고해상도 영상 획득을 위해 데이터량과 처리시간에 대한 이점으로 인해 deramping 기법을 많이 적용한다. 그러나 ADC를 통해 디지털 신호로 변환하는 과정에서 시스템 구동 신호에 의한 원하지 않는 잡음 톤(spurious signal, noise-tone)이 들어올 수 있다. 이 경우, 영상에 직접적이고 심각한 품질 저하가 발생하게 된다. 이를 해결하기 위해서는 deramped SAR에서 발생 가능한 잡음 톤에 대한 특성 분석을 통해 불필요한 신호를 적절히 선택하고 또한, 신호 특성을 반영하여 원시데이터 상에서 잡음 신호를 효과적으로 제거해야 한다. 본 논문에서는 잡음 톤에 대한 원인 및 특성 분석을 바탕으로 원시데이터 상에서 잡음 톤을 효율적으로 제거하는 방법을 제안하였다.
본 연구에서는 12bit 1MSps 연속 근사화 아날로그-디지털 변환기(Analog to Digital Converter : ADC)를 설계하였다. 설계된 아날로그-디지털 변환기는 0.18um 1Metal 6Poly CMOS 공정을 이용하였고, Cadence tool을 이용하여 시뮬레이션 및 레이아웃 하였다. 시뮬레이션 결과 1.8V의 공급전압에서 전력 소모는 6mW였고, 입력 신호의 주파수가 100kHz 일 때, SNDR은 69.53dB, 유효 비트수는 11.26bit의 결과를 보였다.
본 논문에서는 빛 에너지 하베스팅을 이용한 센서 노드 회로를 제안한다. 솔라셀에서 변환된 에너지는 PMU(Power Management Unit)를 통해 관리되고, 일정한 전압을 공급하기 위해 LDO(Low Drop Out Regulator)를 사용한다. LDO를 통해 공급된 전압으로 온도센서와 SAR ADC(Successive Approximate Register Analog-to-Digital Converter)를 구동시킨다. 이 회로는 0.35um CMOS 공정으로 설계되었다.
As CMOS technology continues to scale down, signal processing is favorably done in the digital domain, which requires Analog-to-Digital (A/D) Converter to be integrated on-chip. This paper presents a design methodology of 12-bit 1-MS/s Rail-to-Rail fully differential SAR ADC using Deep N-well Switch based on binary search algorithm. Proposed A/D Converter has the following architecture and techniques. Firstly, chip size and power consumption is reduced due to split capacitor array architecture and charge recycling method. Secondly, fully differential architecture is used to reduce noise between the digital part and converters. Finally, to reduce the mismatch effect and noise error, the circuit is designed to be available for Rail-to-Rail input range using simple Deep N-well switch. The A/D Converter fabricated in a TSMC 0.18um 1P6M CMOS technology and has a Signal-to-Noise-and-Distortion-Ratio(SNDR) of 69 dB and Free-Dynamic-Range (SFDR) of 73 dB. The occupied active area is $0.6mm^2$.
본 논문은 2단 플래시 A/D 변환기를 이용한 저전력 CMOS 플래시-SAR(successive approximation register)A/D 변환기를 제안한다. 전체 회로 구조는 상위 2비트 고속 플래시 A/D 변환기, 하위 8비트 저 전력 SAR A/D 변환기로 구성되어서 데이터 변환 클럭 수를 감소시켜서 변환속도를 향상시켰다. 또한 하위 8비트를 SAR 논리회로와 커패시터 D/A 변환기를 이용하여 저 전력으로 회로를 설계하였다. 제안 된 A/D 변환기는 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 구현하였고 2MS/s의 변환속도를 갖으며 9.16비트의 ENOB(effective number of bit)이 측정되었다. 면적과 전력소모는 각각 $450{\times}650{\mu}m^2$와 $136{\mu}W$이고 120fJ/step의 FoM을 갖는다.
본 논문은 생체신호 측정을 위한 저전력/저면적 AFE(analog front-end)에 관한 것이다. 제안된 AFE는 계측증폭기(IA), 대역 통과 필터(BPF), 가변 이득 증폭기(VGA), SAR 타입 A/D 변환기로 구성된다. 전류 분할 기법을 이용한 작은 gm (LGM) 회로와 고 이득 증폭기로 구성된 Miller 커패시터 등가 기술을 이용하여, 외부 수동소자를 사용하지 않고 AC-coupling을 구현하였다. 응용에 따른 BPF의 고역 차단 주파수 변화는 전압 조절기(regulator)를 이용한 출력 전압 변화를 이용하여 $g_m$을 변화하여 구현 시켰다. 내장된 ADC는 커패시터 분할 기법을 적용한 이중 배열 커패시터 방식의 D/A변환기와 비동기 제어 방식을 이용하여 저 전력과 저 면적으로 구현하였다. 일반 CMOS 0.18um 공정을 이용하여 칩으로 제작하였고, 전체 칩 면적은 PAD등을 모두 포함하여 $650um{\times}350 um$이다. 제안된 AFE의 전류 소모는 1.8V에서 6.3uA이다.
본 논문에서 이식형 심장 박동 조율기를 위한 심전도 검출기와 아날로그-디지털 변환기(ADC)를 설계한다. 제안한 웨이블렛 심전도 검출기는 웨이블렛 필터 뱅크 구조의 웨이블렛 변조기, 웨이블렛 합성된 심전도 신호의 가설 검정을 통한 QRS 신호 검출기와 0-교차점을 이용한 잡음 검출기로 구성된다. 저전력 소모의 동작을 유지하며 보다 높은 검출 정확도를 갖는 심전도 검출기의 구현을 위해, 다중스케일 곱의 알고리즘과 적응형의 임계값을 갖는 알고리즘을 사용하였다. 또한 심전도 검출기의 입력단에 위치하는 저전력 Successive Approximation Register ADC의 구현을 위해, 신호 변환의 주기 중, 매우 짧은 시간 동안에만 동작하는 비교기와 수동 소자로 구성되는 Sample&Hold를 사용하였다. 제안한 회로는 표준 CMOS $0.35{\mu}m$ 공정을 사용하여 집적 및 제작되었고, 99.32%의 높은 검출 정확도와 3V의 전원 전압에서 $19.02{\mu}W$의 매우 낮은 전력 소모를 갖는 것을 실험을 통해 확인하였다.
본 논문에서는 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정 기술을 이용하여 12-bit 1MSps 연속 근사화 아날로그-디지털 변환기(Analog to Digital Converter : ADC)를 설계하였다. 설계된 아날로그-디지털 변환기는 Cadence Tool을 이용하여 시뮬레이션 및 레이아웃을 진행하였다. 시뮬레이션 결과 1.8V의 공급전압에서 전력 소모는 5.5mW였고, 입력 신호의 주파수가 100kHz일 때, SNDR은 70.03dB, 유효 비트수는 11.34bit의 결과를 보였다. 설계된 변환기는 $0.8mm{\times}0.7mm$ 크기로 레이아웃 되었다.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제16권3호
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pp.274-286
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2016
This paper presents a 4-channel multi-rate vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) driver. In order to keep the output power constant with respect to the process, voltage, temperature (PVT) variations, this research proposes automatic power and magnitude. For the fast settling time, the high-speed 10-bit time-interleaved Flash-successive approximation analog to digital converter (Flash-SAR ADC) is proposed and shared for automatic power and magnitude calibration to reduce the die area and power consumption. This chip is fabricated using $0.13-{\mu}m$ CMOS technology and the die area is $4.2mm^2$. The power consumption is 117.84 mW per channel from a 3.3 V supply voltage at 10 Gbps. The measured resolution of bias /modulation current for APC/AMC is 0.015 mA.
In this paper we present a low area 12-bit SAR ADC (Successive Approximation Register Analog-to-Digital Converter). The proposed circuit is fabricated using Magnachip/SK Hynix 1-Poly 6-Metal $0.18-{\mu}m$ CMOS process, and it is powered by a 1.8-V supply. Total chip area is reduced by replacing the MIM capacitors with MOS capacitors instead of the capacitors consisting of overall part in chip area. The proposed circuit showed improved power dissipation of 1.9mW, and chip area of $0.45mm^2$ as compared to conventional research results at the power supply of 1.8V. The designed circuit also showed high SNDR (Signal-to-Noise Distortion Ratio) of 70.51dB, and excellent effective number of bits of 11.4bits.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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