임병직;이경일;김성현;김선민;이철승;이현주;변상언;조진우
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
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    • pp.1706-1707
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    • 2011
  • SU-8 감광제를 이용하여 전기 수력학에 응용할 수 있는 내경 $50{\mu}m$인 평면형 노즐 구조와 외경 $100{\mu}m$, 내경 $50{\mu}m$인 돌출형 노즐 구조를 제작하고 노즐 표면에 불소계 수지를 건식 증착하여 소수 처리를 하였으며 이를 통해 전기수력학 방식의 잉크 토출을 구현하였다.

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실험 및 유한요소해석에 의한 SU-8 박막의 Tribological 특성 연구 (Experimental and Finite Element Study of Tribological Characteristics of SU-8 Thin Film)

  • 양우열;신명근;김형만;한상철;성인하
    • 대한기계학회논문집A
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    • 제37권4호
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    • pp.467-473
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    • 2013
  • 본 연구에서는 SU-8 박막의 마이크로시스템으로의 트라이볼로지적 응용을 목적으로 하여, 원자간 힘 현미경(AFM) 과 콜로이드 프로브를 이용한 실험 및 유한요소해석 기법을 이용하여 SU-8 코팅층의 두께에 따른 트라이볼로지적 특성을 고찰하였다. SU-8 시편은 스핀 코팅기법을 이용하여 두께를 다르게하여 제작하였다. 실험결과 코팅두께가 증가함에 따라 마찰력과 점착력이 감소하여 박막두께에 따른 차이가 존재함을 알 수 있었고, SU-8 표면이 Si 표면에서보다 더 낮은 점착력과 마찰력을 보여주었다. 또한, 시뮬레이션을 통해 두께별로 박막 파손을 유발시키는 임계하중(압력)이 존재하며, 본 연구에서의 200~800 nm 두께범위에서는 1.2~1.8 GPa 로 측정되었다.

초고온 MEMS용 SiCN 미세구조물 제조 (Fabrication of SiCN Microstructures for Super-Temperature MEMS applications)

  • 우형순;김규현;노상수;정귀상
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2004년도 춘계학술대회 논문집 반도체 재료 센서 박막재료 전자세라믹스
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    • pp.125-128
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    • 2004
  • In this paper, a novel processing technique for fabrication of high-temperature MEMS based on polymer-derived SiCN microstructures is described. PDMS molds are fabricated on SU-8 photoresist using standard UV-photolithographic processes. Liquid precursors are injected into the PDMS mold. And then, the resulting solid polymer structures are crosslinked under isostatic pressure, and pyrolyzed to form a ceramic capable of withstanding over $1500^{\circ}C$. These fabricated SiCN structures would be applied for high-temperature applications, such as heat exchanger and combustion chamber.

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오존공정을 이용한 고효율 PR 제거기술 연구 (A Study on the High Efficiency PR Strip technology by using the Ozone Process)

  • 손영수
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제44권1호
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    • pp.22-27
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    • 2007
  • 반도체 또는 평판디스플레이 제조에 있어 노광공정 후의 PR(photoresist) 제거 공정으로 이용하기 위하여 경계 막 제어에 의한 오존처리공정 및 설비 구현에 대한 연구를 수행하였다. 개발한 초 고농도 오존생성기술과 vapor 발생 방식 경계 막 제어 오존처리공정설비에 의해 실리콘 웨이퍼 PR 제거시험을 수행하였으며 오존가스농도 16wt%, 오존가스 유량 $8[\ell/min]$에서 약 400nm/분의 높은 PR 제거율을 달성하였다.

Characteristics of Photoresist-derived Carbon Nanofibers for Li-ion Full Cell Electrode

  • Kim, Hwan-Jun;Joo, Young-Hee;Lee, Sang-Min;Kim, Chang-Il
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제15권5호
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    • pp.265-269
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    • 2014
  • Carbon nanofiber electrode has been fabricated for energy storage systems by the electrospinning of SU-8 precursor and subsequent pyrolysis. Various parameters including the applied voltage, the distance between syringe tip and target collector and the flow rate of the polymer affect the diameter of SU-8 electrospun nanofibers. Shrinkage during pyrolysis decreases the fiber diameter. As the pyrolysis temperature increases, the resistivity decreases dramatically. Low resistivity is one of the important characteristics of the electrodes of an energy storage device. Given the advantages of carbon nanofibers having high external surface area, electrical conductivity, and lithium intercalation ability, SU-8 derived carbon nanofibers were applied to the anode of a full lithium ion cell. In this paper, we studied the physical properties of carbon fiber electrode by scanning transmission microscopy, thermal gravimetric analysis, and four-point probe. The electrochemical characteristics of the electrode were investigated by cyclic voltammogram and electrochemical impedance spectroscopy plots.

미세입자분사 가공에서 Photoresist를 이용한 마스크의 가공특성에 관한 연구

  • 박동진;이인환;고태조;김희술
    • 한국정밀공학회:학술대회논문집
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    • 한국정밀공학회 2004년도 춘계학술대회 논문요약집
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    • pp.127-127
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    • 2004
  • 입자분사 가공(abrasive jet machining)은 과거에는 녹(rust) 도색(painting)의 제거 흑은 디버링(deburring), 표면 처리 등의 용도에 국한되어 사용되어졌다. 한편 최근 들어 반도체 제작공정이나 MEMS 공정 등에 적용되는 실리콘(silicon) 등의 세라믹 재료의 미세가공분야가 주목받고 있으며, 따라서 이와 관련된 많은 연구가 진행되고 있다. 한편, 세라믹 재료는 파괴인성이 매우 낮고 취성이 강하기 때문에 크랙발생 후 큰 응력이 연속적으로 주어지면 크랙은 음속으로 진행되어 파단 되는 특성이 있어서 일반적인 기계가공이 매우 어렵다.(중략)

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Fabrication of 3D Microstructures with Single uv Lithography Step

  • Han, Man-Hee;Lee, Woon-Seob;Lee, Sung-Keun;Lee, Seung S.
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제2권4호
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    • pp.268-272
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    • 2002
  • This paper presents a novel microfabrication technology of 3D microstructures with inclined/rotated UV lithography using negative photoresist, SU-8. In some cases, reflected UV as well as incident UV is used to form microstructures. Various 3D microstructures are simply fabricated such as embedded channels, bridges, V-grooves, truncated cones, and so on.

High-Aspect-Ratio Nanoscale Patterning in a Negative Tone Photoresist

  • Ryoo, Kwangki;Lee, Jeong Bong
    • Journal of information and communication convergence engineering
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    • 제13권1호
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    • pp.56-61
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    • 2015
  • The demand for high-aspect-ratio structures has been increasing in the field of semiconductors and other applications. Here, we present the commercially available negative-tone SU-8 as a potential resist that can be used for direct patterning of high-aspect-ratio structures at the submicron scale and the nanoscale. Such resist patterns can be used as polymeric molds to create high-aspect-ratio metallic submicron and nanoscale structures by using electroplating. Compared with poly (methyl methacrylate) (PMMA), we found that the negative tone resist required an exposure dose that was less than that of PMMA of equal thickness by a factor of 100-150. Patterning of up to 4:1 aspect ratio SU-8 structures with a minimum feature size of 500 nm was demonstrated. In addition, nanoimprint lithography was studied to further extend the aspect ratio to realize a minimum feature size of less than 10 nm with an extremely high aspect ratio in the negative resist.

PDMS 몰드를 이용한 초고온용 SiCN 구조물의 제작 (Fabrication of SiCN structures using PDMS mold for high-temperature applications)

  • 우형순;김규현;정귀상
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2003년도 추계학술대회 논문집 Vol.16
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    • pp.376-379
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    • 2003
  • In this paper, a novel processing technique for fabrication of high-temperature MEMS based on polymer-derived SiCN microstructures is described. PDMS molds are fabricated on SU-8 photoresist using standard UV-photolithographic processes. Liquid precursors are injected into the PDMS mold. And then, the resulting solid polymer structures are crosslinked under isostatic pressure, and pyrolyzed to form a ceramic capable of withstanding over $1500^{\circ}C$. These fabricated SiCN structures would be applied for high-temperature applications, such as heat exchanger and combustion chamber.

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SU-8 패시베이션을 이용한 솔루션 IZO-TFT의안정성 향상에 대한 연구 (Stability Enhancement of IZOthin Film Transistor Using SU-8 Passivation Layer)

  • 김상조;이문석
    • 전자공학회논문지
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    • 제52권7호
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    • pp.33-39
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    • 2015
  • 본 연구에서는 SU-8을 절연층으로 사용해 솔루션 공정을 바탕으로 하여 Indium Zinc Oxide(IZO) thin film transistor(TFT)의 안정성을 향상에 대해 연구하였다. 매우 점성이 강하며 negative lithography 용으로 사용되는 SU-8은 기계적, 화학적으로 높은 안정도를 가진다. 그리고 이 SU-8을 사용해 TFT층의 위에 스핀코팅을 사용해 절연막 층을 쌓고 photo lithography를 이용해 patterning을 하였다. SU-8층에 의한 positive bias stress(PBS)에 대한 전기적 특성 향상의 이유를 연구하기 위해 TFT에 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS), Fourier transform infrared spectroscopy(FTIR) 분석을 시행하였다. SU-8을 절연층으로 한 TFT는 좋은 전기적 특성을 보였으며, 전류점멸비, 전자이동도, 문턱전압, subthreshold swing이 각각 $10^6$, $6.43cm^2/V{\cdot}s$, 7.1V, 0.88V/dec로 측정되었다. 그리고 3600초 동안 PBS를 가할 시 ${\Delta}V_{th}$는 3.6V로 측정되었다. 그러나 SU-8 층이 없는 경우 ${\Delta}V_{th}$는 7.7V 였다. XPS와 FTIR을 분석한 결과, SU-8 절연층이 TFT의 산소의 흡/탈착을 차단하는 특성에 의해 PBS에 강한 특성을 나타나게 함을 확인하였다.